EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cmos-ldo
cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)
微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計(jì)
- 當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主,隨著CMOS工藝及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展,微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高,通過(guò)采用專項(xiàng)技術(shù),微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能,揭開(kāi)了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對(duì)微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入,在不遠(yuǎn)的未來(lái),微光CMOS圖像傳感器的性能將達(dá)到夜視應(yīng)用要求,在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分,它的基本功能是將探測(cè)器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號(hào)處理電路
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器
風(fēng)雨欲來(lái),CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現(xiàn)
- CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng),未來(lái)則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升,預(yù)期2014~2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%。看好此一商機(jī),中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開(kāi)技術(shù)布局,期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色,眾家廠商為卡位新商機(jī),可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出,智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗,但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器
CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整,汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機(jī)浮現(xiàn)
- CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng),未來(lái)則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升,預(yù)期2014~2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%??春么艘簧虣C(jī),中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開(kāi)技術(shù)布局,期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色,眾家廠商為卡位新商機(jī),可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出,智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗,但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
- 關(guān)鍵字: 傳感器 CMOS
“中芯國(guó)際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝
- 近日,中國(guó)內(nèi)地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國(guó)際集成電路制造有限公司,與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應(yīng)商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國(guó)際無(wú)晶圓半導(dǎo)體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約,宣布共同投資中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司,開(kāi)發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國(guó)際控股,華為、imec、Qualcomm各占
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 CMOS
IBM以標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法,不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率,包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程技術(shù)來(lái)達(dá)成以上目標(biāo)。 上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù),現(xiàn)在該公司有另一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法,采用標(biāo)準(zhǔn)塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。 IBMResearch先進(jìn)功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
- 關(guān)鍵字: IBM CMOS
有關(guān)混合信號(hào)的技術(shù)方案及應(yīng)用文獻(xiàn),包括示波器、信號(hào)調(diào)節(jié)器等
- 混合信號(hào),一種說(shuō)法是未來(lái)的系統(tǒng)將是大型的混合信號(hào)系統(tǒng),它所占的比例將會(huì)增加一倍,從目前的33%到2005年的66%;另一種說(shuō)法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片,將來(lái)的ASICs會(huì)用到多達(dá)一千五百萬(wàn)個(gè)邏輯們,而類比和混合信號(hào)電路將會(huì)被留在晶片之外。 RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué) 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)混合信號(hào)IC不是件易事,尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨(dú)立的模擬和分立IC市場(chǎng),是因?yàn)槟M與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過(guò)程。模擬和RF設(shè)計(jì)一直被認(rèn)為是&l
- 關(guān)鍵字: ASICs CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展,模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能,低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻,可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法,可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng),比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出,在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字: CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)?
- 美國(guó)記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資,并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory,NRAM;或稱Nano-RAM),已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場(chǎng)上的儲(chǔ)存級(jí)記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金,可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國(guó)版編輯電話訪問(wèn)時(shí)表示,NRAM是以碳奈
- 關(guān)鍵字: NRAM,CMOS
CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)
- 隨著智能手機(jī)的興起,對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視,近年來(lái)廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM),電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作,這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路,實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件,以及制造微型化元件,非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹,并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
- 關(guān)鍵字: CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展,模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能,低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻,可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法,可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng),比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出,在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字: CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
穩(wěn)壓器工作原理
- 導(dǎo)讀:穩(wěn)壓器,顧名思義,就是穩(wěn)定電壓的器件,下面我們就一起學(xué)習(xí)一下穩(wěn)壓器的工作原理吧~~~ 1.穩(wěn)壓器工作原理--簡(jiǎn)介 穩(wěn)壓器是使輸出電壓穩(wěn)定的設(shè)備。穩(wěn)壓器是一種能自動(dòng)調(diào)整輸出電壓的供電電路或供電設(shè)備,其作用是將波動(dòng)較大和不合用電器設(shè)備要求的電源電壓穩(wěn)定在它的設(shè)定值范圍內(nèi),使各種電路或電器設(shè)備能在額定工作電壓下正常工作。所以使用穩(wěn)壓器,對(duì)用電設(shè)備特別是對(duì)電壓要求嚴(yán)格的高新科技和精密設(shè)備來(lái)說(shuō)是必不可少的。 2.穩(wěn)壓器工作原理--結(jié)構(gòu) 穩(wěn)壓器主要有調(diào)整電路、取樣電路、取樣放大以及基準(zhǔn)電
- 關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器 LDO 穩(wěn)壓器工作原理
如何挑選一個(gè)高速ADC
- 高速ADC的性能特性對(duì)整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對(duì)基帶影響的同時(shí),還必須考慮對(duì)射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間,評(píng)價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上,而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專家。 還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級(jí)結(jié)果,而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無(wú)線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無(wú)線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
- 關(guān)鍵字: ADC CMOS
10納米碳納米管CMOS器件面世
- 近日,在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下,北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比,該器件速度是其5倍,而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。 下一步,該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝,建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái),并基于該平臺(tái)開(kāi)發(fā)碳納米管CPU,最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: 碳納米管 CMOS
cmos-ldo介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條cmos-ldo!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473