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國產(chǎn)CMOS傳感器能否攪動(dòng)圖像傳感器市場(chǎng)的一池春水？

國內(nèi)廠商要想在CMOS傳感器市場(chǎng)攪出點(diǎn)動(dòng)靜來，沒有足夠的資金和規(guī)模這根“杠桿”是非常難的，一方面，要擁有雄厚的資金支持，另一方面，則是中國半導(dǎo)體行業(yè)的通病，小而散的布局，決定了廠商的規(guī)模不會(huì)很大。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

一文讀懂視覺傳感器的工作原理、應(yīng)用和選型

　　視覺傳感技術(shù)是傳感技術(shù)七大類中的一個(gè)，視覺傳感器是指通過對(duì)攝像機(jī)拍攝到的圖像進(jìn)行圖像處理，來計(jì)算對(duì)象物的特征量(面積、重心、長(zhǎng)度、位置等)，并輸出數(shù)據(jù)和判斷結(jié)果的傳感器。視覺傳感器是整個(gè)機(jī)器視覺系統(tǒng)信息的直接來源，主要由一個(gè)或者兩個(gè)圖形傳感器組成，有時(shí)還要配以光投射器及其他輔助設(shè)備。視覺傳感器的主要功能是獲取足夠的機(jī)器視覺系統(tǒng)要處理的最原始圖像。　　視覺傳感的工作原理　　視覺源于生物界獲取外部環(huán)境信息的一種方式，是自然界生物獲取信息的最有效手段，是生物智能的核心組成之一。人類80%的信息都是依靠視覺獲
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清華發(fā)布《AI芯片技術(shù)白皮書》：新計(jì)算范式，挑戰(zhàn)馮諾依曼、CMOS瓶頸

通過《AI芯片技術(shù)白皮書》，可以清晰地看到人工智能芯片是人工智能產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交叉融合的新節(jié)點(diǎn)，涉及多個(gè)學(xué)科、多個(gè)領(lǐng)域的理論和技術(shù)基礎(chǔ)，突顯對(duì)基礎(chǔ)扎實(shí)、創(chuàng)新能力強(qiáng)的人才的需求。
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LDO基礎(chǔ)知識(shí)：噪聲 - 第2部分

　　在我的上一篇博文LDO基礎(chǔ)知識(shí)：噪聲 – 第1部分中，我探討了如何減少輸出噪聲和控制壓擺率，方法是為參考電壓(CNR/SS)并聯(lián)一個(gè)電容器。在本篇博文中，我將討論降低輸出噪聲的另一種方法：使用前饋電容(CFF)。　　什么是前饋電容?　　前饋電容是一個(gè)可選的頂容器，與電阻分壓器的上半部電阻并聯(lián)，如圖 1 所示。　　圖 1：使用前饋電容的NMOS低壓差穩(wěn)壓器(LDO)　　與降噪電容(CNR/SS)相似，添加前饋電容具有多種效果。最主要的是降噪，還包括改進(jìn)穩(wěn)定性、負(fù)荷響應(yīng)和電源抑制比(PSRR)。(應(yīng)用
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LDO基礎(chǔ)知識(shí)：噪聲 - 第1部分

　　在一篇LDO基礎(chǔ)知識(shí)博文中，我討論了使用低壓差穩(wěn)壓器(LDO)過濾因開關(guān)模式電源導(dǎo)致的紋波電壓。然而，這不是獲得凈化直流電源唯一要考慮的事情。因?yàn)長(zhǎng)DO是電子設(shè)備，它們自身也會(huì)生成一定數(shù)量的噪聲。選擇使用低噪聲LDO和采取步驟減少內(nèi)部噪聲，都可以在不損害系統(tǒng)性能的同時(shí)形成凈化電源軌的不可分割的措施?！　∽R(shí)別噪聲　　理想的LDO具備沒有交流元件的電壓軌。但缺點(diǎn)在于LDO會(huì)和其他電子設(shè)備一樣生成本體噪聲。圖 1 顯示了這種噪聲在時(shí)間域中的表現(xiàn)。　　在時(shí)間域中進(jìn)行分析是困難的。因此，有兩個(gè)主要方法來檢驗(yàn)噪聲
關(guān)鍵字： LDO TPS7A91

