dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區(qū)
三星內(nèi)存霸占手機(jī)：市場份額創(chuàng)紀(jì)錄
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2016年第三季度的全球移動DRAM內(nèi)存市場上，三星電子的份額已經(jīng)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個百分點(diǎn)。 當(dāng)季，三星移動內(nèi)存業(yè)務(wù)收入達(dá)29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。 作為三星的頭號對手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規(guī)模，不過兩家合計已經(jīng)占到了87.3%。 美光位列第三，但形勢也不太好，跌落到10.6%。臺灣南亞有所上升，但也不過1.3%。 上
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第三季移動DRAM內(nèi)存產(chǎn)值季增16.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于全球智能手機(jī)進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價格同步上揚(yáng)，第三季行動式內(nèi)存總產(chǎn)值達(dá)45.88億美元，季成長約16.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋果iPhone 7與三星Note 7旗艦機(jī)型發(fā)布，讓全球行動式內(nèi)存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動作已為第三季行動式內(nèi)存的營收做出貢獻(xiàn)。 以三大DRAM廠行動式內(nèi)存營收市占來
- 關(guān)鍵字： DRAM
兆易創(chuàng)新即將與ISSI整并 成國產(chǎn)DRAM新?lián)?dāng)？
- 中國發(fā)展半導(dǎo)體在存儲始終無法取得突破性進(jìn)展，現(xiàn)在有關(guān)廠商團(tuán)隊都積極動起來，近來相關(guān)整并、建廠消息一樁接一樁。早前曾報導(dǎo)過，中國NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新(Gigadevice)可能與武岳峰等中國基金所收購的美國DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息! 19 日上海交易所上市的兆易創(chuàng)新再發(fā)停牌公告，以正在籌劃重大事項(xiàng)為由，即日起將持續(xù)停牌，今年9 月中開始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 DRAM
TrendForce：價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來于第四
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來于第四
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
- 近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
- 關(guān)鍵字： DRAM 長江存儲
SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案，實(shí)現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時啟動
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應(yīng)用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗(yàn)證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實(shí)現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴(kuò)展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設(shè)計。 該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別，包括
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 DRAM
三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預(yù)估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進(jìn)。 韓聯(lián)社等外媒報導(dǎo)，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
TrendForce：十月DRAM價格月漲逾20%，4GB模組均價來到17.5美元
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強(qiáng)勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)行動式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存后，
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
韓國成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
- 南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國家隊，由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”，預(yù)料以存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。 業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機(jī)吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，技術(shù)差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日報導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
dram相關(guān)帖子
dram資料下載
dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473