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          cmos和ccd的區(qū)別

          •   導讀:大家在買相機的時候,一般都會看到有COMS鏡頭和CCD鏡頭,這倆鏡頭有什么區(qū)別嗎?他們各有的特點是什么?先讓我們看看他們的自我介紹。 cmos和ccd的區(qū)別——CCD簡介   CCD的英文全稱是“Charge-coupledDevice”,中文全稱是電行耦合元件,通常稱為CCD圖像傳感器。CCD是一種半導體器件,能夠把光學影像轉化為數字信號,CCD上植入的微小光敏物質稱作像素(Pixel),一塊CCO上包含的像素數越多,其提供的畫面分辨
          • 關鍵字: cmos  ccd  cmos和ccd的區(qū)別  

          基于ATmega32和ATmega64的經典設計匯總

          •   ATmega32和ATmega64是基于增強的AVR RISC結構的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先進的指令集以及單時鐘周期指令執(zhí)行時間,ATmega64 的數據吞吐率高達1 MIPS/MHz,從而可以緩減系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。本文介紹基于ATmega32和ATmega64的經典設計方案,供大家參考。   基于ATmega32的漏電保護器智能化測試儀的設計   本文介紹的測試儀操作簡單,解決了手動測試方法存在的測量不準確的問題,達到了自動測量的目的,可檢測在線與非在線運行的漏電保護器
          • 關鍵字: AVR  CMOS  

          16個基于ATmega16的經典設計,包括電動車、溫控系統(tǒng)、電子稱等

          •   ATmega16是基于增強的AVR RISC結構的低功耗8 位CMOS微控制器。由于其先進的指令集以及單時鐘周期指令執(zhí)行時間,ATmega16 的數據吞吐率高達1 MIPS/MHz,從而可以減緩系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。本文將基于ATmega16的經典設計方案匯總,供大家參考。   采用ATMEGA16單片機設計的兩輪自平衡電動車   本文采用AVR Atmega16芯片作為主控制芯片,設計制作了兩輪的自平衡電動車。文中分析了測量角度和角速度傳感器的選擇,利用PID控制算法控制自平衡車的平衡
          • 關鍵字: CMOS  PWM  

          汽車應用提升CMOS影像傳感器市場成長潛力

          •   根據市調公司Yole Developpement表示,隨著CMOS影像感測器在汽車應用的快速攀升,提高了對于從智慧型手機崛起轉型而來的市場成長率預期。從2014年至 2020年,全球 CMOS 影像感測器市場預計將以10.6%的年復合成長率(CAGR)成長,在2020年時達到162億美元的市場規(guī)模。        2013~2014年全球CMOS影像感測器生態(tài)系統(tǒng)經營模式變化(來源:Yole Developpement)   這表示該市場在2014年約有88.5億的市場價值,并且
          • 關鍵字: CMOS  傳感器  

          無線光通訊應用逐漸展露

          •   光學在半導體、電子、資通訊產業(yè)的運用相當廣泛,例如光電半導體的LED可做為燈號、照明;光電半導體的CCD、CMOS影像感測器可做數位相機、數位監(jiān)控,光機電微系統(tǒng)的DMD可做投影機;光電晶體、耦合器用于自動控制等。        或者是光儲存,如BD藍光光碟片;或者是光通訊,如FTTH光纖到府寬頻,而光通訊實際上又分成有線與無線,有線如光纖到府,即xPON的各種被動式光學網路;或者是大企業(yè)的資訊機房、資料中心內所用的儲存區(qū)域網路SAN;消費性電子領域,如過去Sony MD用的光學S/
          • 關鍵字: 光通訊  CCD  CMOS  

          CMOS電路中ESD保護結構的設計原理與要求

          •   ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一,嚴重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性,研究了在CMOS電路中ESD保護結構的設計原理,分析了該結構對版圖的相關要求,重點討論了在I/O電路中ESD保護結構的設計要求。   1 引言   靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧 厚度越來越薄,芯片的面積規(guī)模越來越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來越小,而外圍的
          • 關鍵字: ESD  CMOS  

          基于CPLD技術的CMOS圖像傳感器高速采集系統(tǒng)

          •   在當前圖像傳感器市場,CMOS傳感器以其低廉的價格得到越來越多消費者的青睞。在目前的應用中,多數采用軟件進行數據的讀取,但是這樣無疑會浪費指令周期,并且對于高速器件,采用軟件讀取在程序設計上、在時間配合上有一定的難度。因此,為了采集數據量大的圖像信號,本文設計一個以CPLD為核心的圖像采集系統(tǒng),實現了對OV7110CMOS圖像傳感器的高速讀取,其讀取速率可達8 Mb/s。   1、硬件電路方案   圖1為基于CPLD的OV7110CMOS圖像傳感器的高速數據采集系統(tǒng)原理框圖,他主要由2個部分組成:
          • 關鍵字: CPLD  CMOS  OV7110  

          ARM9平臺下的CMOS圖像傳感器數據采集系統(tǒng)