LDO設(shè)計(jì)中的盲區(qū)：負(fù)載調(diào)整率

　　傳統(tǒng)的DC-DC一般要求輸入輸出的壓差在2～3V以上，隨著時(shí)代的發(fā)展，這樣的條件已經(jīng)不能滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。例如在無線通信領(lǐng)域，GPRS模塊常用到的電壓是4V，經(jīng)常是通過5V轉(zhuǎn)換而來，輸入輸出的壓差需低至1V。針對(duì)這樣的情況，于是LDO(Low dropout regulator)應(yīng)運(yùn)而生?！　∠鄬?duì)DC-DC而言，LDO的優(yōu)點(diǎn)是噪音低，靜態(tài)電流小。很多DC-DC在外圍電路里還需要有電感和續(xù)流二極管，而LDO的典型電路非常簡(jiǎn)單，很多LDO只需在輸入端及輸出端各接一顆旁路電容就能夠穩(wěn)定工作，對(duì)于節(jié)省P
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CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗

　　目前，現(xiàn)有的CMOS半導(dǎo)體工藝正在逐步逼近物理極限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來十年的計(jì)算時(shí)代中，CMOS工藝很有可能被新技術(shù)取代。　　近日，英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件，這種常溫量子材質(zhì)制造的設(shè)備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv，減少5倍，能耗降低10-30倍，而且運(yùn)行速度也是CMOS工藝的5倍?！　∵@項(xiàng)技術(shù)是英特爾、加州大學(xué)伯克利分校合作的，論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上，它所用的MESO是一種鉍，鐵和氧(BiFeO3)組成的
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芯片尺寸縮小五倍！英特爾新技術(shù)設(shè)想10年內(nèi)取代CMOS

　　12月4日，英特爾在一項(xiàng)名為“自旋電子學(xué)”的技術(shù)領(lǐng)域取得了進(jìn)展，未來芯片尺寸可縮小5倍，能耗最多可降低30倍?！　∮⑻貭柡图又荽髮W(xué)伯克利分校的研究人員展示了他們的“自旋電子學(xué)”方面的研究進(jìn)展，這項(xiàng)新技術(shù)可以將未來的芯片尺寸縮小到目前的五分之一，能耗將降低10到30倍。　　一直以來，芯片都依賴著CMOS技術(shù)，但隨著元器件尺寸不斷接近原子級(jí)別大小，芯片的發(fā)展也遇到瓶頸?！　∮⑻貭柕倪@項(xiàng)研究是一種名為“磁電自旋軌道”(MESO)的邏輯元件，利用了多鐵性材料的自旋性質(zhì)，使用氧、鉍和鐵原子的晶格，提供有利的電磁
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什么是積分噪聲？第二部分

　　先前在博客《什么是LDO噪聲?第一部分》中，我們談到了什么是噪聲、如何分類，并介紹了安森美半導(dǎo)體提供的超低噪聲低壓降穩(wěn)壓器。今天，我們將進(jìn)一步詳細(xì)談?wù)勈裁词欠e分噪聲?！　》e分噪聲值由噪聲譜密度函數(shù)的積分導(dǎo)出。然而，用函數(shù)表示任何一條曲線并將其積分非常復(fù)雜。將測(cè)量曲線分割成小部分更容易。如果每部分的頻差fn+1 – fn趨于0，則所有貢獻(xiàn)之和等于函數(shù)的積分。　　在實(shí)際測(cè)量中，實(shí)現(xiàn)fn+1 – fn的零頻差是不可能的，但有可能使其接近于零。噪聲譜密度測(cè)量有多個(gè)點(diǎn)，使我們能夠獲得較好精度的積分噪聲和檢測(cè)振蕩
關(guān)鍵字：積分噪聲 LDO

三星大舉進(jìn)攻車用半導(dǎo)體押寶SoC和CMOS圖像傳感器

隨著電池、半導(dǎo)體、通信和其他支持技術(shù)的發(fā)展，這些舉措已經(jīng)成為可能，這些技術(shù)正帶來2000億美元以上的汽車電子市場(chǎng)的新增長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：三星 SoC CMOS 圖像傳感器

CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀國產(chǎn)幾近于無

　　2017年，CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor，CIS)市場(chǎng)規(guī)模為139億美元，Yole預(yù)計(jì)未來五年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)為9.4%。這主要受益于幾乎各種應(yīng)用領(lǐng)域的CMOS圖像傳感器市場(chǎng)都出現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)，尤其是手機(jī)領(lǐng)域，同比增長(zhǎng)高達(dá)20%!　　2016年和2017年CMOS圖像傳感器市場(chǎng)(按照應(yīng)用領(lǐng)域細(xì)分)　　CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)從占據(jù)42%市場(chǎng)份額的全球龍頭企業(yè)——索尼(Sony)的運(yùn)營復(fù)蘇中獲益，以較高的增長(zhǎng)速度發(fā)展，并已成為半導(dǎo)體行業(yè)中關(guān)鍵的組成部分!行業(yè)領(lǐng)先者三星(S
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自動(dòng)駕駛核心CMOS圖像傳感器誰是一哥？

　　毫無疑問，日漸火熱的自動(dòng)駕駛技術(shù)將成為過去50年來最具影響力的技術(shù)之一。自動(dòng)駕駛的實(shí)現(xiàn)，能夠挽救數(shù)百萬人的生命，釋放無數(shù)耗費(fèi)在駕駛中的時(shí)間，并有望緩解擾人的交通擁堵。盡管目前還沒有實(shí)現(xiàn)真正的自動(dòng)駕駛，但是，任何新的、有意義的進(jìn)展，都在為我們描繪那個(gè)值得期待的未來。　　當(dāng)我們談及自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的知名廠商時(shí)，可能會(huì)率先想到特斯拉(Tesla)、英偉達(dá)(NVIDIA)、甚至是英特爾(Intel)的Mobileye等曝光度較高的名字。但是，這個(gè)領(lǐng)域還有一家值得關(guān)注的企業(yè)，正通過積極的布局和穩(wěn)健的成長(zhǎng)，或?qū)⒃诓贿h(yuǎn)
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器安森美

一種高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路電源電壓較高，基準(zhǔn)電壓輸出范圍有限等問題，通過增加啟動(dòng)電路，并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路，設(shè)計(jì)了一種高精度、低溫漂、與電源無關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
關(guān)鍵字：帶隙基準(zhǔn)電壓源溫度系數(shù) 共源共柵 CMOS

智能手機(jī)AI技術(shù)賦能 CMOS市場(chǎng)迎來“新變局”

作為攝像頭模組中的一大關(guān)鍵零組件，CIS(CMOS圖像傳感器)的應(yīng)用及市場(chǎng)也迎來了新一波的“熱浪”，加速智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)“去偽存真”。
關(guān)鍵字： AI CMOS

三星CMOS芯片大漲20%，OV受益索尼“背鍋”

　　半導(dǎo)體元器件缺貨漲價(jià)潮正持續(xù)蔓延。繼MLCC、MOSFET等元器件缺貨漲價(jià)之后，手機(jī)攝像頭的關(guān)鍵器件——CMOS圖像傳感器(CIS)也頻傳供貨緊缺，開始漲價(jià)?！　I(yè)內(nèi)人士向集微網(wǎng)透露，今年下半年以來，三星、OminiVison(以下簡(jiǎn)稱“OV”)的CMOS芯片供貨緊張，部分型號(hào)的產(chǎn)品產(chǎn)能緊缺，供不應(yīng)求。　　供應(yīng)鏈廠商向集微網(wǎng)記者透露，目前三星已經(jīng)正式向其代理商發(fā)布漲價(jià)通知，從8月份開始，三星CMOS芯片價(jià)格漲幅5-20%，現(xiàn)已開始執(zhí)行。　　CMOS芯片為什么會(huì)缺貨?　　眾所周知，全球CMOS傳感器(C
關(guān)鍵字：三星 CMOS 芯片