韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。據市調機構DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。
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海力士 DRAM DDR3
全球半導體經受金融危機后正邁入新一輪的增長時期，各家市場分析公司幾乎都報道了2010年半導體有30%的增長，達到2900億美元。
半導體業(yè)步入新時期
由于半導體業(yè)已逼近摩爾定律的終點，業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異，使得半導體業(yè)正進入一個嶄新時期。新時期最明顯的特點可以歸結為增長趨緩，未來年均增長率在6%～7%;研發(fā)費用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤，大多數頂級半導體廠都采用外協合作方案。工業(yè)的趨勢可能會形成英特爾CPU，三星存儲器及“fabless(無生產線半導體公司)+代工
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三星 半導體 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產，目標2010年底占總產能達10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺廠新產能大量產出時間點亦多落在第4季，面對產能將大量開出，近期DRAM價格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元，較同容量DDR2價格還要低。
近期DRAM合約價及現貨價均呈現極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當少見情況，甚至
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三星 DRAM 35納米
韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。
據市調機構DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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海力士 DRAM DDR3
9月9日《半導體行業(yè)特別報告》出版，涉及項目包括有：庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉變、供應鏈動態(tài)、3G和4G的構建。
涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、蘋果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、愛特梅爾公司(Atmel：ATML)和其他多家企業(yè)。
以下內容摘錄自《半導體行業(yè)特別報告》，專業(yè)分析師在其中討論了該板塊的前景和投資展望。
2005年進入德意志銀行的鮑
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ARM 半導體 DRAM
據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達公司和南亞科技股份有限公司生產費用出現增長，電腦內存芯片的生產成本近4年來首次上升。
美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調查報告顯示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內存芯片的平均生產成本從第一季度的每G內存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。
爾必達公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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內存 DRAM
市場調研iSuppli近期發(fā)布報告稱，今年二季度的DRAM內存芯片生產成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲，這也引發(fā)了外界對于廠商在內存芯片生產花費支出的擔憂。從2005年開始，內存芯片的生產成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價格卻達到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價格上漲幅度非常小，但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。
其實，二季度內存芯片生產成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始，DRAM芯片季度生產成
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DRAM 內存芯片
日圓兌美元匯率強勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。
日本兩大半導體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。
東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。
南亞科技副總經理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內存廠爾必達及
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內存 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)表示，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)等革新性行動裝置制作成實體的過程中，對高性能、低耗電半導體的需求也正逐漸增加，因此三星計劃以性能提升，且減少耗電量的半導體產品主導市場。
三星祭出Smart and Green Plus策略，不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導體，同時也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動三星的差異化解決方案。
做為新策略的一環(huán)，三星自2009年起便與服務器業(yè)者共同推動綠色存儲器活
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三星 半導體 DRAM
Gartner現在預計今年全球半導體營收將達到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預計今年半導體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內的消費者電子產品在半導體銷售中占大多數份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。
Gartner表示，盡管個人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預
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半導體 DRAM NAND
臺灣國際半導體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕，在半導體趨勢論壇中，摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語，認為未來2Gb產品將成為DRAM市場主流，且未來以40納米制程生產的2Gb將最具競爭力，臺系DRAM廠，包括南亞科、華亞科等，必須盡快提升50納米制程的良率，且轉進40納米制程世代，才會具有成本競爭力。
三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調，使得全球DRAM產業(yè)大幅受挫，臺系D
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三星 DRAM 40納米
據國外媒體報道，三星周二表示，由于全球PC市場低迷，DRAM內存芯片將于第四季度出現生產過剩的局面。
臺灣復華投信(Fuh Hwa Securities Investment Trust)基金經理約翰·酋(John Chiu)稱：“眾所周知，當前PC市場并不景氣。如果需求不能提升，那么庫存就會增加。”
約翰·酋還稱：“人們都把希望寄托于中國內地的10月長假和新年假期，如果需求有所增長，那么庫存就會有所緩解。”
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三星 DRAM
據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
國際研究暨顧問機構顧能(Gartner)今(1)日指出，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)產業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變，至2012年銷售恐將衰退近三成。
顧能表示，由于初期PC市場表現強勁和供應減少，使DRAM產業(yè)獲利看漲，今年收益逼近420億美元，較預期獲利高出82.5%，出現戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉變，2012年的銷售恐將衰退29%。
不過，快閃存儲器市場在智能型手機和平版媒體強勁的銷售帶動下，收益至2013年皆會維持原有的成長。
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DRAM 閃存
據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
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