coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區(qū)
專為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計的MOSFET—TOLT封裝
- 近年來,工業(yè)應(yīng)用對MOSFET 的需求越來越高。從機(jī)械解決方案和更苛刻的應(yīng)用條件都要求半導(dǎo)體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝(插件)到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD),再到最新的無引腳封裝,以及內(nèi)部硅技術(shù)的顯著改進(jìn),MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展,以更好地滿足工業(yè)市場新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關(guān)鍵特性,主要優(yōu)勢和應(yīng)用目標(biāo)應(yīng)用市場英飛凌公司的 TOLT(JEDEC:HDSOP-16),封裝OptiMOS? 5 功率
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸、超低功耗的MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。近年來,隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展,設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長趨勢,電池尺寸的增加,導(dǎo)致元器件的安裝空間越來越少。另外,電池的尺寸增加也是有限制的,為了更有效地利用有限的電池電量,就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求,開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
- 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域,富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗,落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考,并期待與您進(jìn)一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅(qū)動電壓,以及SiC器件驅(qū)動設(shè)計中的寄生導(dǎo)通問題。本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時
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通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
- 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設(shè)計人員現(xiàn)在有機(jī)會在提高性能的同時,應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
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RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內(nèi)市場空白
- 現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內(nèi)該項系列產(chǎn)品的市場空白,瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)計,研發(fā)出電壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。一、破局進(jìn)口品牌壟斷現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內(nèi)該項系列產(chǎn)品的市場空白,瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)
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單芯片驅(qū)動器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統(tǒng)設(shè)計
- 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET(DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。隨著技術(shù)的進(jìn)步,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域,推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率,高
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安森美:聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建,推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日,安森美公布了2022年第三季度業(yè)績,其三季度業(yè)績直線上揚,總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財報數(shù)據(jù)顯示,其三大業(yè)務(wù)中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業(yè)務(wù)全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域,從傳統(tǒng)的I
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產(chǎn)品組合,推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合,非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用,包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。 多年來,Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗結(jié)合起來,增強(qiáng)器件中關(guān)鍵MOSFET的性能,滿足特定應(yīng)用的要求,以打造市場領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來,針對電池隔離(BMS)、直流
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安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET
- 2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出新系列MOSFET器件,采用創(chuàng)新的頂部冷卻,幫助設(shè)計人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用,特別是電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上,而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板(以下簡稱“PCB”)散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面,減少PCB發(fā)熱,從而提高功率密度
- 關(guān)鍵字: 安森美 Top Cool封裝 MOSFET
如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計以提高性能和能效
- 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛,已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運而生。在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛,已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
- SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體器件,在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中,優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中,SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求,實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品,其最大亮點是全SiC MOSFET模塊,不同于只用SiC SBD(肖
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英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統(tǒng)和燃料電池提供CoolSiC?功率器件
- 【2022年10月26日,德國慕尼黑訊】當(dāng)前的能源危機(jī)充分表明,全球迫切需要尋找替代能源來構(gòu)建氣候友好型的能源供應(yīng)能力。近日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司(Bloom Energy)選中,用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器(Bloom’s Energy Server)以及布魯姆電解系統(tǒng)(Bloom Electrolyzer)中的功率變換。??布魯姆能源
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 布魯姆能源公司 電解系統(tǒng) 燃料電池 CoolSiC 功率器件
認(rèn)識線性功率MOSFET
- 本文針對MOSFET的運作模式,組件方案,以及其應(yīng)用范例進(jìn)行說明,剖析標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的基本原理、應(yīng)用優(yōu)勢,與方案選擇的應(yīng)用思考。線性MOSFET是線性模式應(yīng)用時最合適的選擇,能夠確??煽康倪\作。然而,用于線性模式應(yīng)用時,標(biāo)準(zhǔn)MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩(wěn)定性,從而可能導(dǎo)致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達(dá)控制或電子負(fù)載等線性模式應(yīng)用,都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內(nèi)運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下,高電壓和高
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電源系統(tǒng)設(shè)計優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動器+MOSFET(DrMOS)
- 現(xiàn)階段,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,令這些器件所需功率急劇增加,直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求:一是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率)升級,為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度;另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升,高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認(rèn)的解決方案,是將先進(jìn)的開關(guān)MOSFET(穩(wěn)壓器的主要組成部分)及其相應(yīng)的驅(qū)動器集成到單個芯片中并采用高級封裝,從而實現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對這
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科普:MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
- MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產(chǎn)生電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應(yīng)管。市面上大家所說的功率場效應(yīng)晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
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