coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區(qū)
為計算應(yīng)用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)
- 功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項強(qiáng)制要求。在某些消費(fèi)應(yīng)用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下進(jìn)行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用為控制線路頻率而設(shè)計的無源元件實現(xiàn)校正目 的。但在高功率下，無源解決方案會變得相當(dāng)“笨重”而昂 貴；使用高開關(guān)頻率有源器件可減小所需無源元件的尺寸。 有源PFC的標(biāo)準(zhǔn)實現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換 器。盡管新式拓?fù)湔饾u獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對其進(jìn)行進(jìn)一步
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東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET?！癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動設(shè)備的備用電源以及LED照明燈
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴(kuò)大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容?！癠-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動?！ ‰S著快速充電器的普及和發(fā)展，市場需要更高性能的用于次級側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)
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采用ST F7 LV MOSFET技術(shù)的單片肖特基二極管:提高應(yīng)用性能
- 摘要–當(dāng)一個功率MOSFET管被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流管時，體漏二極管的特性以及品質(zhì)因數(shù)將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr 數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時，集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色?！ .前言 在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon 和 Qg 兩個參數(shù)并不是對功率MOSFET管的唯一要求，實際上，本征體漏二極管的動態(tài)特性對MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
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日研究團(tuán)隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
- 日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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意法半導(dǎo)體下一代高達(dá)100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)擴(kuò)大其SLLIMM? nano系列電機(jī)驅(qū)動智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應(yīng)用總體尺寸最小化和設(shè)計復(fù)雜性最低化的多種可選封裝外，新產(chǎn)品還集成更多的實用功能和更高能效的最新的500V MOSFET?！ ⌒翴PM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)最高功率100W的電機(jī)驅(qū)動市場，例如冰箱壓縮機(jī)、洗衣機(jī)或洗碗機(jī)的電機(jī)、排水泵、循環(huán)水泵、風(fēng)扇電機(jī)、以及硬開關(guān)電路內(nèi)工作頻率小
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8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等
- 噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。 附加相位噪聲測試技術(shù)及注意事項 本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義?！ ∮糜?G-LTE頻段噪聲測試
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MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設(shè)計考慮因素和實驗結(jié)果
- 摘要 – 近幾年來，開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動下，設(shè)計人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹WM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓?fù)?，能夠在大功率條件下達(dá)取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性?！ ?. 前言 零壓開關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場定位包括電信設(shè)備電源、大型計算機(jī)或服務(wù)器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O(shè)備。要想實現(xiàn)這個目標(biāo)，就必須最大限度降低功率損耗和無功功率
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MOSFET驅(qū)動及工作區(qū)的問題分析
- 問題1：最近，我們公司的技術(shù)專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動電壓過高，會導(dǎo)致電路過載時，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅(qū)動電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么? 問題分析： 系統(tǒng)短路的時候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實有一定的效果。然后，降低驅(qū)動電壓，正常工作時候，RDSON會增大，系統(tǒng)效率會降低，MOSFET的溫度會升高，
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淺談MOSFET驅(qū)動電路
- MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。 在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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功率器件心得——功率MOSFET心得
- 功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)?！ 」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
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意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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關(guān)于MOS管失效，說白了就這六大原因
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 目前在市場應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機(jī)主板、NB、
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