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UWB - 智能物聯(lián)的未來之星，你怎么看他？低功耗Wi-Fi解決方案在智能家居的應(yīng)用和發(fā)展結(jié)合超寬帶測距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級IoT應(yīng)用來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>>

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ddr-sdram 文章進(jìn)入ddr-sdram技術(shù)社區(qū)

賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

該視頻演示了Kintex-7FPGA的DDR3內(nèi)存的接口性能
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嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計(jì)研究

嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計(jì)研究,DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計(jì)人員感到捉襟見肘，特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場合，需要有高速大容量存儲空間的強(qiáng)力支持。因此，需要外接存儲器來擴(kuò)展DSP的存儲空間。在基于DSP的嵌入式應(yīng)用中，存儲
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利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問題

在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中，需要大量外擴(kuò)存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中，為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖...
關(guān)鍵字： FPGA TMS320C54K SDRAM

PDMA在測試SDRAM控制器中的應(yīng)用

PDMA在測試SDRAM控制器中的應(yīng)用,我們設(shè)計(jì)了一個(gè)PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多個(gè)IP模塊（圖形處理單元，音頻處理單元等）交換數(shù)據(jù)，采用多個(gè)PDMA通道同時(shí)訪問Memory可以真實(shí)
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電源設(shè)計(jì)技巧：DDR內(nèi)存電源

CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計(jì) DDR 內(nèi)存電源

電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
關(guān)鍵字：電源內(nèi)存設(shè)計(jì) DDR

基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計(jì)

基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計(jì),RAM通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態(tài)RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 接口 SDRAM VHDL 基于

深入研究DDR電源

DDR存儲器的發(fā)展歷程由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求 ...
關(guān)鍵字： DDR 電源

使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

目前廣泛使用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
關(guān)鍵字： DDR 測試

使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模塊時(shí)設(shè)置不同參數(shù)，可以輕而易舉的實(shí)現(xiàn)對不同型號的DDR存儲芯片的測試，數(shù)據(jù)率可高達(dá)800Mb/s以上。由于時(shí)間利用率比使用計(jì)算機(jī)主板測試DDR芯片高得多，所以可以極大地節(jié)約測試時(shí)間。
關(guān)鍵字： Xilinx FPGA DDR 201109

SDRAM接口時(shí)序和PCB布線長度的分析

隨著系統(tǒng)復(fù)雜度的提高，SDRAM的運(yùn)行速度也越來越快，對PCB布線帶來了影響，僅僅使用一些經(jīng)驗(yàn)法則來設(shè)計(jì)SDRAM走線并不能完全保證系統(tǒng)的穩(wěn)定。不同的芯片有不同的時(shí)序要求，對走線的要求也是有差別，需要從理論上分析SDRAM時(shí)序和PCB走線長度之間的關(guān)系。
關(guān)鍵字： SDRAM PCB 201109

便攜設(shè)備訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計(jì)研究

DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計(jì)人員感到捉襟見肘，特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場合，需要有高...
關(guān)鍵字： SDRAM 低功耗

高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)

摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計(jì)方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)
關(guān)鍵字：接口設(shè)計(jì) DDR2-SDRAM 理系圖像處理高速

爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨

　　爾必達(dá)存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
關(guān)鍵字：爾必達(dá) SDRAM

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
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關(guān)鍵字：嵌入式接口設(shè)計(jì) 高性能閃存 DDR NAND 基于

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ddr-sdram電路

SDRAM連接電路設(shè)計(jì)詳解
不停產(chǎn)、不縮DIE、不改版的DDR在汽車導(dǎo)航中的應(yīng)用
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測試姿勢不過關(guān)，結(jié)果偏差得加班！
MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，如何運(yùn)行SDRAM？

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一文看懂NAND、eMMC、UFS、eMCP、uMCP、DDR、LPDDR及存儲器和內(nèi)存區(qū)別
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