cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

長(zhǎng)光辰芯發(fā)布GMAX4002全局快門近紅外增強(qiáng)CMOS圖像傳感器

　　IT之家 11 月 10 日消息，長(zhǎng)光辰芯宣布推出 GMAX 系列最新產(chǎn)品- GMAX4002，進(jìn)一步豐富 GMAX 小面陣 CMOS 產(chǎn)品線，為小面陣工業(yè)相機(jī)提供更多選擇。GMAX4002 采用 4um 電荷域全局快門像素設(shè)計(jì)，有效分辨率為 2048 (H) x 1200 (V)，可以被廣泛用于定位、檢測(cè)、識(shí)別等多種視覺應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)也是讀碼器、ANPR 等應(yīng)用的理想選擇?！　〉靡嬗?4um 像素設(shè)計(jì)，GMAX4002 滿阱容量為 12 ke-，讀出噪聲小于 2.3e-，使得其最大動(dòng)態(tài)范圍為 68.
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS邏輯電路、D型鎖存器

本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是進(jìn)一步強(qiáng)化上一個(gè)實(shí)驗(yàn)活動(dòng) “ADALM2000實(shí)驗(yàn)：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級(jí)電路的經(jīng)驗(yàn)。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。背景知識(shí)為了在本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)中構(gòu)建邏輯功能，需要使用 ADALP2000 模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3對(duì)互補(bǔ)MOSFET組成
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睿感（ScioSense）推出基于CMOS-MEMS工藝的單芯片壓力傳感器

荷蘭埃因霍溫，中國(guó) 濟(jì)南，2022年11月15日——業(yè)界領(lǐng)先的環(huán)境和高精度流量和時(shí)間測(cè)量傳感芯片廠商睿感（ScioSense）今日宣布，推出采用緊湊型封裝的內(nèi)置溫度傳感器的超低功耗壓力傳感器--ENS220，可提供卓越的測(cè)量速度、分辨率和精度。 ENS220將在慕尼黑電子展（electronica，11月15-18日慕尼黑）B3.419號(hào)ScioSense展臺(tái)展出。該傳感器采用業(yè)界主流的2.0mm×2.0mm尺寸LGA封裝，適用于移動(dòng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備，如智能手表和腕帶、GPS導(dǎo)航系
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FLIR CMOS 機(jī)器視覺攝像頭使數(shù)字熒光顯微鏡變得經(jīng)濟(jì)實(shí)惠

Zaber Technologies 設(shè)計(jì)和制造經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、集成且易于使用的精確定位和運(yùn)動(dòng)控制設(shè)備，適用于光子學(xué)和光學(xué)、生命科學(xué)、顯微鏡和工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的應(yīng)用。其 MVR 電動(dòng)倒置顯微鏡是一種可連續(xù)使用，且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的顯微鏡，降低了自動(dòng)顯微成像的進(jìn)入壁壘，為研究人員節(jié)省了時(shí)間和金錢。降低壁壘Zaber 之所以能開發(fā)出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠但性能強(qiáng)大的顯微鏡，方法之一是顯著簡(jiǎn)化光程。通過取消兩個(gè)目鏡筒，僅靠 FLIR Blackfly USB3 攝像頭進(jìn)行圖像的觀察和捕獲，視覺系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員得以取消顯微鏡中
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使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能

本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對(duì)互補(bǔ)的NMOS和PMOS晶體管。使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建反相器圖1顯示了CD4007的原理圖和引腳排列。圖1. CD4007 CMOS晶體管陣列引腳排列多達(dá)三個(gè)單獨(dú)的反相器可由一個(gè)CD4007封裝陣列構(gòu)建而成。第一個(gè)配置最簡(jiǎn)單，如圖2所示，將引腳8和13連接在一起作為反相器輸出即可構(gòu)建。引腳6將作為輸入端。確保將引腳14(VDD)連接到電源，引腳7(VSS)連接到地。圖2. 三個(gè)反相器第二個(gè)反相器是通過將引腳2
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手機(jī)CMOS出貨恐年年減

受到手機(jī)需求下滑、中國(guó)品牌取消主相機(jī)景深鏡頭影響，市調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint表示，上半年手機(jī)CMOS影像傳感器出貨量比去年同期大減14％、只剩24億顆左右，雖然下半年手機(jī)CMOS出貨量有機(jī)會(huì)比上半年反彈5％～9％，然而在通膨、經(jīng)濟(jì)不景氣等影響下，預(yù)估全年出貨量仍會(huì)比去年下滑約1成，而在取消景深鏡頭已成業(yè)界共識(shí)下，明年CMOS影像傳感器出貨量恐較今年再減少。根據(jù)Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，全球智能型手機(jī)上半年出貨量為6.21億支，比去年同期下滑8.4％，然而手機(jī)CMOS影像傳感器上半年出貨量卻年
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ST和GlobalFoundries在法國(guó)Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI

意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運(yùn)營(yíng)的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計(jì)，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達(dá)62萬(wàn)片300毫米晶圓。法國(guó)東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠(yuǎn)，長(zhǎng)期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現(xiàn)FinF
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留住歷史，定格瞬間

