elitesic mosfet 文章進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)

基于DSP的雙電動機(jī)同步控制平臺設(shè)計(jì)

　　引言　　長期以來，電動機(jī)作為機(jī)械能和電能的轉(zhuǎn)換裝置，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。無刷直流電動機(jī)綜合了直流電動機(jī)和交流電動機(jī)的優(yōu)點(diǎn)，既具有交流電動機(jī)結(jié)構(gòu)簡單、運(yùn)行可靠、維護(hù)方便的特點(diǎn)，又具有直流電動機(jī)運(yùn)行效率高、調(diào)速性能好的優(yōu)點(diǎn)。正是這些優(yōu)點(diǎn)使得無刷直流電動機(jī)在當(dāng)今國民經(jīng)濟(jì)的很多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。無刷直流電動機(jī)采用電子換向裝置，根據(jù)位置傳感器檢測到的位置信號，通過DSP(數(shù)字信號處理器)產(chǎn)生一定的邏輯控制PWM波形來驅(qū)動電動機(jī)，實(shí)現(xiàn)無刷直流電動機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)轉(zhuǎn)。近年來，隨著工業(yè)的快速發(fā)展，對產(chǎn)品性能的
關(guān)鍵字： DSP MOSFET

高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件

　　1 MIL-STD-1275D 的要求　　MIL-STD-1275D 定義了各種情況，最重要的是，對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨(dú)立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求：啟動模式、正常運(yùn)行模式和僅發(fā)動機(jī)模式。　　在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細(xì)節(jié)之前，先來看一下工作模式。毫不奇怪，“啟動模式”描述的是引擎啟動時(shí)發(fā)生的情況;“正常運(yùn)行模式”描述的
關(guān)鍵字：凌力爾特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 紋波

COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本

　　目前世界每年所生產(chǎn)的800萬輛汽車之中，傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導(dǎo)技術(shù)，用來為電動汽車提供電源，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)?，F(xiàn)在，總負(fù)載已經(jīng)輕松達(dá)到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數(shù)字視頻和觸摸屏);更復(fù)雜的安全特性，如電子駐車制動器(EPB)，防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能，如電子動力轉(zhuǎn)向(EPS)，起停微混合，48V板網(wǎng)結(jié)構(gòu)……，都能將功率要求提到更高的水平。另一方面，嚴(yán)格的整體要求主要在于促進(jìn)降低油耗，混合和電動汽車迅速增長
關(guān)鍵字： COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片

BCM硬件設(shè)計(jì)的平臺化和半導(dǎo)體化(下)

　　接上篇　　4 設(shè)計(jì)趨勢　　目前BCM設(shè)計(jì)技術(shù)日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設(shè)計(jì)者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行，關(guān)于功能安全的考慮在BCM設(shè)計(jì)中將會得到更多的體現(xiàn)。　　4.1 集成度和靈活性　　隨著汽車電子的發(fā)展，目前BCM設(shè)計(jì)的趨勢是平臺化和高集成度化兩個(gè)趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。主要通過器件的兼容性來實(shí)現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個(gè)
關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負(fù)載 MOSFET SPI

BCM硬件設(shè)計(jì)的平臺化和半導(dǎo)體化(中)

　　接上篇　　2.2 驅(qū)動類型　　在BCM設(shè)計(jì)中涉及到許多負(fù)載，對應(yīng)不同的負(fù)載會采用不同的驅(qū)動類型，主要包括開關(guān)驅(qū)動和LED驅(qū)動兩類。　　2.2.1 開關(guān)驅(qū)動　　驅(qū)動類型主要是從驅(qū)動負(fù)載的電路拓?fù)浼右钥紤]，主要有高邊驅(qū)動、低邊驅(qū)動、半橋驅(qū)動和全橋驅(qū)動(包括兩相全橋和三相全橋)四種，如圖8所示。　　這四種拓?fù)涑２捎瞄_關(guān)器件來實(shí)現(xiàn)，開關(guān)器件種類很多，其中常見的有機(jī)械開關(guān)和半導(dǎo)體開關(guān)兩種，出于能效和壽命方面的優(yōu)勢，目前半導(dǎo)體開關(guān)是BCM設(shè)計(jì)中的主流選擇。半導(dǎo)體開關(guān)中有三極管、MOSFET和I
關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負(fù)載 MOSFET MCU

