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elitesic mosfet 文章 進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)
根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧
- 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計(jì)選擇一款MOSFET表面上看是十分簡(jiǎn)單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 導(dǎo)通阻抗 開(kāi)關(guān)電源
MOSFET應(yīng)用案例解析
- 1.開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 應(yīng)用案例
MOSFET的選型基礎(chǔ)
- MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSF...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 選型 應(yīng)用概覽
用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
- 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
- 關(guān)鍵字： CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
大功率開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
- 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
- 關(guān)鍵字： 大功率 開(kāi)關(guān)電源 功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)
大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解
- 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
- 關(guān)鍵字： 功率 MOSFET 變換器 柵極驅(qū)動(dòng)
汽車電子功率MOSFET解決方案
- 過(guò)去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰?..
- 關(guān)鍵字： 電子系統(tǒng) MOSFET 瞬態(tài)高壓
瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件
- 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布開(kāi)發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品（如無(wú)線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車）中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET，以便加強(qiáng)公司的整個(gè)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長(zhǎng)電池壽命的理性之選。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 MOSFET N0413N
高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
- 從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
IR推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡(jiǎn)化選型和電路設(shè)計(jì)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計(jì)師手冊(cè)，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊(cè)、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計(jì)技巧等。 IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負(fù)載和感測(cè)信號(hào)從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測(cè)試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
- 關(guān)鍵字： IR 微電子繼電器 MOSFET
IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無(wú)線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
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