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安森美半導(dǎo)體智能功率模塊在中國連續(xù)第二次獲“最佳產(chǎn)品獎”
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，今天宣布其智能功率模塊(IPM) STK57FU391A-E獲EDN China《電子技術(shù)設(shè)計》2015年度創(chuàng)新獎中功率與驅(qū)動器件類最佳產(chǎn)品獎。 這是用于空調(diào)壓縮機驅(qū)動的STK57FU391A-E IPM連續(xù)第二年被選為最佳產(chǎn)品。EDN China創(chuàng)新獎表彰提供創(chuàng)新的設(shè)計理念或技術(shù)性能、迎合市場需求、并已受到客戶好評的出色的電子產(chǎn)品。入圍產(chǎn)品需通過EDN China編輯審核、網(wǎng)上投票及創(chuàng)新獎專家委員會評選。 去年，該IPM獲
- 關(guān)鍵字： 安森美 STK57FU391A-E
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計
- 筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。 圖1存儲部分原理框圖 在設(shè)計中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運
- 關(guān)鍵字： ARM7 FLASH
2015年（第六屆）中國汽車行業(yè)信息化深化應(yīng)用論壇
- 尊敬的先生/女士： e-works數(shù)字化企業(yè)網(wǎng)總編黃培博士誠摯邀請您出席于5月27日(周三)在廣州市舉行“2015(第六屆)中國汽車行業(yè)信息化深化應(yīng)用論壇”，共同探討我國汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展與信息化應(yīng)用中的熱點問題，了解全球和我國智能制造技術(shù)的最新發(fā)展與在汽車行業(yè)的應(yīng)用趨勢。 當前，德國工業(yè)4.0如火如荼，我國也將實施“中國制造2025”國家戰(zhàn)略，二者的核心都是智能制造。智能制造包括智能產(chǎn)品、智能裝備、智能工廠、智能管理和智能服務(wù)等方面，涉及到信息化
- 關(guān)鍵字： e-works 工業(yè)4.0
研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash
基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計
- 1 VxWorks系統(tǒng)的啟動流程 嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動包括兩個階段，一是BootRom引導(dǎo)，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標板上運行的操作系統(tǒng)。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。 VxWorks內(nèi)核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機采
- 關(guān)鍵字： VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD
NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！
- 2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。 BusinessKorea報導(dǎo)，IHS 13日報告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash
儲存市場新廠突圍 傳統(tǒng)大廠嚴陣以待
- 儲存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費者預(yù)期未來將擴大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢。 據(jù)TechRadar報導(dǎo)，全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。 據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
- 關(guān)鍵字： IBM SSD Flash
東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星
- 三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D Flash
2015中國信息化與工業(yè)化融合發(fā)展高峰論壇圓滿落幕
- 2015年3月19日-20日，由e-works主辦、中國機電一體化技術(shù)應(yīng)用協(xié)會支持的“2015(第四屆)中國信息化與工業(yè)化融合發(fā)展高峰論壇”在北京成功召開。本次論壇邀請了工信部領(lǐng)導(dǎo)、制造業(yè)專家和經(jīng)濟學(xué)家、知名制造企業(yè)CEO、CIO、主流咨詢服務(wù)機構(gòu)的咨詢專家，共同討論新常態(tài)下我國制造企業(yè)實現(xiàn)轉(zhuǎn)型升級的策略，解讀了面對李克強總理提出的中國制造業(yè)“2025規(guī)劃”，我國工業(yè)企業(yè)如何實現(xiàn)新常態(tài)下信息化與工業(yè)化的深度融合，進而實現(xiàn)智能制造，繪制屬于我國現(xiàn)代工業(yè)轉(zhuǎn)型
- 關(guān)鍵字： e-works 工業(yè)4.0
大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升
- 中國大陸智能型手機的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
2015(第四屆)中國信息化和工業(yè)化融合發(fā)展高峰論壇即將在北京舉行
- 由e-works數(shù)字化企業(yè)網(wǎng)主辦，以“新常態(tài)下的制造業(yè)轉(zhuǎn)型之路”為主題的“2015(第四屆)中國信息化和工業(yè)化融合發(fā)展高峰論壇”定于3月19日-20日在北京召開。 屆時，論壇將邀請工信部領(lǐng)導(dǎo)、制造業(yè)專家和經(jīng)濟學(xué)家、知名制造企業(yè)CEO及CIO、主流咨詢服務(wù)機構(gòu)的專家，共同討論新常態(tài)下我國制造企業(yè)實現(xiàn)轉(zhuǎn)型升級的策略，分享制造企業(yè)轉(zhuǎn)型和兩化融合推進的成功案例，研討兩化深度融合的推進策略和兩化融合管理體系的推進實施。 本屆論壇的主題是“新
- 關(guān)鍵字： e-works 工業(yè)化
半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭
- 2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟的報導(dǎo)，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4
淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進制程的轉(zhuǎn)進，改善成本架構(gòu)，以減低價格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺廠合作大門
- 存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴大進擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Mobile RAM
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