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ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)
長(zhǎng)鑫官方開(kāi)賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存！單條8GB 2666MHz
- 對(duì)于國(guó)產(chǎn)軟硬件,我們從未如此期盼,幸運(yùn)的是各項(xiàng)突破也是接踵而至,現(xiàn)在我們終于有了自己的內(nèi)存。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站上,已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。據(jù)介紹,長(zhǎng)鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場(chǎng)需求,支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合,并有充分的可靠性保障,規(guī)格方面單顆容量8Gb(1GB),頻率2666MHz,電壓1.2V,工作溫度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長(zhǎng)鑫特別強(qiáng)調(diào),這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。根據(jù)此前消
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 國(guó)產(chǎn) DDR4 LPDDR4X 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)狂飆 1月份以來(lái)DDR4內(nèi)存漲價(jià)17%
- 以前降價(jià)的時(shí)候一個(gè)季度也不過(guò)10%-15%的降價(jià),最近這一個(gè)月來(lái),內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過(guò)了2/3,內(nèi)存價(jià)格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來(lái)了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價(jià)格信息來(lái)看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來(lái)漲了10%,而4Gb DDR4顆?，F(xiàn)貨價(jià)全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價(jià)的動(dòng)機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問(wèn)題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場(chǎng)
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芝奇再發(fā)極品內(nèi)存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB
- 我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過(guò)頻率。芝奇此前就發(fā)布過(guò)DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來(lái)了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個(gè)系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
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傳合肥長(zhǎng)鑫年底量產(chǎn)DDR4內(nèi)存：19nm工藝、8Gb核心
- 前不久紫光宣布在重慶投資數(shù)百億建設(shè)DRAM內(nèi)存研發(fā)中心及晶圓廠，最快2021年量產(chǎn)，這對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片，尤其是內(nèi)存來(lái)說(shuō)是一個(gè)大事件。不過(guò)在紫光之前，我們可能看到的第一個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存應(yīng)該是合肥長(zhǎng)鑫公司的，他們比紫光做內(nèi)存更早，該公司2016年成立于安徽合肥，一期工程投資就高達(dá)72億美元（約合494億人民幣），將建設(shè)一座月產(chǎn)能12.5萬(wàn)晶圓的內(nèi)存廠，目前工廠建設(shè)已經(jīng)進(jìn)入了尾聲，正在進(jìn)行設(shè)備安裝、調(diào)試階段。最新消息顯示，合肥長(zhǎng)鑫的進(jìn)展還跟順利，已經(jīng)提前進(jìn)行機(jī)臺(tái)安裝，有望在Q4季度順利量產(chǎn)國(guó)內(nèi)第一批內(nèi)存。根據(jù)合肥長(zhǎng)鑫之前公
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威剛發(fā)布XPG Spectrix D60G DDR4內(nèi)存：9497平方毫米R(shí)GB面積
- 如今的高端硬件產(chǎn)品離開(kāi)RGB簡(jiǎn)直沒(méi)法活，燈效越來(lái)越靚，面積也越來(lái)越大。今天，威剛發(fā)布了新款XPG Spectrix D60G DDR4內(nèi)存，信仰燈更是登峰造極。
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最新進(jìn)展！國(guó)產(chǎn)內(nèi)存DDR4已經(jīng)開(kāi)發(fā)已完成
- 不過(guò)距離國(guó)產(chǎn)內(nèi)存真正上市，還有很遠(yuǎn)的路要走，目前國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存正在后續(xù)的修正當(dāng)中，只是到了研發(fā)的尾聲，還要再完善一下。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND架構(gòu)Xtacking揭秘：I/O速度看齊DDR4
- 談到NAND閃存，或者說(shuō)以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對(duì)速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口，LGA/BGA都有引腳，所以就有引腳帶寬，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解為內(nèi)頻。 今晨結(jié)束的Flash Memory Summit(閃存技術(shù)峰會(huì))的首日Keynote上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)(Yangtze Memory Technology，YMTC)壓軸出場(chǎng)，介紹了新的3D NAND架構(gòu)Xtacking?！ ￠L(zhǎng)江存儲(chǔ)稱，數(shù)據(jù)產(chǎn)生的能力和貯存能力的增長(zhǎng)是
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紫光國(guó)微：國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片預(yù)計(jì)年底推向市場(chǎng)
- 國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)?！ ≈白瞎鈬?guó)微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來(lái)紫光國(guó)微會(huì)在DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對(duì)于公司來(lái)說(shuō)，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會(huì)在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn)?！ ∽瞎釪DR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開(kāi)發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個(gè)型號(hào)為“SCQ04
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國(guó)產(chǎn)內(nèi)存真的來(lái)了：紫光可提供DDR3、DDR4內(nèi)存芯片
- 還記得前段時(shí)間鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的國(guó)產(chǎn)DDR4芯片的傳聞嗎?當(dāng)時(shí)有消息稱紫光旗下的半導(dǎo)體公司量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)DDR4內(nèi)存，只是這事疑點(diǎn)重重，最后紫光官方也辟謠稱目前并沒(méi)有DDR4內(nèi)存量產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品正在研發(fā)中。 現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存又來(lái)了，涉及的還是紫光旗下的西安國(guó)芯半導(dǎo)體，其官網(wǎng)頁(yè)面明確提到了可以長(zhǎng)期供應(yīng)DDR3、DDR4在內(nèi)的DRAM芯片和裸晶圓。 這次涉及國(guó)產(chǎn)DDR4的還是紫光集團(tuán)的子公司紫光國(guó)芯，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?guó)芯、深圳國(guó)微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，&ld
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SK海力士搞定單Die 16Gb DDR4顆粒：256GB內(nèi)存條有戲
- SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量?jī)?nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。 16Gb乃至是32Gb DDR4顆粒其實(shí)并不罕見(jiàn)，SK海力士等早都有了，不過(guò)是用兩顆或者四顆8Gb Die堆疊而成的，再造出16GB、32GB內(nèi)存條。 但是，如此密集堆疊的內(nèi)存顆粒和內(nèi)存條十分復(fù)雜，比如64GB LRDIMM條子需要設(shè)置為四個(gè)Rank，128GB的更得八個(gè)Rank，結(jié)果導(dǎo)致延遲非常高，DDR4-2400/26
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DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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