cmos finfet 文章 進入cmos finfet技術社區(qū)
IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法,不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率,包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術來達成以上目標。 上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術,現(xiàn)在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法,采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。 IBMResearch先進功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
- 關鍵字: IBM CMOS
NRAM已準備好進軍市場?
- 美國記憶體技術開發(fā)商Nantero最近宣布進行新一輪融資,并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory,NRAM;或稱Nano-RAM),已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬美元資金,可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示,NRAM是以碳奈
- 關鍵字: NRAM,CMOS
GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設計而強化了14nm FinFET的設計架構
- GLOBALFOUNDRIES,世界先進半導體制造技術的領導者,今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術而開發(fā)的強化過的設計架構,在幫助那些采用先進工藝技術設計的客戶的進程上達到了一個關鍵里程碑。 GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence,Mentor Graphics,以及Synopsys合作開發(fā)出的新型設計流程,實現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術的PDK和早期試用標準單元庫,形成一個數(shù)字設計“入門套件”,為設計人員進行物理實
- 關鍵字: GLOBALFOUNDRIES FinFET
CMOS電容式微麥克風設計
- 隨著智能手機的興起,對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視,近年來廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(ECM),電容式微機電麥克風采用硅半導體材料制作,這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路,實現(xiàn)模擬或數(shù)字微機電麥克風元件,以及制造微型化元件,非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風的設計與制造進行介紹,并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風的差異。 電容式微麥克風原理
- 關鍵字: CMOS
如何挑選一個高速ADC
- 高速ADC的性能特性對整個信號處理鏈路的設計影響巨大。系統(tǒng)設計師在考慮ADC對基帶影響的同時,還必須考慮對射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間,評價和選擇的責任常常落在系統(tǒng)設計師身上,而系統(tǒng)設計師并不都是ADC專家。 還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時才能知道所有系統(tǒng)級結果,而此時已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號電平時的失真度。大多數(shù)無線傳輸?shù)竭_ADC的信號
- 關鍵字: ADC CMOS
cmos finfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473