- 摘要：給出了一種結構簡單的低功耗振蕩器電路的設計方法，該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統(tǒng)振蕩器電路相比，該電路具有精度高、電路結構簡單以及輸出占空比可調等優(yōu)點。采用0．35 mu;m BCD工藝并利用Cad
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振蕩器電路 低功耗 RC振蕩器 CMOS
- 摘要：為了應對低功耗電路設計要求，提出了一個在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設計方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下，設計一款低噪聲放大器，并在ADS中進行前仿真。
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CMOS 放大器 LNA 201212
- 引言 隨著便攜式電子設備的廣泛使用，系統(tǒng)集成度越來越高。對于數(shù)／?；旌系钠舷到y(tǒng)中，數(shù)字電路對模擬電路的 ...
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全集成 CMOS LDO
- 今年經(jīng)濟景氣比原來預估差，使我們只得再度下修全球半導體營業(yè)額，預估今年營業(yè)額為3030億美元(8.82兆臺幣)，較2011年3100億美元衰退2.3%。從2009年后，每年全球半導體營業(yè)額皆呈成長，2012年是首次衰退，所幸2013年可望恢復成長。
2012年半導體的6大應用市場中，只有無線通訊應用市場呈現(xiàn)成長，資料處理、消費電子、工業(yè)、有線通訊以及汽車等5大應用市場，皆呈衰退。
明年將可恢復成長
資料處理是半導體最大的應用市場，PC(PersonalComputer，個人電腦)是資
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平板電腦 CMOS.DRAM
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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CMOS CCD 圖像傳感器
- 波士頓半導體設配公司 (Boston Semi Equipment, LLC)宣布整入全套 200mm CMOS 制造晶圓廠設備。此套晶圓廠設備內含超過 500 項目前還在日本用于生產(chǎn)線中的設備。此套設備目前用于 0.25 微米制程，實際上具有 0.18 微米的生產(chǎn)力。設備的重新營銷也即將開始。
擔任 Boston Semi Equipment CEO 的 Bryan Banish 說道：“這是 Boston Semi Equipment 的一次重要收購，不僅更確認并擴大我們在前段二
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LLC CMOS 200mm
- 高增長的經(jīng)濟體如巴西、印度尼西亞、印度和中國已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級和快速增長的汽車市場。這些市場要求汽車...
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CMOS 收音機IC 汽車應用
- 1. 簡介 隨著汽車安全重要性的凸顯，行車輔助系統(tǒng)（Driving Assistance System，DAS）在汽車領域的應用越來越廣泛。在這類應用中，圖視覺系統(tǒng)是必不可少的一個組成部分，其必須快速、精確地感知各種路況，進而提前預
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CMOS 動態(tài)范圍 圖像傳感器 汽車視覺
- 據(jù)物理學家組織網(wǎng)11月21日報道，研究人員一直在努力降低硅基計算組件的尺度，以滿足日益增長的小規(guī)模、低能耗計算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過控制電壓來處理電子設備內的數(shù)據(jù)。在一項新研究中，韓國、日本和英國科學家組成的科研小組僅用5個晶體管就制造出一個半加器，它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關研究報告發(fā)表在最新一期《應用物理快報》上。
研究人員稱，單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運算模塊，所有的邏輯電路都由眾多半
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半加器 晶體管 CMOS
- 摘要：基于TSMC 0.13μm CMOS工藝，設計了一種用于CMOS圖像傳感器(CIS)的快速低噪聲緩沖器。該緩沖器的面積相對較低，輸出級采用改進式AB類輸出級，不僅保證了建立速度，而且還能抑制由于電路結構不對稱而帶來的噪聲。
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CIS 緩沖器 CMOS 201211
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在轉換到3D結構，進而導致關鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關鍵元件參數(shù)對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術在先進半導
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半導體 FinFET ALD
- 核心器件:MS6335MS6863手機等便攜式電子產(chǎn)品正集成越來越多的多媒體功能，這引起了人們對增加立體聲功能...
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MCU CMOS PMP 立體聲切換
- 網(wǎng)絡高清CCD主要是索尼，CMOS傳感器芯片供應商比較多，高端的如索尼、松下，中端的如美光，中低端的如Omnivision(蘋果手機用的也是這種)。CCD和CMOS傳感器在網(wǎng)絡高清上的表現(xiàn)主要由他們不同的處理技術決定，CCD采用全
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主流 技術 CMOS 優(yōu)勢 高清 攝像機 網(wǎng)絡
- 談到高清攝像機前端問題，從推出到現(xiàn)在普遍的應用，a&s分別就IP與HD-SDI在諸多文章中舉出若干存在的障礙和問題，綜合整理大致有以下十點。前端高清攝像機的十大問題給工程商在攝像機應用選型及使用上帶來很多困惑，因為這十大問題幾乎都與高清攝像機所采用的元器組件有很大的關聯(lián)，而對于更加專業(yè)的元器件的知識，工程商實在不知該如何從高清攝像機的規(guī)格特性條件上看出端倪，從而解決相應的問題。
IP與HD-SDI前端常見的十大問題：
Sensor傳感器幀數(shù)條件差異造成高清效果差異;
DSP/
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攝像機 CMOS HD-SDI
- 聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。
聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。
聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術才能實現(xiàn)，而此
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聯(lián)電 處理器 14nm FinFET
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