cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
Aptina與LFoundry攜手規(guī)劃CMOS成像未來
- Aptina宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關(guān)系,LFoundry在收購Micron的半導(dǎo)體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設(shè)備代工經(jīng)驗(yàn)與客戶至上的堅(jiān)定理念,以此來鞏固阿韋扎諾工廠與Aptina之間長久的技術(shù)合作關(guān)系。 阿韋扎諾工廠生產(chǎn)的Aptina傳感器具有業(yè)界領(lǐng)先的性能,使制造商和終端用戶能為市場的諸多成像應(yīng)用帶來差異化產(chǎn)品,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、汽車、平板電腦、電視機(jī)、游戲平臺、運(yùn)動相機(jī)、醫(yī)療設(shè)備和數(shù)碼相機(jī)。
- 關(guān)鍵字: Aptina 半導(dǎo)體 CMOS
CCD與CMOS哪個更能推動工業(yè)相機(jī)市場的發(fā)展
- 工業(yè)相機(jī)是機(jī)器視覺系統(tǒng)的核心部件,其本質(zhì)功能完成是將光信號轉(zhuǎn)變成電信號的過程,相比于普通相機(jī)來說,具有更高 ...
- 關(guān)鍵字: CCD CMOS 工業(yè)相機(jī)
一種新型的nA量級CMOS基準(zhǔn)電流源
- 基準(zhǔn)電流源是指在模擬集成電路中用來作為其他電路電流基準(zhǔn)的高精度、低溫度系數(shù)的電流源[1]。作為模擬集成...
- 關(guān)鍵字: nA量級 CMOS 基準(zhǔn)電流源
2012年第四季度的緩解并未給半導(dǎo)體制造商帶來安慰
- 盡管在第四季度出現(xiàn)了高于預(yù)期的增長,2012年對于半導(dǎo)體市場和供應(yīng)商來說仍然是慘淡的一年,前25家芯片制造商中僅有8家勉強(qiáng)維持收入增長——但是,9家芯片制造商遭受兩位數(shù)下滑。 根據(jù)信息及分析公司IHS(紐約證券交易所:IHS)的IHS iSuppli競爭格局分析工具(CLT)的最終結(jié)果,與2011年相比,2012年的全球半導(dǎo)體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發(fā)布的初步預(yù)測報告中預(yù)計(jì)下降2.3%。最終結(jié)果的適度改善來自第四季度的同比增長,該增長稍微高于預(yù)期,最高實(shí)現(xiàn)了2
- 關(guān)鍵字: LED CMOS
ARM與臺積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑
- ARM 與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布,完成首件采用 FinFET 制程技術(shù)生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進(jìn)一步提升未來行動與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能,包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運(yùn)算應(yīng)用的產(chǎn)品,此次合作展現(xiàn)了雙方在臺積公司FinFET制程技術(shù)上,共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。 藉由 ARM Artisan 實(shí)體IP、臺積電記憶體巨集以及開放創(chuàng)新平臺(Open Innov
- 關(guān)鍵字: ARM FinFET
PIC單片機(jī)學(xué)習(xí)方法
- 為了給前一段時間學(xué)習(xí)PIC16F616型單片機(jī)的一個總結(jié)和方便大家的交流,我寫了這篇關(guān)于PIC單片機(jī)的學(xué)習(xí)心得,都 ...
- 關(guān)鍵字: PIC單片機(jī) PIC16F616 CMOS
隔離技術(shù)與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應(yīng)用
- 醫(yī)療領(lǐng)域與其它領(lǐng)域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用,它必須是強(qiáng)健和可靠的,并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術(shù)的發(fā)展,更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了,如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應(yīng)器和隔離柵驅(qū)動器。
- 關(guān)鍵字: 隔離器 醫(yī)療系統(tǒng) CMOS
GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
- GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn),使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。 GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁BruceKleinman表示:“‘55n
- 關(guān)鍵字: GF CMOS
cmos finfet介紹
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