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三星移動DRAM逆勢調(diào)漲 SK海力士或可望受惠
- 傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機(jī)業(yè)者，協(xié)商提高移動DRAM(Mobile DRAM)價格過程占了上風(fēng)，將有助于2017年下半的半導(dǎo)體事業(yè)獲利表現(xiàn)。三星電子這項舉動，可望讓同為韓國存儲器大廠的SK海力士(SK Hynix)跟著受惠。 韓媒Business Post引述業(yè)界看法，指出三星電子預(yù)計從2017年第4季起，針對大中華地區(qū)智能手機(jī)業(yè)者，祭出10~20%的移動DRAM價格調(diào)漲策略，部分韓媒則是指出，三星電子這項舉動僅針對部分中低價智能手機(jī)業(yè)者。 韓國業(yè)界
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紫光國芯又有動作 下一代DRAM產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利
- 8月21日晚，據(jù)紫光國芯發(fā)布的2017上半年財報顯示，公司上半年盈利1.23億元，同比下降17.86%。新產(chǎn)品開發(fā)方面，紫光國芯最新開發(fā)完成的NAND Flash已經(jīng)開始了市場推廣，下一代DRAM產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利。 作為中國半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)，紫光國芯表示，受公司持續(xù)加大可編程系統(tǒng)芯片、存儲器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響，使得上半年凈利潤下滑。 據(jù)了解，紫光國芯主營業(yè)務(wù)為集成電路芯片設(shè)計與銷售，并致力于向用戶提供先進(jìn)的芯片設(shè)計產(chǎn)品以及專業(yè)的芯片解決方案。產(chǎn)品主要包括智能卡芯片、特種集成
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圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計布局，紫光國芯下一代DRAM開發(fā)順利
- 今年以來，全球集成電路市場增長迅速，我國集成電路產(chǎn)業(yè)在國家政策引導(dǎo)、市場需求拉動的雙重作用下，繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中，頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國際合作”相結(jié)合的發(fā)展路徑，圍繞芯片設(shè)計核心業(yè)務(wù)，同時開拓了存儲器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用市場。 8月21日晚間，紫光國芯發(fā)布了2017上半年財報，財報顯示，公司上半年實現(xiàn)營收8.01億元，同比增長24.01%;歸
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臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
- 關(guān)鍵字： DRAM 聯(lián)電
三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴(yán)重。 業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價遠(yuǎn)比DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
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第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%
- 集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成，行動式內(nèi)存則因中國品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量，價格僅小幅上漲5%內(nèi)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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IC Insights:今年全球IC分類增長排行,DRAM達(dá)55%
- 根據(jù)市場研究調(diào)查機(jī)構(gòu) IC Insights 的預(yù)估，2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中，在DRAM將成長更將達(dá) 55%，將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產(chǎn)品。 ? IC Insights 表示，DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%，也都是當(dāng)年成長最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。 統(tǒng)計過去 5 年，DRAM 市場經(jīng)常是成長最大，或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項目，顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過，DRAM 市
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背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲DRAM實力能否殺出重圍？
- 在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線一期項目開工儀式。 據(jù)資料顯示，晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團(tuán)和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預(yù)計于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專項建設(shè)基金支持。 此項目堪稱晉江所有重
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全球半導(dǎo)體2017年增速將達(dá)16%，其中10種產(chǎn)品增速可達(dá)兩位數(shù)
- ,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個大類。近日，市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場狀況的預(yù)期。 33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計)如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價格異常出色，IC Insights預(yù)計2017年DRAM總銷售額同比增長55%，從而成為半導(dǎo)體細(xì)分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個產(chǎn)業(yè)增長。在過去5年，DRAM要么是增長率
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三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 存儲器業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強(qiáng)勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構(gòu)，帶動DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下，
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三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。 內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及計算機(jī)三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強(qiáng)，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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