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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向
- 中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。 某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。 預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 拓墣
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認識嗎？
- Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點，給大家一個全新認識?！ ∫弧IC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉
- 資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。 此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： Flash SAS
手機標(biāo)稱16G內(nèi)存，為何實際卻少于16G
- 摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH eMMC
中國下個購并標(biāo)的：NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司，期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?，F(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 芯片
TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限
- 全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
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PA數(shù)據(jù)鏈路解密之PCI-E總線
- 摘要：作為新一代的通用總線接口標(biāo)準(zhǔn)，PCI-Express(PCI-E)高帶寬、低延遲、可擴展、支持熱插拔等優(yōu)點，使其全面取代了PCI、AGP等早期總線。ZLG致遠電子功率分析儀的內(nèi)部多個高速數(shù)據(jù)總線中，也包含了PCI-E。下面我們來一起認識這一接口?！ ?.1 架構(gòu) 圖 1 框架圖 1、 Root Complex(RC) PCI-E根控制器，集成在主處理器系統(tǒng)中，管理處理器與PCIE設(shè)備的連接?！ ?、 Switch PCI-E交換設(shè)備，用于PCI-E總線的擴展?！ ?、 Bridge P
- 關(guān)鍵字： PCI-E PCI-E
掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應(yīng)用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD
中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
- 關(guān)鍵字： AND Flash
第11屆中國制造業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)新數(shù)字化國際峰會2015
- 會議通知 通過推進工業(yè)現(xiàn)代化、自動化和信息化的深度融合，提升企業(yè)核心競爭力是當(dāng)前中國制造企業(yè)發(fā)展的主旋律。將信息化、數(shù)字化等相關(guān)技術(shù)將更深入的融合到企業(yè)的產(chǎn)品、業(yè)務(wù)、管理和決策支持體系中，通過對數(shù)據(jù)、流程、方法、知識和工具的管理和分析，為企業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展提供更可靠的管理平臺和技術(shù)保障。 在2015年，e-works將繼續(xù)秉承“專注制造業(yè)、執(zhí)著信息化”的服務(wù)理念，持續(xù)推進我國制造業(yè)信息化的發(fā)展，為制造企業(yè)提供學(xué)習(xí)、了解和借鑒信息化最新技術(shù)、產(chǎn)品和成功案例的交流機會，歡迎各
- 關(guān)鍵字： 制造業(yè) e-works
Vishay贊助的電動方程車贏得總冠軍
- 不久前，威世科技(Vishay)攜手貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)贊助的車隊勇奪國際汽聯(lián)電動方程式(FIA Formula E)錦標(biāo)賽首個賽季車手總冠軍，F(xiàn)E NEXTEV Team China Racing(簡稱TCR)車隊車手Nelson Piquet Jr.也成為了國際汽聯(lián)電動方程式歷史上的首位年度總冠軍。Vishay與FE賽事 電動方程式——Formula E(縮寫FE)，是國際汽車聯(lián)合會(FIA)新推出的一項賽事，參賽車輛使用純電力驅(qū)動。而Vishay一直致力于電動車技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Vishay 貿(mào)澤 FIA Formula E 201510
安森美半導(dǎo)體智能功率模塊在中國連續(xù)第二次獲“最佳產(chǎn)品獎”
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，今天宣布其智能功率模塊(IPM) STK57FU391A-E獲EDN China《電子技術(shù)設(shè)計》2015年度創(chuàng)新獎中功率與驅(qū)動器件類最佳產(chǎn)品獎。 這是用于空調(diào)壓縮機驅(qū)動的STK57FU391A-E IPM連續(xù)第二年被選為最佳產(chǎn)品。EDN China創(chuàng)新獎表彰提供創(chuàng)新的設(shè)計理念或技術(shù)性能、迎合市場需求、并已受到客戶好評的出色的電子產(chǎn)品。入圍產(chǎn)品需通過EDN China編輯審核、網(wǎng)上投票及創(chuàng)新獎專家委員會評選。 去年，該IPM獲
- 關(guān)鍵字： 安森美 STK57FU391A-E
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