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專利設(shè)計發(fā)功　ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET

　　SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機(jī)制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。　　羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。　　羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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高頻開關(guān)電源原理

　　導(dǎo)讀：本文主要介紹的是高頻開關(guān)電源的原理，感興趣的盆友們快來學(xué)習(xí)一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~ 1.高頻開關(guān)電源原理--簡介　　高頻開關(guān)電源，其英文名稱為Switching Mode Power Supply，又稱交換式電源、開關(guān)變換器以及開關(guān)型整流器SMR，它是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置。其功能是將一個位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。它主要是通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實現(xiàn)高效率和小型化。 2.高頻開關(guān)電源原
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET 高頻開關(guān)電源原理

一款專為SiC Mosfet設(shè)計的DC-DC模塊電源

　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預(yù)見，SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! 　　SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢：　　i. 低導(dǎo)通電阻RDS
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世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。　　另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
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Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計針對負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。　　降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨(dú)立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設(shè)計靈活性，
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴(kuò)大具有寬間距、以小尺寸實現(xiàn)大電流承載能力的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）系列

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球，進(jìn)一步擴(kuò)大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現(xiàn)大電流承載能力。　　與具有相同的電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關(guān)性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC及AC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流應(yīng)用、馬達(dá)驅(qū)動器及D
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鋰離子電池組監(jiān)控系統(tǒng)研究與實現(xiàn) — 鋰電池組管理系統(tǒng)測試及結(jié)論

　　本系統(tǒng)的電路板已經(jīng)設(shè)計成功并投入實際測試，系統(tǒng)電路板如圖7.1所示。　　　　對鋰電池組管理系統(tǒng)的測試主要包括電壓采集、溫度采集、電流檢測、過充和過放電保護(hù)功能、短路保護(hù)功能、溫度保護(hù)功能等內(nèi)容。　　7.1電壓采集功能測試　　測試電壓采集功能時，首先按圖7.2所示方法連接系統(tǒng)。　　　　將鋰電池組、保護(hù)器和上位機(jī)連接好后，用4位半高精度萬用表對所有單體鋰電池的電壓(用電池組模擬器產(chǎn)生)進(jìn)行測量，并觀察上位機(jī)應(yīng)用程序顯示的數(shù)據(jù)，進(jìn)行比較和記錄。
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基于DSP的雙電動機(jī)同步控制平臺設(shè)計

　　引言　　長期以來，電動機(jī)作為機(jī)械能和電能的轉(zhuǎn)換裝置，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。無刷直流電動機(jī)綜合了直流電動機(jī)和交流電動機(jī)的優(yōu)點(diǎn)，既具有交流電動機(jī)結(jié)構(gòu)簡單、運(yùn)行可靠、維護(hù)方便的特點(diǎn)，又具有直流電動機(jī)運(yùn)行效率高、調(diào)速性能好的優(yōu)點(diǎn)。正是這些優(yōu)點(diǎn)使得無刷直流電動機(jī)在當(dāng)今國民經(jīng)濟(jì)的很多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。無刷直流電動機(jī)采用電子換向裝置，根據(jù)位置傳感器檢測到的位置信號，通過DSP(數(shù)字信號處理器)產(chǎn)生一定的邏輯控制PWM波形來驅(qū)動電動機(jī)，實現(xiàn)無刷直流電動機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)轉(zhuǎn)。近年來，隨著工業(yè)的快速發(fā)展，對產(chǎn)品性能的
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高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件

　　1 MIL-STD-1275D 的要求　　MIL-STD-1275D 定義了各種情況，最重要的是，對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨(dú)立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求：啟動模式、正常運(yùn)行模式和僅發(fā)動機(jī)模式。　　在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細(xì)節(jié)之前，先來看一下工作模式。毫不奇怪，“啟動模式”描述的是引擎啟動時發(fā)生的情況;“正常運(yùn)行模式”描述的
關(guān)鍵字：凌力爾特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 紋波

COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本

　　目前世界每年所生產(chǎn)的800萬輛汽車之中，傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導(dǎo)技術(shù)，用來為電動汽車提供電源，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)。現(xiàn)在，總負(fù)載已經(jīng)輕松達(dá)到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數(shù)字視頻和觸摸屏);更復(fù)雜的安全特性，如電子駐車制動器(EPB)，防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能，如電子動力轉(zhuǎn)向(EPS)，起停微混合，48V板網(wǎng)結(jié)構(gòu)……，都能將功率要求提到更高的水平。另一方面，嚴(yán)格的整體要求主要在于促進(jìn)降低油耗，混合和電動汽車迅速增長
關(guān)鍵字： COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片

BCM硬件設(shè)計的平臺化和半導(dǎo)體化(下)

　　接上篇　　4 設(shè)計趨勢　　目前BCM設(shè)計技術(shù)日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設(shè)計者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行，關(guān)于功能安全的考慮在BCM設(shè)計中將會得到更多的體現(xiàn)。　　4.1 集成度和靈活性　　隨著汽車電子的發(fā)展，目前BCM設(shè)計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。主要通過器件的兼容性來實現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個
關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負(fù)載 MOSFET SPI

BCM硬件設(shè)計的平臺化和半導(dǎo)體化(中)

　　接上篇　　2.2 驅(qū)動類型　　在BCM設(shè)計中涉及到許多負(fù)載，對應(yīng)不同的負(fù)載會采用不同的驅(qū)動類型，主要包括開關(guān)驅(qū)動和LED驅(qū)動兩類。　　2.2.1 開關(guān)驅(qū)動　　驅(qū)動類型主要是從驅(qū)動負(fù)載的電路拓?fù)浼右钥紤]，主要有高邊驅(qū)動、低邊驅(qū)動、半橋驅(qū)動和全橋驅(qū)動(包括兩相全橋和三相全橋)四種，如圖8所示。　　這四種拓?fù)涑２捎瞄_關(guān)器件來實現(xiàn)，開關(guān)器件種類很多，其中常見的有機(jī)械開關(guān)和半導(dǎo)體開關(guān)兩種，出于能效和壽命方面的優(yōu)勢，目前半導(dǎo)體開關(guān)是BCM設(shè)計中的主流選擇。半導(dǎo)體開關(guān)中有三極管、MOSFET和I
關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負(fù)載 MOSFET MCU

帶狀鍵合5x6mm PQFN為車用MOSFET提高了密度

　　1 汽車電氣化要求系統(tǒng)設(shè)計者提高電源密度　　由于嚴(yán)格要求降低CO2污染和提高燃料經(jīng)濟(jì)性，汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創(chuàng)新型電子電路代替機(jī)械解決方案(例如轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)。現(xiàn)在，總負(fù)載能夠輕松達(dá)到3 kW或更高，還有很多汽車應(yīng)用將汽車的電力負(fù)載提高到更高的水平。　　節(jié)油功能(例如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、啟停微混合和48V板網(wǎng)結(jié)構(gòu))、更復(fù)雜的安全特性(例如電動駐車
關(guān)鍵字： MOSFET DPAK SO-8 PQFN PCB

更強(qiáng)勁、更簡單：看電源模塊的未來趨勢

　　有線、無線網(wǎng)絡(luò)以及云計算的快速膨脹，這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢，帶動了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢。網(wǎng)絡(luò)吞吐量的迅速攀升，需要強(qiáng)大而復(fù)雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這，需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。　　最近，Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數(shù)字電源模塊ISL8272M，從它我們可以看出電源模塊領(lǐng)域的一些最新趨勢。　　Intersil公司高級應(yīng)用經(jīng)理梁志翔介紹說，Intersil開發(fā)電源模塊產(chǎn)品的歷史大概要從2008年開始算起，ISL8272M可以說
關(guān)鍵字： Intersil ISL8272M MOSFET 201504

8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

　　噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。　　附加相位噪聲測試技術(shù)及注意事項　　本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。　　用于4G-LTE
關(guān)鍵字：模塊電源 MOSFET