cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)
具有超低噪聲 (0.8μVRMS) 和 79dB PSRR (在 1MHz) 的
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出領(lǐng)先的超低噪聲、超高電源紋波抑制 (PSRR) 低壓差電壓線性調(diào)節(jié)器 LT3042。該器件獨(dú)特的設(shè)計(jì)具有僅為 2nV/√Hz (在 10kHz) 的超低點(diǎn)噪聲和 0.8µVRMS 的積分輸出噪聲 (在 10Hz 至 100kHz 的寬帶寬內(nèi))。低頻和高頻 PSRR 性能是異常出眾。低頻 PSRR 超過 90dB (直到 10kHz)，而高頻 PSRR 則超過 75dB (直到 3MHz)，可使噪聲
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 LT3042 LDO
基于ATmega32和ATmega64的經(jīng)典設(shè)計(jì)匯總
- ATmega32和ATmega64是基于增強(qiáng)的AVR RISC結(jié)構(gòu)的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間，ATmega64 的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1 MIPS/MHz，從而可以緩減系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。本文介紹基于ATmega32和ATmega64的經(jīng)典設(shè)計(jì)方案，供大家參考。 基于ATmega32的漏電保護(hù)器智能化測試儀的設(shè)計(jì) 本文介紹的測試儀操作簡單，解決了手動(dòng)測試方法存在的測量不準(zhǔn)確的問題，達(dá)到了自動(dòng)測量的目的，可檢測在線與非在線運(yùn)行的漏電保護(hù)器
- 關(guān)鍵字： AVR CMOS
16個(gè)基于ATmega16的經(jīng)典設(shè)計(jì)，包括電動(dòng)車、溫控系統(tǒng)、電子稱等
- ATmega16是基于增強(qiáng)的AVR RISC結(jié)構(gòu)的低功耗8 位CMOS微控制器。由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間，ATmega16 的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1 MIPS/MHz，從而可以減緩系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。本文將基于ATmega16的經(jīng)典設(shè)計(jì)方案匯總，供大家參考。 采用ATMEGA16單片機(jī)設(shè)計(jì)的兩輪自平衡電動(dòng)車 本文采用AVR Atmega16芯片作為主控制芯片，設(shè)計(jì)制作了兩輪的自平衡電動(dòng)車。文中分析了測量角度和角速度傳感器的選擇，利用PID控制算法控制自平衡車的平衡
- 關(guān)鍵字： CMOS PWM
汽車應(yīng)用提升CMOS影像傳感器市場成長潛力
- 根據(jù)市調(diào)公司Yole Developpement表示，隨著CMOS影像感測器在汽車應(yīng)用的快速攀升，提高了對(duì)于從智慧型手機(jī)崛起轉(zhuǎn)型而來的市場成長率預(yù)期。從2014年至 2020年，全球 CMOS 影像感測器市場預(yù)計(jì)將以10.6%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長，在2020年時(shí)達(dá)到162億美元的市場規(guī)模。 2013～2014年全球CMOS影像感測器生態(tài)系統(tǒng)經(jīng)營模式變化(來源：Yole Developpement) 這表示該市場在2014年約有88.5億的市場價(jià)值，并且
- 關(guān)鍵字： CMOS 傳感器
無線光通訊應(yīng)用逐漸展露
- 光學(xué)在半導(dǎo)體、電子、資通訊產(chǎn)業(yè)的運(yùn)用相當(dāng)廣泛，例如光電半導(dǎo)體的LED可做為燈號(hào)、照明;光電半導(dǎo)體的CCD、CMOS影像感測器可做數(shù)位相機(jī)、數(shù)位監(jiān)控，光機(jī)電微系統(tǒng)的DMD可做投影機(jī);光電晶體、耦合器用于自動(dòng)控制等。 或者是光儲(chǔ)存，如BD藍(lán)光光碟片;或者是光通訊，如FTTH光纖到府寬頻，而光通訊實(shí)際上又分成有線與無線，有線如光纖到府，即xPON的各種被動(dòng)式光學(xué)網(wǎng)路;或者是大企業(yè)的資訊機(jī)房、資料中心內(nèi)所用的儲(chǔ)存區(qū)域網(wǎng)路SAN;消費(fèi)性電子領(lǐng)域，如過去Sony MD用的光學(xué)S/
- 關(guān)鍵字： 光通訊 CCD CMOS
CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理與要求
- ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護(hù)的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理，分析了該結(jié)構(gòu)對(duì)版圖的相關(guān)要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。 1 引言 靜電放電會(huì)給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的
- 關(guān)鍵字： ESD CMOS
基于CPLD技術(shù)的CMOS圖像傳感器高速采集系統(tǒng)
- 在當(dāng)前圖像傳感器市場，CMOS傳感器以其低廉的價(jià)格得到越來越多消費(fèi)者的青睞。在目前的應(yīng)用中，多數(shù)采用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取，但是這樣無疑會(huì)浪費(fèi)指令周期，并且對(duì)于高速器件，采用軟件讀取在程序設(shè)計(jì)上、在時(shí)間配合上有一定的難度。因此，為了采集數(shù)據(jù)量大的圖像信號(hào)，本文設(shè)計(jì)一個(gè)以CPLD為核心的圖像采集系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)OV7110CMOS圖像傳感器的高速讀取，其讀取速率可達(dá)8 Mb/s。 1、硬件電路方案 圖1為基于CPLD的OV7110CMOS圖像傳感器的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)原理框圖，他主要由2個(gè)部分組成：
- 關(guān)鍵字： CPLD CMOS OV7110
ARM9平臺(tái)下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
- 引言 但是，目前市場上的大部分基于CMOS圖像傳感器的圖像采集系統(tǒng)都是采用DSP與圖像傳感器相連，由DSP來控制圖像傳感器，然后由DSP采集到圖像后再通過USB接口將圖像數(shù)據(jù)傳輸?shù)絇C機(jī)進(jìn)行后續(xù)的處理。這樣的圖像采集系統(tǒng)成本較高，功耗大，而且體積上也有一定的限制，并不適合一些簡單的應(yīng)用。 本文設(shè)計(jì)了一種基于S3C2410的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。該系統(tǒng)成本更為低廉、結(jié)構(gòu)更為簡單、設(shè)計(jì)更為新穎。 1 CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)性能及工作原理 該系統(tǒng)選用OmniVision公司
