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          SDRAM在任意波形發(fā)生器中的應用

          • 任意波形發(fā)生器在雷達、通信領域中發(fā)揮著重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲深度很難做得很大,從而不能精確地表達復雜信號。本文介紹的基于動態(tài)存儲器(SDRAM)的設計能有效解決這一問題,并詳細討論了一種簡化SDRAM控制器的設計方法。
          • 關鍵字: SDRAM  任意波形發(fā)生器  中的應用    

          NAND閃存的下一個熱點:性能

          •   利用50-40nm的工藝制程節(jié)點,NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元(MLC)技術。盡管位元密度強勁增長,但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數(shù)字內容需要的增長,公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能,使其比特更高和性能更快,以滿足消費者的需要。再加上存儲產品價格急劇下降,高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。         2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
          • 關鍵字: NAND  柵極感應  DDR  MLC  MLC  

          基于NiosⅡ的圖像采集和顯示的實現(xiàn)

          •   摘 要:采用OV2610的CMOS圖像傳感器和26K色的TFT液晶屏,在SOPC上集成了OV2610、TFT液晶控制器和DMA控制器,實現(xiàn)了圖像數(shù)據流的采集和顯示。   關鍵詞:DMA  Avalon數(shù)據流模式  SDRAM   隨著大規(guī)模集成電路設計技術的進步、制造工藝水平的提高以及單個芯片上的邏輯門數(shù)的增加,嵌入式系統(tǒng)設計變得日益復雜。把整個系統(tǒng)集成到一個芯片上,即片上系統(tǒng)SoC(System on Chip)技術是當前嵌入式系統(tǒng)設計的一個研究熱點。在Altera公司提供的
          • 關鍵字: SoC  DMA  Avalon數(shù)據流模式  SDRAM  

          TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

          •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極/源極雙數(shù)據速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF,比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣,設計人員可利用該器件實現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案,以滿足數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據通信、筆記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產品以及日益豐富的消費類電子產品的需求。
          • 關鍵字: TI  穩(wěn)壓器  存儲器  DDR  

          在DDR3 SDRAM存儲器接口中使用調平技術

          •   引言   DDR3 SDRAM存儲器體系結構提高了帶寬,總線速率達到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz),它采用1.5V工作,降低了功耗,90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結構的確速率更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但是怎樣才能實現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調平技術是關鍵。如果FPGA I/O結構中沒有直接內置調平功能,和DDR3 SDRAM DIMM的接口會非常復雜,成本也高,需要采用大量的外部元件。那么,什么是調平技術,這一技
          • 關鍵字: FPGA  存儲器  DDR3  SDRAM  

          Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC

          •   Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該PMIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉換系統(tǒng)、以及用于“調節(jié)”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個以上的分立元件,從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源,非常適合用于RAID服務器/系統(tǒng)存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
          • 關鍵字: Maxim  DDR  存儲器  電源管理  IC  

          SDRAM接口的VHDL設計

          •   RAM(隨機存取存儲器 是一種在電子系統(tǒng)中應用廣泛的器件,通常用于數(shù)據和程序的緩存。隨著半導體工業(yè)的發(fā)展,RAM獲得了飛速的發(fā)展,從RAM、DRAM(Dynamic RAM,即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,即同步動態(tài)RAM),RAM的容量越來越大、速度越來越高,可以說存儲器的容量和速度已經成為半導體工業(yè)水平的標志。  ?。?任務背景   SDRAM具有大容量和高速的優(yōu)點,目前其存取速度可以達到100~133MHz,單片容量可以達到64Mbit或更高
          • 關鍵字: VHDL  SDRAM  存儲器  微處理器  

          高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時序控制分析

          •   在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應用中,使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經常用到的一種存儲器。   但是,在主芯片與SDRAM之間產生的時序抖動問題阻礙了產品的大規(guī)模生產。在數(shù)字電視接收機的生產實際應用中,不同廠家的PCB板布線、PCB材料和時鐘頻率的不同,及SDRAM型號和器件一致性不同等原因,都會帶來解碼主芯片與SDRAM間訪問時序的抖動問題。   本文利用C-NOVA公司數(shù)字電視MPEG-2解碼芯片AVIA9700內置的SDRAM控制器所提供的時序補償機制,設計了一個方便使
          • 關鍵字: SDRAM  數(shù)字電視  

