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Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項(xiàng)，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨(dú)家供應(yīng)商。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT

　　日前，集設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)和全球銷(xiāo)售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。　　新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專(zhuān)利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長(zhǎng)電池的使用壽命，還可以使設(shè)計(jì)變的更簡(jiǎn)單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機(jī),電子書(shū)、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂(lè)播放器。　　AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
關(guān)鍵字： AOS MOSFET

在CCMPFC中，通過(guò)改善MOSFET技術(shù)可以減少開(kāi)關(guān)損耗，甚至可通過(guò)SiC技術(shù)改善升壓二極管來(lái)減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān) PFC MOSFET

開(kāi)關(guān)電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴(lài)于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開(kāi)關(guān)管和整流...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 IGBT MOSFET

當(dāng)前，設(shè)計(jì)人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)反激電路的挑戰(zhàn)，現(xiàn)在找到能夠簡(jiǎn)化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強(qiáng)大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設(shè)計(jì)人員無(wú)需應(yīng)用指南，也可以像電源專(zhuān)家一樣進(jìn)行“自動(dòng)化設(shè)計(jì)”、優(yōu)化或“先進(jìn)設(shè)計(jì)”。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET PSW

概述　　MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
關(guān)鍵字： MAX5054 MAX5057 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的性能。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁(yè)，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對(duì)于許多電子工程師來(lái)說(shuō)，他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
關(guān)鍵字：電流 MOSFET 功率理解

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，適用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的車(chē)用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。　　AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器具備三個(gè)獨(dú)立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專(zhuān)有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅(jiān)固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過(guò)外部電流感應(yīng)電阻來(lái)進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運(yùn)算放大器
關(guān)鍵字：國(guó)際整流器公司 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)IC

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款 ...
關(guān)鍵字：集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片

現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽(yáng)能電池”，這兩個(gè)領(lǐng)域都注重環(huán)保理念，需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 高速開(kāi)關(guān)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si8802DB

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。　　 ? 　　與前一代S系列器件相比，新的
關(guān)鍵字： Vishay Siliconix MOSFET