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將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
- 聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”，因此視為共犯。 我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個合作案當中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過程中，有無竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
- 關(guān)鍵字： DRAM 聯(lián)電
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關(guān)鍵字： DRAM
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
臺專家：中國半導體發(fā)展模式的探討
- 大陸半導體業(yè)發(fā)展進程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進時期、全面布局的重點建設(shè)時期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點。 爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀發(fā)展戰(zhàn)略的帶動，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
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美光：未來兩季 DRAM供不應(yīng)求
- 美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來兩季DRAM仍是供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。 他強調(diào)，美光在上季公布財報時也預(yù)估本季營收和獲利展望，同時看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來營運表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁，但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無法滿足市場需求，預(yù)估未來兩季，DRAM仍供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。 艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著眼于制程技術(shù)推進，短期內(nèi)不會增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠，包括三星、SK海力士，也是
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聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能
- 中國臺灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學工業(yè)園區(qū)審議委員會的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時間預(yù)計3年的情況下，則新廠2020年將可進入投產(chǎn)。 華邦電為臺灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片，2017年年底將擴增至4.8萬片，2018年底則擴增到5.3萬片。未來，最大的擴充能量到5.5萬片時就已經(jīng)將當前臺中廠的剩余空間給全部用光。 因此，面
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服務(wù)器DRAM大熱賣、報價季季漲 南亞科宜鼎受惠
- 今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺，英特爾Purley平臺已經(jīng)開始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開始放量出貨，而在云端運算、人工智能的帶動下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報價又調(diào)漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢無疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢下，專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會大受益。 DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開出，業(yè)者多采制程推進增加有限產(chǎn)出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長，帶動今年以來DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價今年上半年已大漲逾4成幅度
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM
全球半導體企業(yè)紛紛爭霸 中國成為“攪局者”
- 在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導體行業(yè)風云變幻，傳統(tǒng)代表廠商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購拉開了中國半導體產(chǎn)業(yè)登上國際舞臺的序幕。然而現(xiàn)在來看，前途仍然充滿荊棘! 國內(nèi)掀起半導體產(chǎn)業(yè)并購熱 半導體作為世界性產(chǎn)業(yè)，體現(xiàn)著一個國家的綜合實力。在日本，半導體被稱為“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。 8月23日晚，中國紫光集團斥資240億美元開始興建國內(nèi)首座先進存儲芯片廠，消息一經(jīng)傳出，引得國
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全球DRAM供應(yīng)量不足 HPE內(nèi)存價格暴漲
- 據(jù)消息人士透露，HPE公司自今日起將其服務(wù)器內(nèi)存價格提高了20%，由于目前正處于全球范圍內(nèi)DRAM供應(yīng)量短缺的恢復階段，因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高，從而導致了此番HPE服務(wù)器內(nèi)存價格上漲。與此同時，各DRAM廠商亦迎來創(chuàng)紀錄的銷售額新高。 在一封發(fā)送給貿(mào)易客戶的郵件中，HPE公司談到了涉及了這一定價變動，并解釋稱：“8月21日星期一，HPE將老版本與低容量內(nèi)存SKU的建議銷售價格提升10%至20%。” 以下內(nèi)存產(chǎn)品將受到影響：
- 關(guān)鍵字： DRAM HPE
MRAM接班主流存儲器指日可待
- 隨著更多業(yè)者進入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現(xiàn)有主流存儲器技術(shù)的未來前景。 或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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