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          東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

          •   東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列,新系列減少了76%的導通電阻,實現(xiàn)業(yè)界頂級的低導通電阻[1]。此外,它還減少了Qoss[2]的增加,從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。   注:   ·[1]截至2014年11月4日。東芝調查。   ·[2]Qoss:輸出電荷。   主要特性   &m
          • 關鍵字: 東芝  MOSFET  低導通電阻  

          IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

          •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能,使其可用于更低功率的緊湊型設計,適合12V輸入DC-DC同步降壓應用,包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。       
          • 關鍵字: 國際整流器  MOSFET  DC-DC  

          聯(lián)電明年產能 搶購一空

          •   8寸晶圓代工產能卡位戰(zhàn)提前啟動,法人指出,聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅動IC,以及電源管理IC客戶搶購一空,明年將成為8寸晶圓代工大贏家。   過往8寸晶圓廠主要生產LCD驅動IC、電源管理芯片等產品,隨著蘋果新機導入指紋辨識芯片,非蘋陣營明年全面跟進,相關芯片廠也開始卡位8寸晶圓產能,造就市場榮景。   此外,原以6寸生產金屬化合物半導體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力,相繼轉入8寸廠生產,讓8寸晶圓廠產能更為吃緊。   包括指紋辨識芯片、LCD驅動IC及電源管理芯片三大半
          • 關鍵字: 聯(lián)電  MOSFET  LCD  

          42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構,整合了擴展頻譜調制,即使開關頻率超過 2MHz 時,依然能夠將 EMI / EMC 輻射降低超過 25dB,從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關頻率為 2MHz 時可提供高達 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
          • 關鍵字: 凌力爾特  LT8640  MOSFET  

          易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案,并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標準,規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當面對 MIL-STD-1275D 中嚴格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時,DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應用而言,要滿足該標準就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
          • 關鍵字: 凌力爾特  DC2150A  MOSFET  

          IR的電池保護MOSFET系列為移動應用提供具有成本效益的靈活解決方案

          •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件,包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。        全新功率MOSFET具有極低的導通電阻,可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高柵極驅動從12 Vgs起,非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD
          • 關鍵字: IR  MOSFET  IRL6297SD  

          意法半導體(ST)的新650V超結MOSFET提升能效和安全系數(shù)

          •   意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)的最新超結 (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求,同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。   MDmesh M2系列產品擁有最新最先進的超結晶體管技術,取得了比上一代產品更低的導通電阻 (RDS(ON)),以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外,這些產品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  PowerFLAT  

          意法半導體(ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器成功登陸彗星

          •   橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號和菲萊號內有10,000余顆意法半導體研制的高可靠性抗輻射芯片。   在歷經10多年,長達60億公里的漫長太空之旅后,羅塞塔號彗星探測器終于抵達并成功釋放菲萊號登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星,菲萊號登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片,并分析彗星
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

          單相正弦波逆變電源

          •   摘要:本系統(tǒng)實現(xiàn)輸入直流電壓15V,輸出交流電壓有效值10V,額定功率10W,交流電壓頻率在20至100Hz可步進調整。以MSP430單片機為控制核心,產生SPWM波控制全橋電路,然后經過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負載調整率低于1%,采用開關電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達到90%,采用輸入電流前饋法來估計輸出電流以實現(xiàn)過流保護以及自恢復功能。   引言   本次競賽為全封閉式,不準利用網上資源,要求參賽隊在兩天時間內完成題
          • 關鍵字: 正弦波  MSP430  單片機  SPWM  MOSFET  201412  

          基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設計

          •   引言   在照明技術中,電子節(jié)能燈已經日益成為人們的首選,因為其應用范圍廣,節(jié)能環(huán)保性能好,是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中,我國為了推廣電子節(jié)能燈的應用,采取了財政補貼政策,就像家電下鄉(xiāng)一樣,惠及全國百姓和消費者。   所謂電子節(jié)能燈,主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的,安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對鎮(zhèn)流器的基本要求是:電路盡可能簡單,元件數(shù)量少,成本低,性能穩(wěn)定,安全可靠,使用壽命長。本文以飛兆半導體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
          • 關鍵字: FAN7710V  電子鎮(zhèn)流器  MOSFET  

          大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計

          •   大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中,其寬頻帶、大功率的產生技術是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關鍵的技術。隨著現(xiàn)代無線通訊技術的發(fā)展,寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態(tài)線性功率放大器設計提出了更高的要求,即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。   通常情況下,在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放,采用場效應管(FET)設計要比使用常規(guī)功率晶體管設計方便簡單,正是基于場效應管輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏
          • 關鍵字: 功率放大器  MOSFET  

          同步整流技術DC-DC模塊電源

          •   1、 概述        2、 基本同步整流電路   如圖1所示電路,其副邊為基本同步整流電路,關鍵波形見圖2。當原邊主開關管Q1開通時,通過變壓器T1向副邊傳輸能量,副邊工作在整流狀態(tài),此時SR1的Vgs電壓為變壓器副邊繞組電壓,極性為正,SR2的Vgs電壓為零,因而SR1導通,SR2關斷;當原邊主開關管Q1關斷時,變壓器T1原邊繞組的勵磁電流和負載電流流經C1,C1上的電壓開始上升,當C1電壓升至Vin時,原邊繞組中的負載電流下降為0,在勵磁電流的作用下原邊勵磁電感Lm與電容
          • 關鍵字: DC-DC  整流  MOSFET  

          你造嗎? 四大MOSFET實用技巧

          •   MOSFET是一個時代產物,隨著MOSFET技術的進展,特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn),它的開關速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經成為工程師們的首選。   在EEPW論壇呆久了,看了好多網友問起MOS管的事情,有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉,今天有空給大家說幾個關于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。   為了把問題說的明白些,還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。   MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道
          • 關鍵字: MOSFET  MOS  

          英飛凌推出基于ARM內核的嵌入式功率系列 (Embedded Power IC),以用于汽車應用的智能電機控制

          •   英飛凌科技股份有限公司 今日宣布,基于ARM®內核的嵌入式功率系列橋式驅動器提供無以倫比的集成水平,以應對智能電機控制在廣泛的汽車應用中日益增長的趨勢。英飛凌利用ARM® Cortex™-M3處理器以及非易失存儲器、模擬和混合信號外設、通信接口連同 MOSFET 柵極驅動器,將高性能微控制器集成到單芯片上,可謂業(yè)內首創(chuàng)。因此,英飛凌嵌入式功率系列為通常與16 位相關的應用空間實現(xiàn)了 32 位的性能。目前提供的嵌入式功率系列第一批產品的樣品適用于采用三相(無刷直流)電機的TL
          • 關鍵字: 英飛凌  ARM  MOSFET   

          IR針對工業(yè)應用擴充StrongIRFET系列新推出具有超低導通電阻的表面貼裝75V MOSFET

          •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出75V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列,適合多種工業(yè)應用,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關電源 (SMPS) 二次側同步整流等應用。   全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應用性能的超低導通電阻 (RDS(on))、極高的載流能力、軟體二極管,以及有助于提高抗噪性的3
          • 關鍵字: 國際整流器  MOSFET  IRFS7730-7P  
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