          全球半導體標準組織委員會會議在上海舉行 推動存儲工業(yè)新標準制定

          •   隨著筆記本電腦、手機等移動終端以及家用數(shù)碼產品的大規(guī)模增長,器的移動性和能耗問題已廣泛受到業(yè)界關注。日前,(全球半導體組織)委員會會議在上海舉行,推動存儲工業(yè)新標準制定。   在過去五年內,JEDEC曾與中國半導體行業(yè)組織合作,促進中國及世界的半導體行業(yè)標準。例如中國電子標準協(xié)會(CESA),中國半導體行業(yè)協(xié)會(CSIA)與中國電子標準研究所(CESI)等。   我國企業(yè)已占JEDEC會員數(shù)的20%,而且數(shù)目還在增長。JEDEC本次會議主要研究了DDR3 SDRAM(第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲
          • 關鍵字: SDRAM  DRAM  

          基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據采集系統(tǒng)中的應用

          • 實現(xiàn)數(shù)據的高速大容量存儲是數(shù)據采集系統(tǒng)中的一項關鍵技術。本設計采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對DDR SDRAM的控制,以狀態(tài)機來描述對DDR SDRAM的各種時序操作,設計了DDR SDRAM的數(shù)據與命令接口。用控制核來簡化對DDR SDRAM的操作,并采用自頂至下模塊化的設計方法,將控制核嵌入到整個數(shù)據采集系統(tǒng)的控制模塊中,完成了數(shù)據的高速采集、存儲及上傳。使用開發(fā)軟件Quartus II中內嵌的邏輯分析儀SignalTap II對控制器的工作流程進行了驗證和調試。最終采集到的
          • 關鍵字: FPGA  DDR SDRAM  數(shù)據采集  

          針對DDR供電 飛思卡爾推出全線電源芯片產品

          •   模擬市場正在茁壯成長,按照12%的年復增長率估算,將超過許多其他的數(shù)字IC市場。在這樣的發(fā)展速度下,據預測,模擬市場將在2012年達到680億美元,屆時將實現(xiàn)近1390億的出貨量。亞太地區(qū)是模擬市場的最大消費區(qū)域,但設計和生產遍布在世界各地。   模擬市場是一個高度競爭的市場,一些供應商只關注特定的產品,而另一些則進行全面組合,以覆蓋各個領域的特色模擬產品,事實上,新興業(yè)務已經加速發(fā)展。模擬領域有大量的新業(yè)務出現(xiàn),尤其是在研發(fā)新技術方面,但是進入這一領域的門檻依然很高,由于工程人才,渠道力量和全球實
          • 關鍵字: DDR  飛思卡爾  200802  

          片上SDRAM控制器的設計與集成

          •   隨著設計與制造技術的發(fā)展,集成電路設計從晶體管的集成發(fā)展到邏輯門的集成, 現(xiàn)在又發(fā)展到IP的集成,即SoC設計技術。SoC可以有效地降低電子信息系統(tǒng)產品的開發(fā)成本,縮短開發(fā)周期,提高產品的競爭力,是工業(yè)界將采用的最主要的產品開發(fā)方式。目前國內也加大了在SoC 設計以及IP 集成領域的研究。本文介紹的便是國家基金項目支持的龍芯SoC—ICT- E32 設計所集成的片上SDRAM 控制器模塊設計與實現(xiàn)。   1  ICT-E32 體系結構   ICT-E32 是一款32位高性能SoC ,它集成龍芯1號
          • 關鍵字: SoC  SDRAM  控制器  MCU和嵌入式微處理器  

          FPGA與DDR3 SDRAM的接口設計

          •     DDR3 SDRAM內存的總線速率達到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz),1.5V的低功耗工作電壓,采用90nm制程達到2Gbits的高密度。這個架構毫無疑問更快、更大,每比特的功耗也更低,但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設計呢?   關鍵字:均衡(leveling)   如果FPGA&nbs
          • 關鍵字: FPGA  DDR3  SDRAM  接口  模擬IC  電源  

          高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時序控制分析

          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  SDRAM  時序控制  MCU和嵌入式微處理器  

          集邦:9月下旬DRAM合約價格預計下滑10%

          • DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳,整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達7.8%,價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價格持續(xù)緩跌。然而當DDR2eTT價格跌破5月低點后,部分分銷商及模塊廠開始備貨,使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈,間接帶動了些許買氣。而合約市場方面,由于現(xiàn)貨價格快速下跌,加上PCOEM廠商已經備足旺季所需的庫存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  DDR  DDR2  MCU和嵌入式微處理器  
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          ddr-sdram介紹

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