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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺
- 臺(tái)灣兩大存儲(chǔ)器模組廠威剛與創(chuàng)見(jiàn)一致認(rèn)為，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預(yù)期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。 威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動(dòng)云端基礎(chǔ)設(shè)備及服務(wù)規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長(zhǎng)。 只是全球DRAM大廠近年都專(zhuān)注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進(jìn)行巨額投資，威剛表示，這使得今年來(lái)全球DRAM缺貨問(wèn)題不斷延燒。 創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期，第4季DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)供不應(yīng)求，產(chǎn)品價(jià)格也將維持高檔。 威剛更指出，韓系DRAM大廠已預(yù)告明年第1
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM核心設(shè)計(jì)的新舊存取技術(shù)差異
- 本文討論不同的存取技術(shù)對(duì)于DRAM在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲(chǔ)存單元——DRAM的最小記憶單位… 不同的存取技術(shù)對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)將發(fā)生什么改變?當(dāng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中的儲(chǔ)存單元(storage cell)加上控制端點(diǎn)以及數(shù)據(jù)端點(diǎn)后，就被稱(chēng)為1T1C DRAM單元;其中，控制端點(diǎn)也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號(hào)，數(shù)據(jù)端點(diǎn)也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據(jù)值。 陣列結(jié)
- 關(guān)鍵字： DRAM
0.7納秒！相變存儲(chǔ)器速度新極限
- 隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長(zhǎng)的信息對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計(jì)算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲(chǔ)部件，即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲(chǔ)密度大、讀寫(xiě)速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點(diǎn)的新式通用式存儲(chǔ)介質(zhì)勢(shì)在必行。 近日，美國(guó)Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
- 關(guān)鍵字： 相變存儲(chǔ)器 DRAM
蘋(píng)果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%
- 由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動(dòng)式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對(duì)明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識(shí)，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出，6日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達(dá)新臺(tái)幣50.72億元，創(chuàng)下單月?tīng)I(yíng)收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I(yíng)收，但法人樂(lè)觀預(yù)估華邦電營(yíng)收將介于新臺(tái)幣4
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 DRAM
三星擴(kuò)產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來(lái)產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限，加上20納米以下先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換難度提高，DRAM位元供給成長(zhǎng)明顯較往年放緩。但由需求面來(lái)看，智慧型手機(jī)搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)電子的需求亦進(jìn)入倍數(shù)成長(zhǎng)階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價(jià)格由去年下半年一路漲到今年底，累計(jì)漲幅已將超過(guò)1倍。 以4GBDDR4模組合約價(jià)來(lái)看，去年第3季平均價(jià)格僅13美元，但今年第4季價(jià)格已大漲至30.5美元，不僅價(jià)格已連續(xù)6季度調(diào)漲，累計(jì)漲幅亦超過(guò)1.3倍。想當(dāng)然爾，DRAM價(jià)格大漲也明顯
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
蘋(píng)果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％
- 由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動(dòng)式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對(duì)明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識(shí)，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出，昨(6)日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達(dá)50.72億元，創(chuàng)下單月?tīng)I(yíng)收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I(yíng)收，但法人樂(lè)觀預(yù)估華邦電營(yíng)收將介于43～4
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
DRAM風(fēng)云錄，國(guó)產(chǎn)廠商也要入局
- 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據(jù)了市場(chǎng)上95%的份額，現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)研發(fā)成功，但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實(shí)現(xiàn)，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷(xiāo)售需要長(zhǎng)達(dá)幾年時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM供不應(yīng)求短期難解 三星計(jì)劃下季再調(diào)漲報(bào)價(jià)3~5%
- DRAM供不應(yīng)求短期難解，全球DRAM制造龍頭韓國(guó)三星半導(dǎo)體通知渠道商，計(jì)劃明年第1季再調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，漲幅3~5%，其中以行動(dòng)式DRAM漲幅較大，這也說(shuō)明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下，仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利，推升集團(tuán)獲利表現(xiàn)，有助破除讓近期市場(chǎng)擔(dān)心三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)，打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)DRAM大廠也強(qiáng)調(diào)，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級(jí)制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向，預(yù)料即使三星調(diào)升部分產(chǎn)線，增加的DRAM產(chǎn)出仍無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，預(yù)料明年DRAM還
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
從Gartner預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)增長(zhǎng)看行業(yè)投資線索
- 知名信息技術(shù)研究和分析公司Gartner發(fā)布預(yù)測(cè)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總營(yíng)收將達(dá)到4111億美元，較2016年增長(zhǎng)19.7%。這是繼2010年從金融危機(jī)中復(fù)蘇且全球半導(dǎo)體營(yíng)收增加31.8%之后，增長(zhǎng)最為強(qiáng)勁的一次。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總營(yíng)收在2014年~2016年的這3年間，規(guī)模在3400億美元左右。但2017年因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格逐季大漲，帶動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，這也是半導(dǎo)體市場(chǎng)年度總營(yíng)收首度超過(guò)4000億美元大關(guān)。 Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示，以
- 關(guān)鍵字： DRAM 高通
國(guó)內(nèi)芯片廠商砸180億造內(nèi)存 不再看國(guó)外臉色！
- 去年雙11時(shí)，一條8G DDR4 2400hz的內(nèi)存僅在300元左右，轉(zhuǎn)眼1年過(guò)去了，價(jià)格已經(jīng)飆升至900元，也就是說(shuō)兩條8GB的內(nèi)存足以購(gòu)買(mǎi)一塊中端顯卡了，這樣的價(jià)格很多年沒(méi)有看到過(guò)了，也導(dǎo)致了許多想更換內(nèi)存的朋友望而生畏。 其實(shí)內(nèi)存主要上漲的原因就是內(nèi)存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來(lái)瘋狂的上漲，其漲幅到達(dá)了111%，原材料的上漲導(dǎo)致內(nèi)存成本飆升。另一方面由于2016年時(shí)電腦市場(chǎng)內(nèi)存飽和，許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷(xiāo)售方向轉(zhuǎn)向了手機(jī)，因?yàn)槭謾C(jī)在不斷的推出新產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 芯片 DRAM
三星考慮明年擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，恐改變目前供給緊俏格局
- 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，由于DRAM廠近兩年來(lái)產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限，加上制程轉(zhuǎn)換的難度，DRAM供給成長(zhǎng)明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場(chǎng)消費(fèi)旺季的推波助瀾，DRAM合約價(jià)自2016年中開(kāi)啟漲價(jià)序幕。然而，三星傳出在考慮提高競(jìng)爭(zhēng)者進(jìn)入門(mén)檻的情況下，可能將擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價(jià)為例，從去年中開(kāi)始起漲，由當(dāng)時(shí)的DDR4 4GB 13美元均價(jià)拉升至今年
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
全球2018年DRAM產(chǎn)業(yè)預(yù)估預(yù)測(cè)
- 本文介紹了2017年DRAM市場(chǎng)狀況，并對(duì)2018年的DRAM市場(chǎng)進(jìn)行了分析預(yù)測(cè)。2018年預(yù)計(jì)僅增長(zhǎng)19.6%，無(wú)大規(guī)模增產(chǎn)計(jì)劃下，供給將延續(xù)吃緊走勢(shì)。
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng) 預(yù)測(cè) 201711
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