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          英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

          • 英飛凌科技(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA,壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案,可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

          • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  選擇  控制器  開關(guān)  系統(tǒng)  電源  

          Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

          • 引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng),更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點,因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著...
          • 關(guān)鍵字: Power  Trench  MOSFET  

          飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

          • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  飛兆  MOSFET  

          可編程大電流熱插拔控制

          • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板,不會中斷原電路板正在進行的工作狀態(tài),并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時,保護MOSFET器件。
          • 關(guān)鍵字: 熱插拔  MOSFET  

          MOSFET門極驅(qū)動電壓的優(yōu)化

          • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對同步整流器而言十分關(guān)鍵,因為多數(shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  門極驅(qū)動  電壓優(yōu)化  

          電源測試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

          • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標(biāo),MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性能、...
          • 關(guān)鍵字: TDS3000  示波器  MOSFET  

          2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場將達30億美元

          •   據(jù)市場研究機構(gòu)IMS Research的最新報告顯示,2016年,LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過30億美元。   報告認(rèn)為,隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布,LED照明市場快速增長,這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場,到2016年,大功率LED出貨量將達190億個,總值超過30億美元。   LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇,到2016年將可帶動20億美元的功率半導(dǎo)體市場。市面上具有各種不同的電子設(shè)計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣,這也給大
          • 關(guān)鍵字: LED照明  MOSFET  

          集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

          • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。
            關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個PIN腳功能(上接第1
          • 關(guān)鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

          IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

          Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項與設(shè)計要點

          • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻,因此在通信電源,服務(wù)器電源,電源適配器以及臺式電腦電...
          • 關(guān)鍵字: Super-junction  PFC  MOSFET  

          [組圖]800瓦MOSFET功放

          • 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合,看看參數(shù)吧:頻響寬度:10HZ--100KHZ失真度(8歐姆100W輸出時):0 ...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  功放  

          Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

          • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器,作為理想驅(qū)動二極管。同時,ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗,以及逾87%的滿載效率。
          • 關(guān)鍵字: Diodes  控制器  MOSFET  

          功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

          • 摘要:在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上,研究了無緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線,明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET,表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
          • 關(guān)鍵字: 二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率  

          智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能

          • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競爭激烈,他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加,但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源,并且
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  醫(yī)療設(shè)計  可靠性  性能    
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