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福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過(guò) 打造中國(guó)內(nèi)存基地
- 記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉，《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡(jiǎn)稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過(guò)專家論證，一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 據(jù)介紹，《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來(lái)十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍(lán)圖，提出到2025年，將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。 論證會(huì)由工信部電子一所副所長(zhǎng)萬(wàn)鵬遠(yuǎn)主持。在3個(gè)多小時(shí)的論證會(huì)上，中科院半導(dǎo)體所所長(zhǎng)李樹(shù)深，中科院微
- 關(guān)鍵字： 集成電路 DRAM
集邦科技：DRAM價(jià)格Q3將漲4~8%
- 由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價(jià)格，集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價(jià)上漲趨勢(shì)確立，漲幅約4～8%。 DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，經(jīng)過(guò)近兩年的續(xù)跌，6月合約價(jià)已呈現(xiàn)持平，普遍用12.5美元價(jià)格議定完成。DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，DDR3 4GB合約均價(jià)從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達(dá)62%。 吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價(jià)起漲，起因于標(biāo)準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字： 集邦科技 DRAM
日經(jīng):PC用DRAM價(jià)格月增6%，能見(jiàn)度到九月
- 行動(dòng)記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時(shí)， PC用DRAM卻也因此受惠，現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)攀升。 據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，行情指標(biāo)4-Gigabit DDR3 DRAM過(guò)去一個(gè)月上漲6%，目前來(lái)到1.74美元，某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見(jiàn)度明明不佳，但PC用DRAM價(jià)格之所以還能往上攀升，是因?yàn)槊拦獾扔洃涹w大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動(dòng)產(chǎn)品，以致供給減少。 PC制造商夏季機(jī)種目前已陸續(xù)上市，盡管此時(shí)季節(jié)性需求已開(kāi)始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月，
- 關(guān)鍵字： PC DRAM
TrendForce：原廠控制產(chǎn)出，2017年DRAM價(jià)格止跌回穩(wěn)露曙光
- DRAM產(chǎn)業(yè)因長(zhǎng)期需求不振，合約價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)19個(gè)月的跌幅趨勢(shì)。今年五月底DDR4合約均價(jià)為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季個(gè)人電腦(PC)將進(jìn)入出貨高峰、中國(guó)品牌智能手機(jī)出貨持續(xù)走揚(yáng)，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動(dòng)能，將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外，各家DRAM供貨商對(duì)于制程轉(zhuǎn)進(jìn)的態(tài)度趨于
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康
- 蘋果iPhone 7已展開(kāi)備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。 創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢(shì)成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長(zhǎng)陳立白日
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
威剛：DRAM軍備賽三星帶頭喊卡 2年半空頭市場(chǎng)將走完
- 臺(tái)存儲(chǔ)器模組廠威剛董事長(zhǎng)陳立白指出，觀察國(guó)際龍頭大廠動(dòng)向，全球DRAM軍備競(jìng)賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節(jié)制資本支出的情況下停止，預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景氣將好轉(zhuǎn)，為期兩年半的DRAM空頭市場(chǎng)將走完。 陳立白認(rèn)為，三星在DRAM的資本支出上踩煞車，影響接近45%的供貨，接下來(lái)就要看SK海力士的態(tài)度，如果海力士也認(rèn)同避免軍備競(jìng)賽的移動(dòng)，開(kāi)始節(jié)制資本支出，對(duì)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)就是美事一樁。 據(jù)臺(tái)存儲(chǔ)器模組業(yè)者表示，SK海力士新董事長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字： 威剛 DRAM
三星海力士DRAM市場(chǎng)占有率繼續(xù)增長(zhǎng) 營(yíng)收不增反降
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。 盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。 SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來(lái)卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率，從去年第四
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
三星+海力士移動(dòng)DRAM逼近九成，美光瀕臨淘汰
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr) 盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。 SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來(lái)卻較前期倒退23.1%，成為9.03
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
美光漲逾7%！應(yīng)材估DRAM資本支出降溫、三星傳縮手
- 半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營(yíng)收預(yù)估值擊敗分析師預(yù)估，帶動(dòng)20日股價(jià)跳漲13.81%、收22.66美元，漲幅不但居費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股30支成分股之冠，收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來(lái)收盤新高。 美國(guó)記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元，創(chuàng)4月28日以來(lái)收盤新高。TheStreet.com 20日?qǐng)?bào)導(dǎo)，應(yīng)材在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上指出，投資活動(dòng)逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃記憶體
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，第一季全球DRAM總產(chǎn)值環(huán)比衰退16.6%
- TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，受到市況持續(xù)供過(guò)于求、平均銷售單價(jià)下降影響，2016年第一季全球DRAM總產(chǎn)值為85.6億美元，環(huán)比衰退16.6%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第一季為傳統(tǒng)淡季，除中國(guó)市場(chǎng)的智能手機(jī)略有庫(kù)存回補(bǔ)的需求以外，筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修，導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)象更為明顯。 三星營(yíng)收持續(xù)摘冠，美光集團(tuán)開(kāi)始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn) 三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭，第一季營(yíng)收雖下跌16.6%，
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DIGITIMES專欄：三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開(kāi)發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn)，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題，三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù)，以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三星于DRAM 18納米制程將運(yùn)用自動(dòng)對(duì)位QPT(Self A
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
福建晉華攜手聯(lián)電 開(kāi)發(fā)制程DRAM技術(shù)
- 晶圓代工廠聯(lián)電昨天宣布，與中國(guó)大陸福建官方投資的晉華集成電路，簽署技術(shù)合作協(xié)議，由聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。 聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，所開(kāi)發(fā)技術(shù)將應(yīng)用于利基型DRAM生產(chǎn)，但該公司沒(méi)有要進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。外界解讀，聯(lián)電現(xiàn)階段雖然僅投入利基型記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)視兩岸政策與市場(chǎng)情況，說(shuō)不定將進(jìn)入相關(guān)代工領(lǐng)域。 聯(lián)電表示，這次的合作協(xié)議結(jié)合臺(tái)灣的半導(dǎo)體制造能力，及中國(guó)大陸的市場(chǎng)與資金，在臺(tái)灣進(jìn)行技術(shù)研發(fā)。雙方合作開(kāi)發(fā)的技術(shù)，主要應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn)，不僅能提供國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司使用，也能結(jié)合
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 DRAM
大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖
- 工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。 聯(lián)電接受中國(guó)大陸福建省晉華集成電路委托，開(kāi)發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù)，引起各界關(guān)注。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長(zhǎng)楊瑞臨認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM似乎已勢(shì)在必行。 楊瑞臨指出，中國(guó)大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)技術(shù)的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
- 關(guān)鍵字： DRAM 海力士
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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