<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

UWB - 智能物聯(lián)的未來之星，你怎么看他？低功耗Wi-Fi解決方案在智能家居的應(yīng)用和發(fā)展結(jié)合超寬帶測距和雷達功能以實現(xiàn)高級IoT應(yīng)用來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>>

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> coolsic mosfet

coolsic mosfet 文章進入coolsic mosfet技術(shù)社區(qū)

工程師該如何選擇電源？

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：供電處理器凌力爾特 MOSFET 均流控制器二極管

基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關(guān)電源的方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET TVS串聯(lián) 三相開關(guān)電源 ICE3AR2280JZ

同步正向 MOSFET 驅(qū)動器無需信號變壓器

??　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅(qū)動器?LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預(yù)測模式，通過在副邊檢測信號以控制同步整流，無需信號變壓器實現(xiàn)原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數(shù)量和解決方案尺寸?！　T8311?在?3.7V?至?30V
關(guān)鍵字：凌力爾 MOSFET LT8311

Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm?x?2mm?！　?/li>
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA936EDJ

德州儀器面向大電流電機控制及電源設(shè)計推出40V至100V NexFET? MOSFET

　　德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET，其支持?40V?至?100V?輸入電壓，進一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產(chǎn)品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
關(guān)鍵字： TI TO-220 MOSFET NexFET

76V、?1A 降壓型轉(zhuǎn)換器靜態(tài)電流僅為12μA

　　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉(zhuǎn)換器?LTC3637，該器件可提供高達?1A?的連續(xù)輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內(nèi)工作，非常適用于電信、工業(yè)、航空電子和汽車應(yīng)用。LTC3637?運用可編程峰值電流模式設(shè)計，在很寬的輸出電流范圍內(nèi)優(yōu)化效率。該器件提供高達&nbs
關(guān)鍵字： Linear LTC3637 MOSFET

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器

　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?！　〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
關(guān)鍵字： Vishay IGBT MOSFET VOW3120

英飛凌推出針對體二極管硬式整流進行了優(yōu)化的快速二極管

　　英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD，進一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對體二極管硬式整流進行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復(fù)損耗，有助于實現(xiàn)最可靠的系統(tǒng)，特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中，如通訊系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電機控制(適用于48–110V系統(tǒng))和直流/交流逆變器等?！　√岣呖煽啃?，同時節(jié)省成本　　OptiMOS?FD家族具備針對最高性能標(biāo)準(zhǔn)而優(yōu)化的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。相比標(biāo)
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS MOSFET

凌力爾特推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動器 LT8309

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動器 LT8309，該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管，無需使用散熱器就可允許高達 10A 的輸出電流。
關(guān)鍵字：凌力爾特 LT8309 MOSFET

下一代晶體管技術(shù)何去何從

電子技術(shù)發(fā)展至今，主要在拼什么？功耗、成本、快速性成為很多公司對外宣傳的殺手锏，那么在這個速食的時代，下一代晶體管技術(shù)又將何去何從呢？
關(guān)鍵字： MOSFET 晶體管

凌力爾特推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器

2014 年 2 月 19 日，凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器 LTC3784，該器件采用高效率 N 溝道 MOSFET 取代了整流升壓二極管。
關(guān)鍵字：凌力爾特 LTC3784 DC/DC MOSFET

模擬電子—從放大器說起（四）：反饋

在了解了三極管/MOSFET的原理之后，就可以涉及具體的電路來放大信號了。但是剛一拿起鉛筆和稿紙就發(fā)現(xiàn)一個非?，F(xiàn)實的問題那就是三極管或者是MOSFET的放大倍數(shù)都不是那么穩(wěn)定的，例如說三極管的電流增益Beta就是受到工藝影響非常大的一個指標(biāo)，如果我們要對信號進行非常精準(zhǔn)的放大僅僅依靠三極管的原生放大倍數(shù)肯定是不行的。
關(guān)鍵字：三極管 MOSFET 放大器電路增益

飛兆全新中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

2014年2月13日，許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET，在尺寸減小的同時可實現(xiàn)卓越的開關(guān)速度和功耗性能。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si7157DP

省毫瓦以增里程；提升汽車CAN總線能效以增強燃油經(jīng)濟性

對于傳統(tǒng)乘用車而言，油箱是唯一的實際能源來源，故制造商們尋求在包括電子系統(tǒng)在內(nèi)的所有汽車系統(tǒng)中節(jié)能，以進一步改善燃油經(jīng)濟性及二氧化碳(CO2)排放。隨著汽車中增添的電子系統(tǒng)的數(shù)量不斷增多，以增強汽車性能及安全性，并為購買者提供有吸引力的新功能，汽車中每個電子控制單元(ECU)的節(jié)能效果較低的話，就會使總油耗大幅增加。
關(guān)鍵字： CAN SBC MOSFET 轉(zhuǎn)換器 ECU

共1270條 42/85 |‹ « 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 » ›|

coolsic mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條coolsic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

coolsic mosfet電路

12W場效應(yīng)管音頻放大器電路圖
基于FET的100W音頻放大器電路圖
圖騰柱無橋PFC電路的工作原理及仿真分析
一文詳解同步與非同步Buck電源

coolsic mosfet相關(guān)帖子

從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS
MOSFET耗盡型和增強型兩種類型原理介紹
MOSFET廠商匯總
深入理解MOSFET規(guī)格書datasheet
WAYON維安工程師筆記MOSFET驅(qū)動振蕩那些事
MOSFET應(yīng)用解析：柵極驅(qū)動振蕩，如何解決？
開關(guān)電源中MOSFET失效案例分析
[模擬電子技術(shù)]―MOSFET總結(jié)（1）

coolsic mosfet資料下載

英飛凌400 V CoolSiC Inverter產(chǎn)品介紹
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應(yīng)用介紹
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品綜述
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務(wù)器的應(yīng)用指南
TOSHIBA東芝TPH1500CNH產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
TOSHIBA東芝TPN11003NL產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
Toshiba東芝TPH3R704PC MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書
WAYON維安工程師筆記 MOSFET 驅(qū)動振蕩那些事

coolsic mosfet專欄文章

熱門主題

樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();