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          是德科技: 探討 2018 年主要技術(shù)趨勢(shì)并分享其深入的見解和預(yù)測(cè)

          •   區(qū)塊鏈壯大 – 區(qū)塊鏈?zhǔn)且环N為比特幣等加密數(shù)字貨幣提供支持的技術(shù),它正蓄勢(shì)待發(fā),在各種應(yīng)用中被廣泛采用,并因其固有安全性而使這些應(yīng)用大為受益?;趨^(qū)塊鏈的智能安全合約將在各個(gè)行業(yè)(從金融、房地產(chǎn)到教育和醫(yī)療)出現(xiàn)。即便是成熟的行業(yè)都可能開始采用這種技術(shù)經(jīng)過許可或?qū)S械淖凅w,用來驗(yàn)證是否遵從國際流程標(biāo)準(zhǔn)?! ≤浖嬲裏o處不在 – 虛擬化技術(shù)推動(dòng)了大規(guī)模聯(lián)網(wǎng)計(jì)算的變革,使得云基礎(chǔ)架構(gòu)快速興起,這些云基礎(chǔ)架構(gòu)從根本上改變了實(shí)現(xiàn)價(jià)值的方式。隨著這種趨勢(shì)在聯(lián)網(wǎng)計(jì)算環(huán)境中快
          • 關(guān)鍵字: 是德科技  CMOS   

          誰將主導(dǎo)MEMS的未來?紙還是塑料?

          • 基于塑料或紙基板的元件不像矽基元件那樣快速或精確,但其性能足以滿足短暫使用或經(jīng)常更換的消費(fèi)產(chǎn)品,以及一次性的拋棄式應(yīng)用需求。
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  

          格芯技術(shù)大會(huì)攜最新技術(shù)突出中國市場(chǎng)重要地位

          • 近日,格芯2017技術(shù)大會(huì)(GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC)于上海舉行,格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂,并精心為與會(huì)者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果,以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展,共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì),本次大會(huì)格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛,包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT,5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車解決方案智能應(yīng)用,F(xiàn)DX?、Fi
          • 關(guān)鍵字: GTC  FDSOI  FINFET  制程  

          堅(jiān)決維權(quán) Omnivision豪威科技誓捍衛(wèi)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位起訴思特威

          •   上海知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院正式受理了OmniVision?Technologies,?Inc.(以下簡(jiǎn)稱“豪威科技”或“OminiVison”)訴江蘇思特威電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“思特威”或“SmartSens”)侵害發(fā)明專利的相關(guān)訴訟。作為原告,豪威科技要求法院判令思特威公司立即停止有關(guān)SC5035型號(hào)芯片的專利侵權(quán)行為并進(jìn)行賠償。至此,CMOS制造業(yè)巨頭豪威科技正式展開了其在華針對(duì)專利侵權(quán)問題的首次維權(quán)?! martSens思特威于2011年成立,主營CMOS圖像傳感器芯片設(shè)計(jì),產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: Omnivision  CMOS  

          揭開廢棄紐扣電池的秘密

          • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級(jí),對(duì)現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來說是一項(xiàng)常見的簡(jiǎn)單應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  CR2032  德州儀器  

          所有這些干擾都是從哪里來的?

          • 所有這些干擾都是從哪里來的?-自從進(jìn)入市場(chǎng)以來,CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了極大優(yōu)勢(shì)。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 (THD+N) 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級(jí)交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級(jí)。但是,輸入級(jí)對(duì) THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電源放大器  THD  

          硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

          • 硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片,而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
          • 關(guān)鍵字: 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計(jì)  

          cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

          • cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比,基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能,讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
          • 關(guān)鍵字: cmos  憶阻器  傳感器  
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          cmos finfet介紹

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