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          美光DDR5為第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器家族帶來更強(qiáng)的性能和可靠性

          • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番,為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強(qiáng)賦能。升級(jí)到 DDR5?將帶來更高的帶寬,有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力,從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強(qiáng)??可擴(kuò)展處理器強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,可為各
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          SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM,兼容第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器

          • IT之家 1 月 13 日消息,SK 海力士宣布,公司研發(fā)的第四代 10 納米級(jí)(1a)DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器(代號(hào)為 Sapphire Rapids)兼容認(rèn)證。SK 海力士表示,采用 EUV(極紫外線)技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲(chǔ)器認(rèn)證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對(duì)增長趨勢(shì)的服務(wù)器市場(chǎng),盡早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
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          三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

          • 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示:"三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
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          美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

          • 12月19日,美光宣布,與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM(霄龍)處理器均已出貨。長期以來,超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣候預(yù)測(cè);地震建模;化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計(jì)算機(jī)架構(gòu)的進(jìn)步,此類工作負(fù)載往往托管在超大型“可橫向擴(kuò)展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強(qiáng)大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲(chǔ)
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          美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準(zhǔn)測(cè)試:內(nèi)存帶寬翻倍

          • IT之家 12 月 19 日消息,據(jù)美光發(fā)布,美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間,在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測(cè)試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM (霄龍)處理器均已出貨,官方對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算(HPC)工作負(fù)載基準(zhǔn)測(cè)試。長期以來,超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行 TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣
          • 關(guān)鍵字: 美光  AMD  DDR5  

          美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器,提升高性能計(jì)算工作負(fù)載

          • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺(tái)提供一流的用戶體驗(yàn)。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室,以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間,在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測(cè)試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM (霄龍)處理器均已出貨,我們對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算(HPC)工作負(fù)載基準(zhǔn)測(cè)試。 長期以來,超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作,以解決人類世界的難題,如天氣和氣候預(yù)測(cè);地震建模;化學(xué)、物理和生
          • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  AMD EPYC  

          SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存:超越DDR5-4800 80%!

          • SK海力士宣布,已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存, 起步速率就可以達(dá)到8Gbps,相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80% ,也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā),面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”,多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù),通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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          56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認(rèn)發(fā)燒級(jí)CPU王者歸來

          • 還記得2018年Intel推出的至強(qiáng)W-3175X處理器嗎?當(dāng)年這是Intel為了跟AMD競(jìng)爭(zhēng)專業(yè)市場(chǎng),將服務(wù)器版至強(qiáng)下放到了工作站,滿血28核56線程,還是唯一解鎖超頻的至強(qiáng),售價(jià)超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了,這兩年Intel的發(fā)燒級(jí)HEDT平臺(tái)也沒了動(dòng)靜,至強(qiáng)W的繼任者也沒了音信,一度傳聞被取消,但是Intlel現(xiàn)在親自出面,證實(shí)了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看,Intel稱新一代的工作站處理器非???,暗示性能強(qiáng)大,甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時(shí)間了,因?yàn)楣ぷ鞯却龝r(shí)間會(huì)更短
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          瀾起科技:DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

          • IT之家 12 月 5 日消息,根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄,瀾起科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升,2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長,從而推動(dòng)互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長。據(jù)介紹,內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對(duì)內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的,為滿足內(nèi)存容量的增長需求,主要通過兩種方式來實(shí)現(xiàn),一是提升內(nèi)存顆粒密度,二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時(shí)期內(nèi)存顆粒密度提升放緩,則內(nèi)存容量增
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          DDR5加速滲透,封測(cè)龍頭帶來新消息

          • 近日,封測(cè)龍頭長電科技宣布,高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì),給用戶帶來更佳的可靠性和擴(kuò)展性,市場(chǎng)前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的存儲(chǔ)芯片效能不斷提升,對(duì)芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延,以及更短互連等要求。為此,長電科技通過各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)同尺寸
          • 關(guān)鍵字: DDR5  封測(cè)  

          美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺(tái)出貨

          • 2022 年 11 月 18 日——中國上海——內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? (霄龍) 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU,其單個(gè)CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸,美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬,從而提升可靠性和可擴(kuò)展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,使
          • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  AMD EPYC 處理器  

          美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器

          • 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日,美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器,該存儲(chǔ)器已針對(duì)新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU,每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲(chǔ)器帶寬一直在下降。與前幾代相比,美光DDR5提供了更高的帶寬,從而緩解了這一瓶頸,提高了可靠性和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹,美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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          SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內(nèi)存模塊

          • 隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊,為刀鋒服務(wù)器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專為網(wǎng)通及高算力應(yīng)用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊,為
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          DDR5內(nèi)存與上一代價(jià)差縮小,后市滲透率或借機(jī)提升

          • 據(jù)媒體報(bào)道,因筆電市場(chǎng)低迷,沖擊DDR5內(nèi)存價(jià)格跌幅進(jìn)一步擴(kuò)大,可望推動(dòng)各廠商在2023年啟動(dòng)產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換,DDR5將隨之放量。從具體跌價(jià)幅度來看,TrendForce集邦咨詢預(yù)估,2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右,而DDR5價(jià)格跌幅大于DDR4。市場(chǎng)消息上,英睿達(dá)、美光16GB DDR5 4800筆記本內(nèi)存條當(dāng)前秒殺價(jià)為499元,而今年6月份售價(jià)則一直穩(wěn)定在699元左右,跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休?據(jù)了解,PC市場(chǎng)是DDR5的關(guān)鍵終端市場(chǎng)之一。然而近期PC市場(chǎng)情況并不樂觀,終
          • 關(guān)鍵字: DDR5  滲透率  

          DDR5價(jià)格漸親民,巨頭紛紛押注推動(dòng)入市

          • 近期,DDR4和DDR5價(jià)格持續(xù)下跌,吸引了不少消費(fèi)者的持續(xù)關(guān)注。目前消費(fèi)電子疲軟還在繼續(xù),據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至13~18%。從積極方面考量,價(jià)格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世,DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對(duì)比DDR4的優(yōu)勢(shì)從過往歷史看,每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化,才能實(shí)現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升,而后實(shí)現(xiàn)對(duì)上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示,DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉,DDR4
          • 關(guān)鍵字: DDR5  DDR4  
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