光，是人類永恒的話題。當(dāng)80萬(wàn)年前第一團(tuán)人造火在人類中生起，劇烈的氧化反應(yīng)為闃寂的黑夜中帶來了光與熱。從此，光與暗便有了區(qū)別，人類不用在寒冷的長(zhǎng)夜中等待夜闌。光，將人類聚集在一起，它吸引人類，同時(shí)也引導(dǎo)人類，暗夜不再駭人，星空從此璀璨。不知何時(shí)，一個(gè)智人，在火光的照映下，抬頭仰望這星瀚?！拔沂钦l(shuí)，我從哪里來，又要到那里去？”他無(wú)法回答這些問題，但是在這團(tuán)微弱火光之下，他已經(jīng)邁出了人類科學(xué)的第一步——好奇與思考。 “景。光之人，煦若射，下者之人也高；高者之人也下。足蔽下光，故成景于上
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Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET

英特爾近期于美國(guó)檀香山舉行的年度VLSI國(guó)際研討會(huì)，公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫(kù)（library cell）的密度則是2倍，同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo)：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
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如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能

源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)斷隔離度定義為，開關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下，耦合到漏極的源極的信號(hào)量。本文將討論如何從關(guān)斷隔離度推導(dǎo)出COUT，以及如何通過它來更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開關(guān)的性能。這一點(diǎn)很重要，因?yàn)镃MOS開關(guān)適合
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5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測(cè)下一代半導(dǎo)體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團(tuán)在與比利時(shí)微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案，運(yùn)用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評(píng)估工藝變化對(duì)電路性能的影響。這項(xiàng)研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節(jié)點(diǎn)FinFET設(shè)計(jì)的源漏尺寸和側(cè)墻厚
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KAC-12040: CMOS 圖像傳感器，12 MP

KAC-12040 圖像傳感器是一款高速 1200 萬(wàn)像素 CMOS 圖像傳感器，為基于 4.7 μm 5T CMOS 平臺(tái)的 4/3" 光學(xué)制式。該圖像傳感器具有非?？斓膸俾?、卓越的 NIR 靈敏度以及靈活的讀取模式，且具有多個(gè)興趣區(qū) (ROI)。該讀取結(jié)構(gòu)可使用 8、4 或 2 個(gè) LVDS 輸出組，達(dá)到全分辨率每秒 70 幀的速度。每個(gè) LVDS 輸出組均有最多 8 個(gè)在 160 MHz DDR 下運(yùn)行的差分對(duì)組成，每組 320 MHz 數(shù)據(jù)速率。該像素結(jié)構(gòu)允許卷簾快門運(yùn)
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AR0331: CMOS 圖像傳感器，3 MP，1/3"

該 3.1 百萬(wàn)像素傳感器采用安森美半導(dǎo)體的 A-Pix? 技術(shù)，通過全新的 2.2 微米像素傳感器的卓越性能滿足了不斷發(fā)展的、以全高清視頻為中心的監(jiān)控市場(chǎng)的需求。AR0331 具有卓越的圖像質(zhì)量，其目標(biāo)為 1/3 英寸光學(xué)格式監(jiān)控?cái)z像頭主流市場(chǎng)。該傳感器讓監(jiān)控?cái)z像頭制造商能夠?qū)⑿阅苌?jí)到當(dāng)前的 3 百萬(wàn)像素傳感器設(shè)計(jì)，它帶有業(yè)內(nèi)最佳的功能集，將全高清視頻和寬動(dòng)態(tài)范圍 (WDR) 功能以及內(nèi)置的自適應(yīng)局部色調(diào)映射相結(jié)合。這種新型傳感器可在 60 fps 的速度下提供高達(dá) 1080p 的高清
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CMOS圖像傳感器的尺寸換算你搞懂了嗎？

如今，隨著商家的引導(dǎo)以及消費(fèi)者的實(shí)際需求，手機(jī)攝像頭的傳感器越來越大，不少高端機(jī)型的CMOS圖像傳感器（CIS）尺寸已接近1英寸。根據(jù)長(zhǎng)度換算，1英寸約等于25.4mm，不禁有人會(huì)疑惑，一個(gè)手機(jī)才幾英寸？圖像傳感器有那么大么？是不是商家在虛假宣傳？本期我們就來簡(jiǎn)單介紹一下CIS這個(gè)1英寸到底是什么？圖像傳感器尺寸是什么？一般來說，CIS的感光區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)較為規(guī)則的長(zhǎng)方體，我們說的尺寸是指感光區(qū)域?qū)蔷€的長(zhǎng)度，再將其換算為英制單位，也就是英寸。這個(gè)方式與我們計(jì)算手機(jī)尺寸類似，說的尺寸指的都是對(duì)角線的長(zhǎng)度。但是
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為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢(shì)，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼?；旧习雽?dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨(dú)立電子、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺(tái)積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì)看到一種新的突破，因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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