- 關(guān)鍵字： ARM9 CMOS
一種新型CMOS圖像傳感器的設(shè)計(jì)
- 金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件，CMOS則應(yīng)用于較低影像品質(zhì)的產(chǎn)品中。由于CCD器件有光照靈敏度高、噪音低、像素小等優(yōu)點(diǎn)，所以在過去15年里它一直主宰著圖像傳感器市場。與之相反，CMOS圖像傳感器過去存在著像素大，信噪比小，分辨率低這些缺點(diǎn)，一直無法和CCD技術(shù)抗衡。但
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
基于CMOS圖像傳感器的計(jì)花器設(shè)計(jì)
- 0 前言 織物上的疵點(diǎn)主要是由纖維上的花結(jié)引起的，計(jì)花器是紡織業(yè)中的一種常用設(shè)備，主要用于統(tǒng)計(jì)(或清除)紡錠上的花結(jié)，是確定纖維質(zhì)量等級(jí)的主要依據(jù)。目前國產(chǎn)計(jì)花器主要有電容式和光電式兩種，精度較低，對(duì)高支纖維的處理較困難。本文提出利用CMOS圖像傳感器，進(jìn)行纖維花結(jié)的感知，其精度可達(dá)0.02mm，完全可以滿足當(dāng)前高支纖維的生產(chǎn)需要。 1 ME1010簡介 ME1010是一個(gè)使用方便的綜合圖像傳感器，由Microne公司采用專利結(jié)構(gòu)開發(fā)，旨在使其更便于與計(jì)算機(jī)產(chǎn)品構(gòu)成一個(gè)整體。不同于傳
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ME1010
基于USB傳輸及CMOS圖像傳感器的指紋識(shí)別儀的實(shí)現(xiàn)
- 引言 CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿足了對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價(jià)格低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進(jìn)步和完善，CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時(shí)作為一種PC機(jī)與外圍設(shè)備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點(diǎn)：連接簡便，可熱插拔，無需定位及運(yùn)行安裝程序
- 關(guān)鍵字： USB CMOS
Exar推出通用PMIC輸入電壓高達(dá)40V,適合任何FPGA，SoC或DSP
- 領(lǐng)先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門極驅(qū)動(dòng)和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過I2C總線實(shí)時(shí)監(jiān)測電源狀態(tài)，動(dòng)態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個(gè)可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時(shí)序控制，以加速電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 XRP77129使用Exar設(shè)計(jì)工具P
- 關(guān)鍵字： MOSFET SMBus LDO
安森美半導(dǎo)體推出新一代1,300萬像素CMOS圖像傳感器，具有領(lǐng)先業(yè)界的靈敏度
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出新一代1,300萬像素(MP)圖像傳感器AR1335，擴(kuò)充其寬廣的圖像產(chǎn)品系列?；谙冗M(jìn)的1.1微米(μm)像素技術(shù)，AR1335確立了靈敏度新基準(zhǔn)，量子效率 (QE) 和線性電位井容量也得以顯著提升。這圖像傳感器專為智能手機(jī)相機(jī)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，帶來近乎數(shù)碼相機(jī)的成像優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)，同時(shí)也針對(duì)移動(dòng)設(shè)備優(yōu)化了功耗和占板空間。 安森美半導(dǎo)體為高性能智能手機(jī)傳感器開發(fā)了創(chuàng)新的 1.1 μm像素技術(shù)，先進(jìn)的像素和顏色濾波陣列 (CF
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS 傳感器
物聯(lián)網(wǎng)落地促進(jìn)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎第二春
- 剛剛過去的2014年，加速了全球物聯(lián)網(wǎng)的落地和普及，通過無線網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行連接已漸成主流。未來5年，全球?qū)⒂谐^500億個(gè)終端相互連接，進(jìn)入一個(gè)全新的互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。 然而，在一直被視為“高資本行業(yè)”的整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)，射頻前端芯片作為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)連接的關(guān)鍵部分，卻仍舊面臨著一些挑戰(zhàn)，技術(shù)良莠不齊的產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸亟待解決。 ? RFaxis市場與應(yīng)用工程副總裁錢永喜 據(jù)了解，目前射頻器件的主流制造材料是砷化鎵，射頻元件的成本較高，眾多廠商都希望尋找更高性價(jià)
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) 射頻 CMOS
GaAs過時(shí)了 CMOS工藝將主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代
- “硅是上帝送給人類的禮物，整個(gè)芯片業(yè)幾乎都拿到了這份禮物，無線通信領(lǐng)域應(yīng)該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應(yīng)用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時(shí)如是說。他認(rèn)為傳統(tǒng)采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時(shí)代“該結(jié)束”了，純CMOS工藝RF前端IC將在未來十年內(nèi)主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。 業(yè)界對(duì)CMOS PA產(chǎn)品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應(yīng)商Black S
- 關(guān)鍵字： CMOS GaAs ZigBee
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