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OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷
- 英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設(shè)計和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 更環(huán)保的技術(shù) 英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
東芝推出適用于移動設(shè)備中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動。 新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
微芯有刷直流電機(jī)控制方案
- 有刷直流電機(jī)通過電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動器
被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS
- 看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)，來理解這個參數(shù)所設(shè)定的含義。 數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問題
- 關(guān)鍵字： MOSFET BVDSS
Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列
- Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。 SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設(shè)計。 Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)
- 英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)洌@種拓?fù)涑Ｒ娪谶m配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。 800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計
- H橋功率驅(qū)動電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動。永磁步
- 關(guān)鍵字： 步進(jìn)電機(jī) MOSFET 驅(qū)動設(shè)計
意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。 電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓
- 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈?，院子更寬敞。同樣，?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計時，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。 直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET 封裝
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