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自動(dòng)電平控制正弦波18MHz 穩(wěn)定振蕩器的設(shè)計(jì)

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TI推出可在25A電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò)90%高效率的同步MOSFET半橋

　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。　　NexF
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Vishay發(fā)布助客戶進(jìn)一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

　　日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET解決方案。　　傳統(tǒng)上，設(shè)計(jì)者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
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英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

　　英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)或PWM(脈寬調(diào)制)級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。　　C6系列是英飛凌推
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飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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TI 推出一款同步 MOSFET 半橋

　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。　　NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率生
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。　　Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。　　設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對(duì)M
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. 　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛前景看好

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%。　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率
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Maxim推出內(nèi)置MOSFET的供電設(shè)備(PSE)控制器

　　Maxim推出單端口、供電設(shè)備(PSE)控制器MAX5971A，適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網(wǎng)供電(PoE+)應(yīng)用。器件集成導(dǎo)通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測(cè)電阻，有效節(jié)省了空間和成本，能夠?yàn)镮P電話、IP照相機(jī)、無(wú)線LAN接入點(diǎn)以及視頻監(jiān)控照相機(jī)等用電設(shè)備(PD)提供每端口高達(dá)40W的功率。　　MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)。器件工作在32V至60V電壓范圍，為IEEE 802.3af/at兼容
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
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英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD

　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤(pán)，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場(chǎng)對(duì)時(shí)
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
關(guān)鍵字：解析能量雪崩 UIS MOSFET

基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
關(guān)鍵字：考量設(shè)計(jì) MOSFET 功率基于