- 南韓皮革供貨商Uni-chem Co. 26日在接受專訪時表示，該公司將斥資5,000萬美元買下南韓內存芯片大廠Hynix Semiconductor Inc.位于美國奧勒岡州猶吉尼市已停止運作的DRAM廠。根據報導，Uni-chem計劃利用該座廠房生產太陽能電池，以便開拓新事業(yè)。Uni-chem主要供應皮革給現代汽車、起亞汽車以及Burberry、Coach等豪華精品商。
根據報導，Uni-chem甫于2009年8月收購太陽能電池企業(yè)Spire Corp.子公司Spire Solar Syst
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Hynix DRAM 晶圓
- 英特爾在2005年1月17日重組的4年之后，于2009年9月14日再次對其組織架構大刀闊斧地進行了重組。
坊間著實對此熱議了一陣。從這些文章的標題看，有就事論事說主要產品部門整合到英特爾架構事業(yè)部的，也有說重組是為了給CEO歐德寧騰出時間專注企業(yè)戰(zhàn)略的，還有說是因為中國讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的，而筆者發(fā)現最多而又最離譜的文章標題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準備》。
西方現代管理制度強調的是因事用人，而因人設事最為忌諱。事實上，英特爾自創(chuàng)始以來，從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現
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英特爾 CPU 存儲器 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
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Samsung DRAM NAND
- 臺灣創(chuàng)新內存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經濟部”，與新任“經濟部”長施顏祥見面，爭取TMC營運資金。據了解，TMC規(guī)劃，政府注資金額低于100億元(新臺幣，下同)，由于金額遠低于官方與業(yè)界原預期，一般認為TMC將可如愿獲得政府注資，正式邁入營運。
DRAM現貨價直逼2美元，DRAM廠即將邁入轉盈之際，TMC仍然積極運作。施顏祥先前擔任經濟部常務次長時，便負責協助TMC籌劃與溝通等重要工作，與宣明智互動密切。這是施顏祥就任“
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TMC DRAM
- 臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預期早，國內DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導體將在明年把40納米推升為生產線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。
由于DDR2過渡至DDR3面臨產能轉換的瓶頸期，導致DDR3產能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內存模塊廠預測，今年第四季底，DDR2現貨價才有機會達到2美元，但根據集邦科技報
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南科 50納米 40納米 DRAM
- DRAM大廠南亞科再度宣布籌資計畫，預計辦理8億股的現金增資，籌措資金新臺幣百億元，用途在于買3廠的機器設備和償還到期公司債，目前南亞科積極轉換制程到美光(Micron)68奈米制程，約有20~25%產能比重已轉換過去，10月目標是80%產能都轉到68奈米，為未來主力制程50 奈米做暖身，南亞科將挾持臺塑集團的銀彈和美光的技術，成為臺系DRAM廠聚焦之處。
南亞科在6月發(fā)行10億股的私募，當時由臺塑集團相關企業(yè)出面認購，募得資金約新臺幣122.2億元資金，南亞科24日再度宣布將辦理8億股的現金增
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南亞科 DRAM 晶圓
- 全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導體業(yè)已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態(tài)度。
三星電子半導體部門總裁權五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業(yè)現發(fā)展情況優(yōu)于公司當初預期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預估歐美感恩節(jié)假期時，將是銷售情況的轉折點。”
感恩節(jié)假期在美國落在11月，加拿大則為10月。
權五鉉另表示，目
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Samsung 內存芯片 DRAM
- “2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產保護而進行的戰(zhàn)略調整。
Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM NOR
- 分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預料的結果。
IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。
“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。”
資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
- 據外電報道，曉星集團表示了收購海力士半導體的意向。
海力士股份管理協商會主管機構的外換銀行表示，在受理海力士收購意向書(L01)截止的最后一天，只有一家企業(yè)提交了意向書。據了解，這家企業(yè)是曉星集團。
外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括：公平交易委員會指定的企業(yè)集團當中，去年資產總額達到5萬億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團中，資產總額達2萬億韓元以上的14家企業(yè)。
當初估計，國內至少會有4、5家企業(yè)會對收購海力士有興
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海力士 DRAM 存儲芯片
- 據報道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺北舉行的三星年度移動解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應短缺現狀。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預計，導致了DDR3供應短缺。不過三星目前已經加大了DDR3芯片生產量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產的主要處理技術。
Oh-Hyun Kwon認為，提高產量的方法并不只是多建幾家工廠，技術升級將是三星以后提高芯片產量的主要途徑。
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三星 40nm DRAM DDR3
- Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關，不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內存帶寬的技術“線程式內存條技術”(Threaded memory module)。這種技術基于現有的DDR3技術，不過將內存條上的內存芯片進行了分塊處理，位于各個分塊內部的芯片共享一個命令/地址端口，不過數據傳 輸部分則可通過各自獨立的傳輸通道進行傳輸，傳輸的位寬可達64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統DDR3內存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術
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Rambus DRAM DDR3
- 據國外媒體報道，三星電子芯片部門總裁權五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢好于公司原來預期，因此三星電子正在提高芯片產量以滿足市場需求。
權五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫存以及政府的經濟刺激政策。
在臺北的新聞發(fā)布會上，權五鉉舉例道個人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強勁。三星電子正在臺北舉行一個關于手機行業(yè)的論壇。
他表示，三星正在提高DDR3芯片的產量，預計將有助于結束市場供給短缺的現象。
權五鉉表示，此前由于制造商產能過度擴張，DRAM(動態(tài)隨機存取
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三星 DRAM DDR3 液晶面板 記憶體芯片
- DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產部分也開始有現金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現金流出，但以整個臺塑集團的DRAM事業(yè)來看，已進入現金正流入狀態(tài)，下一步臺系DRAM業(yè)者的目標是轉虧為盈。
4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
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力晶 DRAM DDR2
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。
IBM表示，使用SOI技術可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。
IBM希望將3
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IBM 32nm DRAM 動態(tài)存儲器
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