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          SiC MOSFET的短溝道效應

          • Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET,盡
          • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率

          • 優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源,減少熱量產(chǎn)生,還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比,以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡化電路。圖 1:具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時,如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內(nèi)阻以獲得最佳效率,這對電源工程師來說是一項挑戰(zhàn)。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
          • 關鍵字: MPS  MOSFET  

          ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

          • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
          • 關鍵字: ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊   

          Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

          • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET),該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝,且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化,可在175°C下工作,適用于先進的電信和計算設備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識,Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE(100 V,2.3 m N溝道ASFET)作為其產(chǎn)品組合中的首選,
          • 關鍵字: Nexperia  SMD  銅夾片  LFPAK88  MOSFET  

          [向?qū)捊麕а葸M]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

          • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會引發(fā)不良的導電性泄漏,且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率,相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用,而且在汽車
          • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

          碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發(fā)

          • 據(jù)報道,近年來,光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國KATEK集團宣布,其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體,以提高效率,同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術,可以在高溫和高速下運行,壽命最多可延長3倍,適用于大功率和快速上市的應用。1月13日,美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
          • 關鍵字: SiC MOSFET  

          使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

          • 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此,通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過流限制器,以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中,甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中,還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下,無需額外的限流器模塊。不過,也有許多應
          • 關鍵字: ADI  MOSFET  

          Ameya360:平面MOSFET與超級結MOSFET區(qū)別

          • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上,根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍??梢钥闯?,Si-MOSFET在這個比較中,導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET,但在低~中功率條件
          • 關鍵字: MOSFET  超級結MOSFET  

          FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

          • 2023 年,半導體和電子元件價格正在穩(wěn)定,但仍有部分產(chǎn)品短缺。
          • 關鍵字: FPGA  MOSFET  

          詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

          • 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD),包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力,同時尺寸較小,從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力,但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架(包括裸露漏極焊盤)直接焊接到覆銅區(qū),這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中,僅能通過空氣對流來散熱。因此,熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性:覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
          • 關鍵字: 安森美  MOSFET  

          銀河微電:功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術量產(chǎn)

          • 銀河微電12月20日在互動平臺表示,功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術的量產(chǎn);IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn),未來將根據(jù)市場情況逐步系列化;DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證,性能指標符合開發(fā)目標要求;CSP0603封裝已完成技術開發(fā),未來芯片線改擴建時將進行成果轉(zhuǎn)化。
          • 關鍵字: 銀河微電  MOSFET  

          功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南

          • _____“?動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應用和學術研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關工作的必備一環(huán),主要采用雙脈沖測試進行?!卑凑毡粶y器件的封裝類型,功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來,針對功率模塊的測試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場份額,針對分立器件的測試系統(tǒng)需求較少,選擇也很局限。隨著我國功率器件國產(chǎn)化進程加快,功率器件廠商和系統(tǒng)應用企業(yè)也越來越重視功率器件動態(tài)參數(shù)測試,特別是針對分立器件的測試系統(tǒng)提出了越來越多
          • 關鍵字: MOSFET  

          功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識

          • 高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢,高頻工作導致功率元件開關損耗增加,因此要使用軟開關技術,保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開關損耗,提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢,高頻工作導致功率元件開關損耗增加,因此要使用軟開關技術,保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開關損耗,提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開關損耗有2個產(chǎn)生因素:1)開關過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時,電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開關損耗。其中,米勒電容導致的米勒平臺時間,在開關損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
          • 關鍵字: MOSFET  ZVS  

          高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

          • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢,在高壓應用領域需求廣泛,具有巨大的研究價值?;仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術進展,總結了進一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結構,介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現(xiàn)狀,對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
          • 關鍵字: SiC  MOSFET  

          東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設備對更大電流的需求

          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。近年來,隨著社會對電動汽車需求的增長,產(chǎn)業(yè)對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝,支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結構,通過引入一個銅夾片將源極連接件和外
          • 關鍵字: 東芝  MOSFET  
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