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          MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng) 可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

          •   美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng),而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用,其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。   據(jù)IEEESpectrum報(bào)導(dǎo),光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù),雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度,因?yàn)楣饩€波長比無線電波長小10萬倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。   光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測量
          • 關(guān)鍵字: MIT  CMOS  

          MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng) 可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

          •   美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng),而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用,其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。   據(jù)IEEE Spectrum報(bào)導(dǎo),光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù),雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度,因?yàn)楣饩€波長比無線電波長小10萬倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。   光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測
          • 關(guān)鍵字: MIT  CMOS  

          設(shè)計(jì)原則:單片機(jī)硬件系統(tǒng)擴(kuò)展外設(shè)

          • 每天新產(chǎn)品 時(shí)刻新體驗(yàn)一站式電子數(shù)碼采購中心專業(yè)PCB打樣工廠,24小時(shí)加
          • 關(guān)鍵字: ROM  PCB  CMOS  

          TTL和CMOS電平的特點(diǎn)、使用方式

          •   1,TTL電平(什么是TTL電平):   輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下,一般輸出高電平是3.5v,輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8v,噪聲容限是0.4v。< p="">   特點(diǎn):   1.CMOS是場效應(yīng)管構(gòu)成,TTL為雙極晶體管構(gòu)成   2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5~15V),TTL只能在5V下工作   3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
          • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  

          關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平

          •   本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識(shí)要點(diǎn),希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。   一、TTL電平:   TTL 電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價(jià)于邏輯“1”,0V等價(jià)于邏輯“0”,這被稱做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。   TTL 電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的
          • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  

          CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

          •   一、CMOS門電路   CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法:   1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平,輸出信號(hào)就為低電平,只有全部為高電平時(shí),輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
          • 關(guān)鍵字: CMOS  TTL  

          【E問E答】CMOS和TTL集成門電路多余輸入端如何處理?

          • CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問題,即輸入端有多余的,如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作? 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法: 1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能
          • 關(guān)鍵字: CMOS  TTL  

          汽車圖像傳感器在提高行車安全和駕乘體驗(yàn)方面的應(yīng)用

          •   近年來,在政府對(duì) 汽車安全法令的貫徹和實(shí)施、消費(fèi)者 駕乘體驗(yàn)及自動(dòng)駕駛的趨勢推動(dòng)下,汽車 圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長。汽車圖像傳感有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高 行車安全的同時(shí)還提升用戶駕乘體驗(yàn),成為近年來汽車領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預(yù)測顯示,2014-2018年間汽車CMOS 傳感器市場的收入年復(fù)合增長率(CAGR)將達(dá)到28%。   汽車圖像傳感器主要應(yīng)用領(lǐng)域   汽車圖像傳感器的應(yīng)用非常廣泛,包括用于視覺應(yīng)用如倒車影像、前視、后視、俯視、全景泊車影像、車
          • 關(guān)鍵字: 圖像傳感器  CMOS   

          索尼仍是CMOS感光元件市場絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者

          •   對(duì)于消費(fèi)者而言,智能手機(jī)的拍照能力依然是決定購買的重要因素之一,這也使得手機(jī)攝像頭元件制作成為目前一個(gè)重要且快速增長的產(chǎn)業(yè)。在未來5年里,CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價(jià)值將達(dá)到190億美元。而就目前而言,索尼依然是CMOS感光元件市場的絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者。   根據(jù)調(diào)查統(tǒng)計(jì),CMOS感光元件市場在2015年總市值達(dá)到67億美元,而單單索尼就控制著其中35%的市場份額(36億美元)。而其余的競爭者都無法撼動(dòng)索尼的地位,不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

          MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

          •   在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上,自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。   比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出,雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者,但這些記憶體都存在著微縮的問題,而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。   28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長的壽命,以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
          • 關(guān)鍵字: MRAM  CMOS  

          Sony暗示iPhone相機(jī)模組被LG搶單?坦承錯(cuò)估CMOS需求

          •   Sony 24日盤后公布了因熊本強(qiáng)震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財(cái)測,而熊本強(qiáng)震雖對(duì)Sony營益帶來1,150億日?qǐng)A的影響,不過Sony仍預(yù)估今年度營益有望呈現(xiàn)增長,也帶動(dòng)Sony 25日股價(jià)大漲?! 「鶕?jù)嘉實(shí)XQ全球贏家系統(tǒng)報(bào)價(jià),截至臺(tái)北時(shí)間25日上午8點(diǎn)18分為止,Sony飆漲5.47%至3,044日?qǐng)A,稍早最高漲至3,058日?qǐng)A、創(chuàng)4月21日以來新高水準(zhǔn)?! 〔贿^全球智能手機(jī)成長減速,也對(duì)Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊,Sony也坦承嚴(yán)重錯(cuò)估了使
          • 關(guān)鍵字: Sony  CMOS  

          CCD與CMOS技術(shù),我們居然還有這么多不知道

          •   在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展,不僅由新的影像感測器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動(dòng),還由支援平臺(tái)的進(jìn)步所推動(dòng),如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天,成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見,如配線檢查、交通監(jiān)測/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像,由于影像感測器技術(shù)的進(jìn)步,使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì),審視這兩大平臺(tái)對(duì)于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測器很有幫助?! ‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代,諾貝爾獎(jiǎng)得主Boyle和Smit
          • 關(guān)鍵字: CCD  CMOS  

          如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

          •   在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí),如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法?! ∫?、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾:  1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高,總線周期特別快的系統(tǒng)?! ?、系統(tǒng)含有大功率,大電流驅(qū)動(dòng)電路,如產(chǎn)生火花的繼電器,大電流開關(guān)等?! ?、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)?! 《樵黾酉到y(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施:  1、選用頻率低的微控制器:  選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波,方波中的高頻成份比
          • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  CMOS  

          工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對(duì)比

          • 在比較CCD和CMOS技術(shù)時(shí)試圖確定一個(gè)“贏家”,但這真的對(duì)兩者都有損公正,因?yàn)槊糠N技術(shù)都是獨(dú)一無二的,提供不同的終端用戶優(yōu)勢,東西好不好要看怎么用。
          • 關(guān)鍵字: CCD  CMOS  

          模擬IC與數(shù)字IC異同

          •   處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性,可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào),都是脈沖方波?! ∧MIC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
          • 關(guān)鍵字: 模擬IC  CMOS  
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