ddr5 文章 進入ddr5技術(shù)社區(qū)
美光DDR5為第四代英特爾至強可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番，為當今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯(lián)手，可為各
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SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強可擴展處理器
- IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對增長趨勢的服務(wù)器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作
- 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學、物理和生物分析等。隨著計算機架構(gòu)的進步，此類工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲
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美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準測試：內(nèi)存帶寬翻倍
- IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行 TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負載
- 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。 長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學、物理和生
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！
- SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來
- 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎？當年這是Intel為了跟AMD競爭專業(yè)市場，將服務(wù)器版至強下放到了工作站，滿血28核56線程，還是唯一解鎖超頻的至強，售價超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了，這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒了動靜，至強W的繼任者也沒了音信，一度傳聞被取消，但是Intlel現(xiàn)在親自出面，證實了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看，Intel稱新一代的工作站處理器非?？?，暗示性能強大，甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時間了，因為工作等待時間會更短
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瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加
- IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動記錄，瀾起科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長，從而推動互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿足內(nèi)存容量的增長需求，主要通過兩種方式來實現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
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DDR5加速滲透，封測龍頭帶來新消息
- 近日，封測龍頭長電科技宣布，高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延，以及更短互連等要求。為此，長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術(shù)，實現(xiàn)同尺寸
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美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨
- 2022 年 11 月 18 日——中國上海——內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合，使
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美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器
- 當?shù)貢r間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進行了驗證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個CPU內(nèi)核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內(nèi)存模塊
- 隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為刀鋒服務(wù)器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專為網(wǎng)通及高算力應(yīng)用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為
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DDR5內(nèi)存與上一代價差縮小，后市滲透率或借機提升
- 據(jù)媒體報道，因筆電市場低迷，沖擊DDR5內(nèi)存價格跌幅進一步擴大，可望推動各廠商在2023年啟動產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換，DDR5將隨之放量。從具體跌價幅度來看，TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價格跌幅大于DDR4。市場消息上，英睿達、美光16GB DDR5 4800筆記本內(nèi)存條當前秒殺價為499元，而今年6月份售價則一直穩(wěn)定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據(jù)了解，PC市場是DDR5的關(guān)鍵終端市場之一。然而近期PC市場情況并不樂觀，終
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DDR5價格漸親民，巨頭紛紛押注推動入市
- 近期，DDR4和DDR5價格持續(xù)下跌，吸引了不少消費者的持續(xù)關(guān)注。目前消費電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價格跌幅將擴大至13~18%。從積極方面考量，價格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對比DDR4的優(yōu)勢從過往歷史看，每代DDR新標準發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實現(xiàn)對上一代產(chǎn)品的市場替代則可能需要3到5年的時間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉，DDR4
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