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          inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

          • 臺積電最近表示,其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節(jié)點,而且可能會在2015年下半年量產(chǎn)。不過,臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ,因此,該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  FinFET   

          亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(二)

          • 3 仿真分析及具體設(shè)計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計中,一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下:主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用,一般T=RC被設(shè)計為100ns-1000ns之間,而
          • 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD  CMOS  亞微米  電路    

          亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計

          • 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計是CMOS集成電路可靠性設(shè)計的重要任務(wù)之一,其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān),隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,特征尺寸越來越小,管子的柵氧層厚度越來越
          • 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD  CMOS  亞微米  電路    

          用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計及其成像驗證

          • 摘要:在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中,除需關(guān)注其噪聲外,目前數(shù)字化也是它的一個重要的研究和設(shè)計方向,設(shè)計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit,10 Msps的流水線型ADC,并基于0.5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
          • 關(guān)鍵字: ADC  設(shè)計  及其  驗證  流水線  傳感器  噪聲  CMOS  圖像  用于  

          數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識介紹

          • 標(biāo)簽:數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號為EOS D30的專業(yè)級數(shù)碼相機(jī)后,人們對CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因為,CMOS影像傳感器過去有著信噪比小、分辨率
          • 關(guān)鍵字: 介紹  知識  傳感器  CMOS  數(shù)碼相機(jī)  

          CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標(biāo)

          • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個主要類別,都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來,CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢?評價一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標(biāo)有哪些?下面來為大家詳細(xì)說明。CCD和CMOS圖
          • 關(guān)鍵字: 性能  技術(shù)指標(biāo)  傳感器  圖像  CMOS  CCD  

          淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

          • 標(biāo)簽:CMOS CCD無論任何產(chǎn)品,品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣,而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系,CCD和CMOS也既如此?;窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
          • 關(guān)鍵字: 原理  差異  結(jié)構(gòu)  內(nèi)部  CMOS  CCD  淺析  

          基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計

          • 本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對其各單元組成電路的設(shè)計進(jìn)行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬,結(jié)果表明,鋸齒波
          • 關(guān)鍵字: CMOS  1.0  工藝  鋸齒波    

          采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計

          • O 引言  電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會導(dǎo)致漏電流
          • 關(guān)鍵字: CMOS  單相  乘法器  能量回收  

          CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

          • 未來幾年由于消費(fèi)者對傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報告消耗的電量,智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜,但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
          • 關(guān)鍵字: CMOS  數(shù)字隔離器  智能電表  中的應(yīng)用    

          基于CMOS電路的IDDQ測試電路設(shè)計

          • 引言  測試CMOS電路的方法有很多種,測試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測試,即通常所說的功能測試。功能測試可診斷出邏輯錯誤,但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路,互連橋短路
          • 關(guān)鍵字: CMOS  IDDQ  電路  測試    

          小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420

          • XC6420系列是實現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電壓  調(diào)整器IC  

          基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

          • 1 概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC),它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
          • 關(guān)鍵字: CMOS  5510  TLC  工藝    

          CMOS與CCD圖像傳感器特性對比分析

          • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
          • 關(guān)鍵字: 對比  分析  特性  傳感器  CCD  圖像  CMOS  

          CMOS圖像傳感器再見增長

          • 10年以前拍照手機(jī)盛行,加上便攜筆記本電腦和個人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機(jī),促使CMOS圖像傳感器銷售獲得巨大增長,2006年登頂,達(dá)45億美元。但隨后產(chǎn)品市場走向成熟,制造商激增,圖像傳感器特別是用于拍照手機(jī)的產(chǎn)品供過于求而陷入困境,增速不穩(wěn),起伏不定,直至2011年才重新走上增長的道路。
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  201207  
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