ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
中國DRAM夢初現(xiàn)曙光
- 中國半導(dǎo)體業(yè)要實(shí)現(xiàn)制造DRAM夢己經(jīng)初現(xiàn)曙光，近期由臺(tái)灣咨詢時(shí)報(bào)報(bào)道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業(yè)界的廣泛興趣。 一直低調(diào)行事的合肥“睿力”DRAM項(xiàng)目，由前應(yīng)用材料公司資深副總裁David王寧國領(lǐng)軍。 匯總消息，“睿力”做DRAM，采用19納米制程工藝。該項(xiàng)目總占地面積約1582畝，一期總投資額約80億美元，一期的兩層廠房預(yù)計(jì)2017年三季度完工。目前已開始下設(shè)備的PO訂單，計(jì)劃今年10月設(shè)備開始安裝，有望2
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存儲(chǔ)“芯”動(dòng)態(tài)：美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能
- 多數(shù)手機(jī)以不同存儲(chǔ)規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲(chǔ)器的重要性。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、
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存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)持續(xù)吃緊 下半年價(jià)格依然看漲
- 隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增，今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。 南亞科總經(jīng)理李培瑛說，第2季DRAM市場狀況穩(wěn)定，下半年需求將比上半年好，對第3季并不悲觀。 聯(lián)合報(bào)系數(shù)據(jù)照 需求增加，供應(yīng)端產(chǎn)能卻未同步增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現(xiàn)罕見同時(shí)供應(yīng)吃緊的情況。 隨著時(shí)序逐漸步入傳統(tǒng)旺季，加上短時(shí)間新產(chǎn)能
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手機(jī)終于躍居半導(dǎo)體最大應(yīng)用出?？?/a>
- 多年來，個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)一直是半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場，但由于近年來PC市場出貨量成長乏力，相關(guān)半導(dǎo)體市場的成長速度也跟著牛步化。 據(jù)IC Insights最新報(bào)告指出，PC應(yīng)用將在2017年失去半導(dǎo)體最大應(yīng)用出?？诘膶氉?。 手機(jī)則可望正式超越PC，成為芯片產(chǎn)品最大的應(yīng)用市場。 整體來說，受惠于DRAM與閃存價(jià)格居高不下，不管是PC或智能型手機(jī)的半導(dǎo)體市場規(guī)模，未來幾年都將呈現(xiàn)成長格局。 但由于PC出貨量連年緩步下滑，短期間內(nèi)不見轉(zhuǎn)機(jī)，因此手機(jī)市場雖然也遇到成長高原期，手機(jī)芯片銷售額仍可望拉開與
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第三季度服務(wù)器DRAM合約價(jià)續(xù)揚(yáng)，預(yù)估季增3%~8%
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于內(nèi)存供應(yīng)吃緊態(tài)勢尚未改變，今年第一季合約價(jià)上揚(yáng)近四成，第二季合約價(jià)更進(jìn)一步上揚(yáng)約一成水位;放眼第三季，出貨至一線廠的32GB服務(wù)器模組價(jià)格將來到260美元大關(guān)，二線廠更會(huì)高于此價(jià)格水位，使得整體第三季價(jià)格將會(huì)持續(xù)季增3%~8%的幅度。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出，受到服務(wù)器內(nèi)存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進(jìn)一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年單機(jī)容量上的提升與
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存儲(chǔ)“芯”動(dòng)態(tài)：美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能
- 多數(shù)手機(jī)以不同存儲(chǔ)規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲(chǔ)器的重要性。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全
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微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)
- 量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。 Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。 同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)在
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第一季PC DRAM合約價(jià)格上漲約三成
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來看，由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價(jià)以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價(jià)再度上漲超過三成，亦帶動(dòng)其他內(nèi)存類別同步上揚(yáng)，如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價(jià)格上揚(yáng)也相當(dāng)可觀，移動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格也有近一成的漲幅。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察，原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
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麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底
- 據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。 整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺(tái)/美/日半導(dǎo)體大廠
- 全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營運(yùn)成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級(jí)的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺(tái)積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺(tái)、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運(yùn)作，尤其是12吋規(guī)
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌
- 據(jù)外電報(bào)道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會(huì)轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評(píng)等。 巴倫周刊8日報(bào)導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報(bào)告表示，過去四個(gè)季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗(yàn)顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。 Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)的成長動(dòng)能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
后PC時(shí)代 移動(dòng)型DRAM成市場主力
- 三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動(dòng)存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)上漲。 從DRAM角度來看，存儲(chǔ)器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DRAM
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