帶狀鍵合5x6mm PQFN為車用MOSFET提高了密度

　　1 汽車電氣化要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提高電源密度　　由于嚴(yán)格要求降低CO2污染和提高燃料經(jīng)濟(jì)性，汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創(chuàng)新型電子電路代替機(jī)械解決方案(例如轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)?，F(xiàn)在，總負(fù)載能夠輕松達(dá)到3 kW或更高，還有很多汽車應(yīng)用將汽車的電力負(fù)載提高到更高的水平。　　節(jié)油功能(例如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、啟停微混合和48V板網(wǎng)結(jié)構(gòu))、更復(fù)雜的安全特性(例如電動駐車
關(guān)鍵字： MOSFET DPAK SO-8 PQFN PCB

更強(qiáng)勁、更簡單：看電源模塊的未來趨勢

　　有線、無線網(wǎng)絡(luò)以及云計(jì)算的快速膨脹，這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢，帶動了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢。網(wǎng)絡(luò)吞吐量的迅速攀升，需要強(qiáng)大而復(fù)雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這，需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。　　最近，Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數(shù)字電源模塊ISL8272M，從它我們可以看出電源模塊領(lǐng)域的一些最新趨勢。　　Intersil公司高級應(yīng)用經(jīng)理梁志翔介紹說，Intersil開發(fā)電源模塊產(chǎn)品的歷史大概要從2008年開始算起，ISL8272M可以說
關(guān)鍵字： Intersil ISL8272M MOSFET 201504

8種噪聲測試技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

　　噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。　　附加相位噪聲測試技術(shù)及注意事項(xiàng) 　　本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實(shí)際的測試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項(xiàng)，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。　　用于4G-LTE
關(guān)鍵字：模塊電源 MOSFET

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

　　近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會產(chǎn)生散粒噪聲，并且可能攜帶內(nèi)部結(jié)構(gòu)的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著，已經(jīng)嚴(yán)重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機(jī)理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實(shí)現(xiàn)器件和電路的
關(guān)鍵字： MOSFET

CISSOID 公司推出 HADES v2

　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器和致動器應(yīng)用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動器 HADES® 在嚴(yán)酷的環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應(yīng)用需求。　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
關(guān)鍵字： CISSOID MOSFET

聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙調(diào)節(jié)系統(tǒng)研究

　　摘要：聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機(jī)脫離質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一，本文設(shè)計(jì)了一款基于聯(lián)合收獲機(jī)的凹板結(jié)構(gòu)，通過控制線性驅(qū)動器對凹板間隙進(jìn)行自動調(diào)節(jié)的系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙自動調(diào)節(jié)，通過試驗(yàn)研究結(jié)果表明：該系統(tǒng)調(diào)節(jié)方便實(shí)用，且調(diào)節(jié)精度在5%以內(nèi)。　　引言　　谷物聯(lián)合收獲機(jī)的作業(yè)性能指標(biāo)，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機(jī)的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉(zhuǎn)的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問通過，經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
關(guān)鍵字：凹板間隙 CAN PWM MOSFET BTS7960 201504

打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

　　摘要：本文通過對大唐恩智浦訪問，分析國產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。　　中國看世界，汽車電子是一個(gè)經(jīng)久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準(zhǔn)備好在這個(gè)市場上大展宏圖?中國首個(gè)汽車半導(dǎo)體設(shè)計(jì)合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導(dǎo)體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱：大唐恩智浦)，占盡著天時(shí)、地利、人和，如何通過建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流，使筆者對其創(chuàng)新理念
關(guān)鍵字：大唐恩智浦 MOSFET 汽車電子 201504

繼電器相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)及應(yīng)用電路設(shè)計(jì)匯總

　　繼電器是一種電控制器件，是當(dāng)輸入量(激勵(lì)量)的變化達(dá)到規(guī)定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關(guān)系。通常應(yīng)用于自動化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運(yùn)作的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。　　極限條件下的時(shí)間繼電器設(shè)計(jì)方案　　時(shí)間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
關(guān)鍵字： PIC18F6585 MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125°
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125° C，使更大的設(shè)計(jì)裕量成
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET