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背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲(chǔ)DRAM實(shí)力能否殺出重圍？
- 在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線一期項(xiàng)目開工儀式。 據(jù)資料顯示，晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)項(xiàng)目由福建省電子信息集團(tuán)和泉州、晉江兩級(jí)政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預(yù)計(jì)于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國家重點(diǎn)支持的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，晉華項(xiàng)目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項(xiàng)目清單，并獲得首筆30億元國家專項(xiàng)建設(shè)基金支持。 此項(xiàng)目堪稱晉江所有重
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全球半導(dǎo)體2017年增速將達(dá)16%，其中10種產(chǎn)品增速可達(dá)兩位數(shù)
- ,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個(gè)大類。近日，市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場狀況的預(yù)期。 33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計(jì))如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價(jià)格異常出色，IC Insights預(yù)計(jì)2017年DRAM總銷售額同比增長55%，從而成為半導(dǎo)體細(xì)分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對(duì)DRAM市場而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)增長。在過去5年，DRAM要么是增長率
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三星計(jì)劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價(jià) 漲幅約10%
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計(jì)劃調(diào)漲第4季行動(dòng)式存儲(chǔ)器(Mobile DRAM)合約價(jià)，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢(shì)可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 存儲(chǔ)器業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強(qiáng)勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲(chǔ)器的整合架構(gòu)，帶動(dòng)DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價(jià)居高不下，
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三大內(nèi)存罕見同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢(shì)。 內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì)排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價(jià)格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及計(jì)算機(jī)三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強(qiáng)，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
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2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高
- 隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。 2017年全球DRAM市場規(guī)模將會(huì)年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機(jī)構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
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半導(dǎo)體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過哪些難關(guān)
- 過去兩年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。 通盤來看，全球前十大半導(dǎo)體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 國外對(duì)于中國半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施 眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導(dǎo)體廠商的，他們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術(shù)成熟，專利頗多，而對(duì)于中國近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
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DRAM 第三季度合約價(jià)持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價(jià)格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強(qiáng)勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價(jià)來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價(jià)亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)約4.6%，預(yù)估下半年價(jià)格將會(huì)維持小幅上漲態(tài)勢(shì)。 旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢(shì) DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時(shí)序進(jìn)入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
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存儲(chǔ)器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？
- RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別?！ RAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，就是它不需要刷新電路，不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年
- IC Insights的報(bào)告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。 不過因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲(chǔ)，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會(huì)加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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存儲(chǔ)芯片銷售飆升：SK海力士第二季度獲利創(chuàng)新高
- 北京時(shí)間7月25日上午消息，韓國芯片制造商SK海力士周二稱，由于存儲(chǔ)芯片需求強(qiáng)勁，其第二季營業(yè)利潤較上年同期飆升574%，創(chuàng)有史以來新高，符合市場預(yù)期。 該財(cái)報(bào)刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位，SK海力士因而有望朝分析師所預(yù)估的史上最高年?duì)I業(yè)利潤13萬億韓元(約合786.54億人民幣)邁進(jìn)。 SK海力士表示，4-6月獲利為3.1萬億韓元(約合187.56億人民幣)。營收增長70%至6.7萬億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長3%，平均售價(jià)上漲11%;NAND芯
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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