ddr4 文章進入ddr4技術(shù)社區(qū)

Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲器數(shù)據(jù)速率

　　Altera公司今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2，666 Mbps。Altera的Arria® 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲器的FPGA，存儲器性能比前一代FPGA提高了43%，比競爭20 nm FPGA高出10%。硬件設(shè)計人員現(xiàn)在可以使用最新的Quartus® II軟件v14.1，在Arria 10 FPGA和SoC設(shè)計中實現(xiàn)2，666 Mbps DDR4存儲器數(shù)據(jù)速率。視頻演示表明，魯棒的存儲器接口能夠工作在2
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鎖定巨量數(shù)據(jù)應(yīng)用三星加快量產(chǎn)DDR4、TLC SSD

　　三星電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時代的來臨，將以資料儲存半導(dǎo)體事業(yè)一決勝負，目標擬以DDR4 DRAM和3D V-NAND為基礎(chǔ)的固態(tài)硬碟(SSD)列為核心產(chǎn)品。　　據(jù)韓國Inews 24報導(dǎo)，總括負責三星半導(dǎo)體事業(yè)部的DS部門將擴編人力，在集團底下成立巨量資料中心，并依照產(chǎn)品分析消費者的喜好程度等，強化事業(yè)力量。　　DDR4 DRAM相較于DDR3，待機電流減少30%、耗電量減少35%，是能源使用效率高的產(chǎn)品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍
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Intel絕妙創(chuàng)意：同時兼容DDR3/DDR4規(guī)格

　　以往每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時候，Intel總是同時提供支持，主板廠商也會推出一些同時有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據(jù)說其實也支持DDR3但屏蔽了)，實在有點激進。　　不過，Intel其實還有一個鬼點子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來的LPDDR4共享一種接口規(guī)格，隨便更換、升級。　　　　Universal DIMM(U
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瀾起科技推出全球首顆第二代DDR4的寄存時鐘驅(qū)動芯片

　　瀾起科技集團有限公司，專注于為家庭娛樂和云計算市場提供以芯片為基礎(chǔ)的全方位解決方案的全球無晶圓廠供應(yīng)商，27日宣布推出全球首顆第二代DDR4寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR4RCD02)。　　DDR4RCD02 芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02規(guī)范，支持2667MHz及以上的時鐘頻率。該芯片在性能和速度較其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存時鐘驅(qū)動芯片(DDR4RCD01)有顯著改善。目前瀾起科技已經(jīng)將DDR4RCD02工程樣片交給客戶，供其開發(fā)支持第二代DDR4 RDI
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DDR4市場容量將達十億美金

　　歷經(jīng)六年的開發(fā)時間，DDR4終于踏上征程，揚帆起航。　　近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開始支持時鐘頻率達2133MHz的DDR4存儲器，這表明在PC、服務(wù)器平臺叱咤風云多年的DDR3進入世代交替的階段。　　其實英特爾的這個出乎意料的舉動還滿反常的，因為這異于其以往處理器支持新規(guī)格存儲器的步調(diào)──通常先針對PC平臺、再針對服務(wù)器平臺。但目前英特爾僅在第三季才剛推出的高階桌上型PC處理器當中(Co
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)企業(yè)級服務(wù)器用DDR4內(nèi)存

　　全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封裝技術(shù)的64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存。該款高密度高性能的內(nèi)存模塊不僅能推動企業(yè)級服務(wù)器和云計算環(huán)境下應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，也會在數(shù)據(jù)中心解決方案的進一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。　　新推出的RDIMM內(nèi)存由36個DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級制程技術(shù)和3D TSV封裝技術(shù)。
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Molex更新DDR4 DIMM插座

　　Molex公司現(xiàn)推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動及標準兩種型款，為設(shè)計工程師提供更多的選項和更高的性能，同時保持成本競爭力。氣動插座產(chǎn)品具有通孔端接類型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節(jié)省空間;而標準型款則具有三種端接類型：用于免焊工藝的壓接式;簡化印刷電路板(PCB)跡線路由的表面安裝類型;以及用于高成本效益應(yīng)用的通孔類型。　　所有Molex DDR4 DIMM插座均可滿足JEDEC規(guī)范并支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM內(nèi)存應(yīng)用，設(shè)計用于數(shù)據(jù)、計算、電信和網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，具有
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Cadence推出16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

　　全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)于2014年5月20日宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權(quán))。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶達到DDR4標準的最高性能，亦即達到3200Mbps的級別，相比之下，目前無論DDR3還是DDR4技術(shù)，最高也只能達到2133Mbps的性能。通過該技術(shù)，需要高內(nèi)存帶寬的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換、存儲器結(jié)構(gòu)和其他片上系統(tǒng)(SoC)現(xiàn)在可以使用Cadence? DD
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器

　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€通道的速率高達3200MT/s的兩個DIMM進行非侵入式監(jiān)控?！　⌒碌膬?nèi)插器的設(shè)計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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力科新288腳DDR4內(nèi)插器配合Kibra 480協(xié)議分析儀

　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€通道的速率高達3200MT/s的兩個DIMM進行非侵入式監(jiān)控。　　新的內(nèi)插器的設(shè)計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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首個DDR4 IP設(shè)計方案在28納米級芯片上獲驗證

?　　全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(CadenceDesignSystems,Inc.)日前宣布，CadenceDDR4SDRAMPHY和存儲控制器DesignIP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗證。
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Cadence首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證

全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.) (NASDQ： CDNS) 日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗證。
關(guān)鍵字： Cadence DRAM DDR4

DDR4今年年底抵達PC

　　DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應(yīng)用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報道，公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存DDR4做好準備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的DDR4已經(jīng)明顯在功耗和性能上落后，新的DDR4有望工作在更低的電壓下，相比較和1.5V DDR3只需要1.2V，并且總線速度將定位在2133MHz，無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強于前任。　　制定內(nèi)存標準的電子設(shè)備工程聯(lián)合協(xié)會(JEDEC)下個月將推出DDR4
關(guān)鍵字： Micron DDR4

美光宣布首個DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

　　雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內(nèi)存/閃存設(shè)備生產(chǎn)商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個DDR4 DRAM模組研發(fā)完成。目前即將開始制造樣品給主要客戶送測，預(yù)計將于2013年正式進入市場。　　根據(jù)內(nèi)存標準化組織JEDEC的規(guī)劃，服務(wù)器以及企業(yè)市場將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對比目前的DDR3內(nèi)存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產(chǎn)品和臺灣南亞科技共同研發(fā)，采用30nm制程工藝。單“條”內(nèi)存模組擁有8塊4Gbit
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英特爾計劃2014年開始支持DDR4

　　DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。　　DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大
關(guān)鍵字：英特爾 DDR4

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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]

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UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb 32位 DDR4 SDRAM
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