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          新一代國(guó)產(chǎn)X86處理器將采用7nm工藝 支持DDR5

          • 自從國(guó)外對(duì)我們實(shí)行卡脖子的政策后,在芯片這件事上加速進(jìn)階就成為了國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略,而上海兆芯推出的KX-6000是一款國(guó)產(chǎn)x86處理器,采用16nm工藝,最高8核架構(gòu),代號(hào)為“陸家嘴 (Lujiazui)”,日前知名的編譯器GCC也添加了對(duì)KX-6000的支持。     KX-6000系列處理器在2019年6月份發(fā)布,由上代的KX-5000系列的28nm升級(jí)到16nm工藝,有4核及8核兩種規(guī)格,頻率可達(dá)3.0GHz,還支持PCIe 3.0、雙通道DDR4內(nèi)存,搭配的芯片
          • 關(guān)鍵字: 國(guó)產(chǎn)  X86處理器  7nm  DDR5  兆芯  

          DDR5內(nèi)存五大升級(jí)都有啥?最后一個(gè)你絕對(duì)想不到

          • 12代酷睿誕生以來(lái),除開(kāi)CPU本身,最受關(guān)注的莫過(guò)于在先進(jìn)協(xié)議上的革命,其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議,為下一代的顯卡和存儲(chǔ)器提供了普及接口;其二便是全面引入新一代的DDR5內(nèi)存協(xié)議,打破了多年來(lái)內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗(yàn)的“停滯不前”,引發(fā)新一輪的內(nèi)存浪潮。關(guān)于前者,鑒于尚未出現(xiàn)消費(fèi)級(jí)PCIe5.0相關(guān)產(chǎn)品,在此略過(guò)。今天,重點(diǎn)聊聊被譽(yù)為“內(nèi)存行業(yè)革命”的DDR5內(nèi)存。關(guān)于DDR5內(nèi)存,大多數(shù)用戶(hù)的直觀(guān)感受便是頻率的提升,即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率,倍增至4800MHz,甚至根據(jù)最新消息DDR5內(nèi)
          • 關(guān)鍵字: DDR5  內(nèi)存  PCIe5.0  

          DDR4再見(jiàn):Intel 700系列芯片或僅支持DDR5內(nèi)存

          •   據(jù)TechPowerUp的報(bào)告來(lái)看,Intel正在研發(fā)僅為13代Raptor Lake處理器提供支持的700系列芯片組主板,雖然DDR4+DDR5的內(nèi)存控制器仍是主流,但I(xiàn)ntel正在努力提升DDR5內(nèi)存的市場(chǎng)比例?! 脑搱?bào)道來(lái)看,Intel正在研發(fā)的700系列芯片組主板將僅支持DDR5內(nèi)存,而DDR4內(nèi)存則主要保留在600系芯片組平臺(tái)。  不過(guò)需要注意的是,廠(chǎng)商往往并不會(huì)完全聽(tīng)從Intel指揮,只要市場(chǎng)需要700系主板支持DDR5內(nèi)存的呼聲夠大,總會(huì)有廠(chǎng)商忍不住?! 〈送?,13代Raptor La
          • 關(guān)鍵字: ddr4  DDR5  內(nèi)存  

          美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X驗(yàn)證

          •   11月23日消息,美光科技(Micron)近日宣布,聯(lián)發(fā)科(MediaTek)已在其全新的5G旗艦智能手機(jī)芯片天璣9000平臺(tái)上完成了對(duì)美光LPDDR5X DRAM內(nèi)存的驗(yàn)證。美光由此成為首家送樣并驗(yàn)證該款業(yè)界最快、最先進(jìn)移動(dòng)內(nèi)存的半導(dǎo)體廠(chǎng)商,并已出貨首批基于1α節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X樣片。美光同時(shí)也是業(yè)界首家應(yīng)用1α制造節(jié)點(diǎn)的廠(chǎng)商。美光LPDDR5X專(zhuān)為高端與旗艦智能手機(jī)設(shè)計(jì),讓智能手機(jī)生態(tài)系統(tǒng)能夠在人工智能(AI)與5G創(chuàng)新背景下,推動(dòng)數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的新一波發(fā)展浪潮。Micron LPDDR5X  
          • 關(guān)鍵字: 美光  聯(lián)發(fā)科  DDR5  

          SK海力士即將量產(chǎn)DDR5內(nèi)存 搭配Intel 12代酷睿

          •   今年下半年,最快10月底就能升級(jí)DDR5內(nèi)存了,這一次Intel的12代酷睿Alder Lake會(huì)首發(fā)支持DDR5。SK海力士日前在財(cái)報(bào)會(huì)議上也表示未來(lái)幾個(gè)月就要量產(chǎn)DDR5內(nèi)存?! DR5的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)發(fā)布一年多了,相比DDR4繼續(xù)提升性能、降低功耗,標(biāo)準(zhǔn)電壓從1.2V進(jìn)一步降至1.1V,最大單條容量從32GB來(lái)到128GB(單Die密度64Gb),標(biāo)準(zhǔn)最高頻率從3200MHz翻番到6400MHz(實(shí)際瞄準(zhǔn)8400MHz),此時(shí)帶寬達(dá)到51GB/s,基本是DDR4-3200的兩倍?! ×硗猓珼DR5支
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  酷睿  DDR5  SK海力士    

          三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

          •   三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好,其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門(mén)將持續(xù)增長(zhǎng),尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算(HPC)市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類(lèi)用途的高密度內(nèi)存模塊,該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊,從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?! 〉聦?shí)證明,這家韓國(guó)巨頭可能還不滿(mǎn)足,因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步,生產(chǎn)768GB DDR5模塊,也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  DRAM  DDR5    

          SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

          • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn),此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品,尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DDR5  DRAM  

          7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0:Intel一下子都有了!

