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ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)
英特爾計(jì)劃2014年開(kāi)始支持DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。 DDR4內(nèi)存不僅會(huì)帶來(lái)頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會(huì)有1.2V低電壓、更好的對(duì)等保護(hù)和錯(cuò)誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DDR4
DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V
- JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性，可帶來(lái)更快的運(yùn)行速度和廣泛的實(shí)用性，包括服務(wù)器、筆記本、臺(tái)式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等等，其頻率、電壓和架構(gòu)也都在進(jìn)行重新定義，目標(biāo)是簡(jiǎn)化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署。
- 關(guān)鍵字： 三星 DDR4
ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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