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          CIS 產(chǎn)能誘惑再起

          • 移動互聯(lián)時代,在電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段,有 3~4 類芯片會沖在前面,呈現(xiàn)出明顯的增長勢頭,存儲器是典型代表,還有一種芯片也很搶眼,那就是 CIS(CMOS 圖像傳感器),它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長過程中就扮演了重要角色。如今,2024 年半導(dǎo)體業(yè)即將復(fù)蘇,CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應(yīng)用領(lǐng)域:手機、安防和汽車。當(dāng)然,CIS 在工業(yè)和其它消費類電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用。近日,全球 CIS 市場排名第二的三星電子發(fā)出通知,將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
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          英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù):在 60nm 柵距下實現(xiàn) CFET

          • IT之家 12 月 10 日消息,由于當(dāng)下摩爾定律放緩,堆疊晶體管概念重獲關(guān)注,IMEC (比利時微電子研究中心)于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)(IT之家注:即垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管技術(shù),業(yè)界認(rèn)為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)),英特爾和臺積電也都進行了跟進。在今年的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM 2023)上,英特爾展示了多項技術(shù)突破,并強調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先,英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管方面取得的突
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          下一代CMOS邏輯,邁入1nm時代

          • 3D 亞納米時代,CMOS 邏輯電路如何發(fā)展?
          • 關(guān)鍵字: CMOS  

          Teledyne e2v 發(fā)布新一代高性能全局快門 CMOS 圖像傳感器

          • Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解決方案革新者 Teledyne e2v 發(fā)布全新高水準(zhǔn) CMOS 圖像傳感器系列 Emerald? Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先進成像技術(shù)的基礎(chǔ)上又增強了性能,使之成為各種機器視覺應(yīng)用、室外監(jiān)控以及交通檢測與監(jiān)控相機的理想選擇。 Emerald? Gen2Emerald Gen2 的型號分為 8.9M像素(4,096 x 2,160)和 12M 像素(4,096 x 3,072)
          • 關(guān)鍵字: 成像技術(shù)  CMOS  圖像傳感器  機器視覺  

          新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

          • 摘要:●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造,提供開放、高效的射頻設(shè)計解決方案?!? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?!? ?集成的設(shè)計流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率,提高了仿真精度,并加快產(chǎn)品的上市時間。近日宣布,攜手是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝(4納米射頻FinFET工藝)的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設(shè)計系列產(chǎn)品,為追求更高預(yù)測精度
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          索尼唯一正增長,今年上半年全球手機 CIS 傳感器出貨量 20 億:同比下降 14%

          • IT之家 10 月 26 日消息,根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu) Counterpoint Research 公布的最新調(diào)查報告,受到需求疲軟、庫存調(diào)整以及每部智能手機的攝像頭數(shù)量減少等諸多因素,2023 年上半年全球智能手機 CMOS 圖像傳感器(CIS)出貨量為 20 億個,同比下降 14%。該機構(gòu)研究分析師 Alicia Kong 表示:持續(xù)的通脹壓力、充滿挑戰(zhàn)的宏觀經(jīng)濟環(huán)境,影響了消費者信心,導(dǎo)致智能手機出貨量低于預(yù)期。2023 年上半年,每部智能手機的平均攝像頭數(shù)量也從 2022 年下半年
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS    

          是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

          • ●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程,提供了開放、高效的射頻設(shè)計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設(shè)計效率,實現(xiàn)更準(zhǔn)確的仿真,從而更快將產(chǎn)品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程,助力RFIC半導(dǎo)體設(shè)計加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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          3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

          產(chǎn)品性能才是首位,CIS芯片領(lǐng)先供應(yīng)商芯視達(dá)亮相安博會

          • 2023年6月7日,第十六屆安博會在北京新首鋼會展園區(qū)開幕,本屆安博會以“自主創(chuàng)新、數(shù)智融合、賦能安防、服務(wù)社會”為主題。在本屆安博會上,集中展示了視頻監(jiān)控、防盜報警、出入口控制、安檢防爆、實體防護、數(shù)據(jù)應(yīng)用與安全等安防技術(shù)和產(chǎn)品,同時突出了今年來熱門的無人化、AI智能化,加上近期大熱的生成式人工智能(AIGC),本屆安博會可以說是充滿了創(chuàng)新的一屆安博會,極大地展示了近期我國在安防上的最新應(yīng)用成果。 安博會作為安全行業(yè)的盛會,一直以來被行業(yè)內(nèi)視為發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。在本屆安博會上,作為CIS圖像傳感器
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          IMEC發(fā)布1nm以下制程藍(lán)圖:FinFET將于3nm到達(dá)盡頭

          • 近日,比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍(lán)圖,分享對應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計劃。外媒報導(dǎo),IMEC制程藍(lán)圖顯示,F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達(dá)盡頭,然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù),預(yù)計2024年進入量產(chǎn),之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?!鱏ource:IMEC隨著時間發(fā)展,轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點會越來越貴,原有的單芯片設(shè)計方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計。IMEC的制程發(fā)展愿景,包括芯片分解至更小,將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元,然后以3D排列堆疊至其
          • 關(guān)鍵字: IMEC  1nm  制程  FinFET  

          恩智浦?jǐn)y手臺積電推出首創(chuàng)汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

          • ●   恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP●   借助MRAM,汽車廠商可以更高效地推出新功能,加速OTA升級,消除量產(chǎn)瓶頸●   恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.,納斯達(dá)克股票代碼:NXPI)近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  臺積電  FinFET  嵌入式MRAM  

          地芯科技發(fā)布全球首款基于CMOS工藝的國產(chǎn)化多頻多模線性PA

          • 5月18日,杭州地芯科技有限公司(以下簡稱:地芯科技)在上海發(fā)布了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊(MMMB PAM),它應(yīng)用于3G/4G手持設(shè)備(包括手機及其他手持移動終端)以及Cat1.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,支持的多頻段多制式應(yīng)用。本模塊還支持可編程MIPI控制。圖片來源:地芯科技CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術(shù),具有高集成度、低成本、漏電流低、導(dǎo)熱性好、設(shè)計靈活等特性,但也存在擊穿電壓低、線性度差兩大先天性
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          cmos finfet介紹

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