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          英特爾Broadwell-E據(jù)稱推遲到2016年 Skylake-S已經(jīng)

          • 英特爾喜歡為每一個(gè)新的CPU架構(gòu)推出數(shù)款發(fā)燒級(jí)產(chǎn)品。例如最近我們看到英特爾推出的Haswell-E產(chǎn)品線,這是普通Haswell產(chǎn)品發(fā)布一年之后的發(fā)燒級(jí)產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  Broadwell-E  Skylake-S   

          三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

          • 全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
          • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

          NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

          • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高,采購(gòu)意愿薄弱,
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          如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

          • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn),他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
          • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

          從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

          • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
          • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

          DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

          • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
          • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計(jì)  FlaSh  DSP  

          NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

          • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我
          • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

          PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)明年發(fā)布 PCI-E 5.0正在規(guī)劃

          •   PCI-E 2.0標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布四年后的2010年,PCI-E 3.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范歷經(jīng)磨難終于正式誕生,距今已經(jīng)長(zhǎng)達(dá)六年,在快速發(fā)展的科技行業(yè)內(nèi)有些不可思議。   其實(shí)這些年里,PCI-E 4.0也曾多次被人提及,但一直只是個(gè)概念,而根據(jù)PCI SIG組織的最新規(guī)劃,PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)將在2017年正式發(fā)布。   和以往歷代標(biāo)準(zhǔn)一樣,PCI-E 4.0的主要使命也是繼續(xù)提速,數(shù)據(jù)傳輸率將從PCI-E 3.0 8GT/s翻番到16GT/s。   事實(shí)上,PCI-E 3.0能達(dá)到這么高的速度是費(fèi)了老鼻子勁
          • 關(guān)鍵字: PCI-E   

          東芝跑第一,64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

          •   據(jù)海外媒體報(bào)道,韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商,不過其NAND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布已領(lǐng)先全球同業(yè),研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖),且開始進(jìn)行送樣。   東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布,已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨,且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
          • 關(guān)鍵字: 東芝  Flash   

          全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

          •   許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列,也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng)   在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
          • 關(guān)鍵字: Flash  存儲(chǔ)器  

          全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

          •   許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列,也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng)   在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲(chǔ)存陣
          • 關(guān)鍵字: Flash  存儲(chǔ)器  

          中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

          • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類,國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況,及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  市場(chǎng)  DRAM  Flash  201607  

          NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯 價(jià)格走揚(yáng)

          •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。   TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng),而近一個(gè)月漲幅開始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆琋AND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          火災(zāi)后瘋7供應(yīng)商三星Flash廠部分復(fù)工

          • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響,對(duì)供應(yīng)緊張的NAND Flash雪上加霜,不過事故后回復(fù)速度很快,給當(dāng)?shù)毓╇娋趾腿菓?yīng)急處理點(diǎn)個(gè)贊。
          • 關(guān)鍵字: 三星  Flash  

          下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì)非常缺

          •   全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應(yīng)。   慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心,立足全球的國(guó)際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來新高,市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會(huì)后,針對(duì)今年NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  
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