CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
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分析 技術(shù) 主要 CMOS CCD
摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計方案，使用CMOS工藝設(shè)計了兩級全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
摘要：傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案，利用二級管PN結(jié)具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
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仿真 分析 電壓 基準 CMOS
艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
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艾克賽利 CMOS
摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
圖1中電路會根據(jù)一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關(guān)至步進電壓信號發(fā)生器，一個差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個繼電器驅(qū)動器，以及一個繼電器線圈。 瞬動開關(guān)提供驅(qū)動電路的步進電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
摘要：設(shè)計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復(fù)雜補償
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穩(wěn)壓器 設(shè)計 線性 LDO 成型 CMOS 全集
摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計了一個12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時間常數(shù)匹配
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流水線 轉(zhuǎn)換器 CMOS MS 12位 一種
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應(yīng)。當平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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SOI 體硅 FinFET
7月10日，北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
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思比科 CMOS
CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎。
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Aptina CMOS
高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆，締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機芯片廣泛應(yīng)用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產(chǎn)品。
Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC，Si4700 IC重構(gòu)了消
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Silicon-Labs IC CMOS
目前，包括移動設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
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Sensor CMOS 調(diào)試 經(jīng)驗
cmos finfet介紹
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