ddr5 文章 進(jìn)入ddr5技術(shù)社區(qū)
三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存
- IT之家 6 月 7 日消息，內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進(jìn)制內(nèi)存，雙槽即可實(shí)現(xiàn) 96GB，四個(gè)內(nèi)存插槽全插滿可實(shí)現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當(dāng)于 DDR4 內(nèi)存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務(wù)器領(lǐng)域主要使用的內(nèi)存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
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DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
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海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗(yàn)證流程
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對
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三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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三星、美光等推動(dòng)普及，DDR5正進(jìn)入放量期
- 在行業(yè)下行周期時(shí)，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會(huì)成為振奮市場的關(guān)鍵點(diǎn)。當(dāng)下DDR5 DRAM作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點(diǎn)。據(jù)外媒消息報(bào)道，行業(yè)專家認(rèn)為三星、美光等公司正大力推動(dòng)DDR5內(nèi)存普及，以此遏制半導(dǎo)體市場下滑的趨勢。公開資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據(jù)悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節(jié)點(diǎn)，例如D1z或D1a (D1α)代，這是1
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DDR5服務(wù)器DRAM價(jià) Q2跌幅料收斂
- 服務(wù)器新平臺(tái)英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出服務(wù)器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問題。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（Trendforce）認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重，另外內(nèi)存將停留在舊制程，因此預(yù)估第二季DDR5服務(wù)器DRAM價(jià)格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的電源管理IC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5服務(wù)器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難
- 關(guān)鍵字： DDR5 服務(wù)器DRAM Trendforce
Server DDR5 RDIMM傳PMIC問題，供給受限跌幅將收斂
- 服務(wù)器新平臺(tái)Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的PMIC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難免受此事件影響，故預(yù)估第二季DDR5 Server DRAM
- 關(guān)鍵字： Server DDR5 RDIMM PMIC
存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過于求問題
- IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機(jī)以來，三星時(shí)隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國《中央日報(bào)》援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星的減產(chǎn)計(jì)劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個(gè)月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過技術(shù)性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗(yàn)證
- 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器上得到全面驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動(dòng)當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個(gè)處理器的更多計(jì)算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負(fù)載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準(zhǔn)測試中的性能
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存
美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器中完成驗(yàn)證
- IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運(yùn)行次數(shù)）的基準(zhǔn)測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強(qiáng)的性
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