          • 早在2019年初的CES大展上,Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無(wú)線(xiàn)基站的Snow Ridge SoC處理器,直到今年2月底才正式發(fā)布,定名凌動(dòng)Atom P5900,但沒(méi)有公布具體規(guī)格。根據(jù)最新消息,Snow Ridge的繼任者代號(hào)為“Grand Ridge”,而這次,詳細(xì)的規(guī)格參數(shù)提前一覽無(wú)余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造,BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米,而且特別強(qiáng)調(diào)是Intel自家的7nm HLL+工藝,這意味著它可能要到2023年才會(huì)面世。但等待是值得的,除了先進(jìn)
          • 關(guān)鍵字: 7nm  24核心  DDR5  PCIe 4.0  Intel  

          曝英特爾11代移動(dòng)標(biāo)壓處理器明年Q1發(fā)布 支持DDR5內(nèi)存

          •   根據(jù)外媒 VideoCardz 的消息,9 月 2 日,英特爾將推出其 Tiger Lake-U 系列處理器,采用 Willow Cove 架構(gòu)和 Xe 核顯。爆料者 @momomo_us 的最新消息稱(chēng),英特爾計(jì)劃在 2021 年初推出名為 Tiger Lake-H 系列產(chǎn)品?!鴙ia Vide
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  處理器  DDR5  

          DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)確定,中國(guó)企業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)能入選

          • 都說(shuō)一流的企業(yè)定標(biāo)準(zhǔn),可見(jiàn)能夠參與制定標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè),都是最頂尖的企業(yè),所以我們能夠看到每當(dāng)一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)出爐時(shí),各國(guó)的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標(biāo)準(zhǔn)定為國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)。比如大家最熟悉的通信標(biāo)準(zhǔn)制定,從1G到5G標(biāo)準(zhǔn)的確定,那可是一項(xiàng)波瀾壯闊的通信技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)史,也是中國(guó)通信技術(shù)的崛起史。而不久前,跳票了近2年時(shí)間之后,JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn),這也是一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標(biāo)準(zhǔn)有中國(guó)企業(yè)參與不同,瀾起科技在DDR4F時(shí)代,發(fā)明的DDR
          • 關(guān)鍵字: DDR5  內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)  

          PC 新時(shí)代!DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布:最高速度達(dá) 6.4Gbps,單芯片密度達(dá) 64Gbit

          • 作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布了下一個(gè)主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代,DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能,將峰值內(nèi)存速度提高了一倍,同時(shí)也大大增加了內(nèi)存容量?;谛聵?biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計(jì)將于2021年推出,先從服務(wù)器層面開(kāi)始采用,之后再逐步推廣到消費(fèi)者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報(bào)道,和之前的每一次DDR迭代一樣,DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍,最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
          • 關(guān)鍵字: PC  DDR5  內(nèi)存  

          DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來(lái)了:頻率、帶寬提升,功耗降低

          • 去年下半年開(kāi)始,使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同,但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來(lái),那么它今天真的來(lái)了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范,但是很顯然跳票了。兩年后的今天,新規(guī)范正式公布,同時(shí)各大內(nèi)存廠(chǎng)商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn),不過(guò)一開(kāi)始會(huì)用在服務(wù)器上,后來(lái)才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率,其中
          • 關(guān)鍵字: DDR5  內(nèi)存  

          Intel拍胸脯:DDR5、PCIe 5.0明年見(jiàn)!

          • 因?yàn)榉N種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線(xiàn)圖經(jīng)常出現(xiàn)變動(dòng),無(wú)論是消費(fèi)級(jí)還是企業(yè)級(jí)。在近日與投資者溝通時(shí),Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說(shuō),將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號(hào)Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺(tái),明年某個(gè)時(shí)候則會(huì)帶來(lái)Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動(dòng)端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時(shí)不詳(據(jù)說(shuō)最多38核心),
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  CPU處理器  服務(wù)器  DDR5  至強(qiáng)  PCIe 5.0  Sapphire Rapids  

          SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

          • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠(chǎng)商一般都會(huì)從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說(shuō),DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  SK海力士  DDR5  

          SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

          •        盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾?! 『?jiǎn)單來(lái)說(shuō),DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠(chǎng)商一般都會(huì)從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)?! 『诵娜萘棵芏确矫妫琒K海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說(shuō),DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB?! ∑渌鼌?shù)也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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