          •   引言   但是,目前市場上的大部分基于CMOS圖像傳感器的圖像采集系統(tǒng)都是采用DSP與圖像傳感器相連,由DSP來控制圖像傳感器,然后由DSP采集到圖像后再通過USB接口將圖像數據傳輸到PC機進行后續(xù)的處理。這樣的圖像采集系統(tǒng)成本較高,功耗大,而且體積上也有一定的限制,并不適合一些簡單的應用。   本文設計了一種基于S3C2410的CMOS圖像傳感器數據采集系統(tǒng)。該系統(tǒng)成本更為低廉、結構更為簡單、設計更為新穎。   1 CMOS圖像傳感器結構性能及工作原理   該系統(tǒng)選用OmniVision公司
          • 關鍵字: ARM9  CMOS  

          一種新型CMOS圖像傳感器的設計

          •   金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時起步的。CCD是應用在攝影攝像方面的高端技術元件,CMOS則應用于較低影像品質的產品中。由于CCD器件有光照靈敏度高、噪音低、像素小等優(yōu)點,所以在過去15年里它一直主宰著圖像傳感器市場。與之相反,CMOS圖像傳感器過去存在著像素大,信噪比小,分辨率低這些缺點,一直無法和CCD技術抗衡。但
          • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  

          基于CMOS圖像傳感器的計花器設計

          •   0 前言   織物上的疵點主要是由纖維上的花結引起的,計花器是紡織業(yè)中的一種常用設備,主要用于統(tǒng)計(或清除)紡錠上的花結,是確定纖維質量等級的主要依據。目前國產計花器主要有電容式和光電式兩種,精度較低,對高支纖維的處理較困難。本文提出利用CMOS圖像傳感器,進行纖維花結的感知,其精度可達0.02mm,完全可以滿足當前高支纖維的生產需要。   1 ME1010簡介   ME1010是一個使用方便的綜合圖像傳感器,由Microne公司采用專利結構開發(fā),旨在使其更便于與計算機產品構成一個整體。不同于傳
          • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  ME1010  

          基于USB傳輸及CMOS圖像傳感器的指紋識別儀的實現

          •   引言   CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里,體積明顯減小、功耗也大大降低,滿足了對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比,CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價格低廉等諸多優(yōu)點。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進步和完善,CMOS圖像傳感器已經廣泛應用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時作為一種PC機與外圍設備間的高速通信接口,USB具有許多突出的有點:連接簡便,可熱插拔,無需定位及運行安裝程序
          • 關鍵字: USB  CMOS  

          聯電14納米 下季試產

          •   聯電積極擴充28奈米產能,預計今年中月產能可達2萬片,28奈米毛利率將達平均水準。此外,聯電已建置月產能約3,000片的14奈米生產線,預計第2季進行第2代14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程試產,若下半年客戶產品陸續(xù)完成設計定案(tape out),明年將開始拉升產能進入量產階段。   聯電去年第4季28奈米投片大增,包括高通、聯發(fā)科等5家客戶晶片進入量產,并有逾10家客戶完成設計定案并展開試產,也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5%。聯電已積極進行擴產,預估今年中可將28奈米月產能擴
          • 關鍵字: 臺積電  三星  FinFET  

          安森美半導體推出新一代1,300萬像素CMOS圖像傳感器,具有領先業(yè)界的靈敏度

          •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor) 推出新一代1,300萬像素(MP)圖像傳感器AR1335,擴充其寬廣的圖像產品系列?;谙冗M的1.1微米(μm)像素技術,AR1335確立了靈敏度新基準,量子效率 (QE) 和線性電位井容量也得以顯著提升。這圖像傳感器專為智能手機相機應用而設計,帶來近乎數碼相機的成像優(yōu)質體驗,同時也針對移動設備優(yōu)化了功耗和占板空間。   安森美半導體為高性能智能手機傳感器開發(fā)了創(chuàng)新的 1.1 μm像素技術,先進的像素和顏色濾波陣列 (CF
          • 關鍵字: 安森美  CMOS  傳感器  

          物聯網落地促進中國半導體產業(yè)迎第二春

          •   剛剛過去的2014年,加速了全球物聯網的落地和普及,通過無線網絡進行連接已漸成主流。未來5年,全球將有超過500億個終端相互連接,進入一個全新的互聯網時代。   然而,在一直被視為“高資本行業(yè)”的整個芯片產業(yè),射頻前端芯片作為移動網絡連接的關鍵部分,卻仍舊面臨著一些挑戰(zhàn),技術良莠不齊的產業(yè)發(fā)展瓶頸亟待解決。    ?   RFaxis市場與應用工程副總裁錢永喜   據了解,目前射頻器件的主流制造材料是砷化鎵,射頻元件的成本較高,眾多廠商都希望尋找更高性價
          • 關鍵字: 物聯網  射頻  CMOS  

          GaAs過時了 CMOS工藝將主宰移動互聯網和物聯網時代

          •   “硅是上帝送給人類的禮物,整個芯片業(yè)幾乎都拿到了這份禮物,無線通信領域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時如是說。他認為傳統(tǒng)采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代“該結束”了,純CMOS工藝RF前端IC將在未來十年內主宰移動互聯網和物聯網時代。   業(yè)界對CMOS PA產品的熱情一直沒有減退。2014年6月,高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應商Black S
          • 關鍵字: CMOS  GaAs  ZigBee  
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          cmos finfet介紹

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