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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
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Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開(kāi)發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負(fù)極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開(kāi)關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設(shè)計(jì)。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對(duì)基本切換功能的嚴(yán)格要求。 Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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IR 拓展堅(jiān)固可靠、系統(tǒng)可擴(kuò)展的車(chē)用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布拓展了車(chē)用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負(fù)載應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動(dòng)力汽車(chē)的電池開(kāi)關(guān)、微型混合動(dòng)力汽車(chē)的集成起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)等。 與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝器件相比，IR 的車(chē)用 DirectFET®2 器件可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)級(jí)尺寸和更低的成本，以及超高的性
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Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET 輕松應(yīng)對(duì)IP電話通信設(shè)備的嚴(yán)峻考驗(yàn)
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開(kāi)發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負(fù)極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開(kāi)關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設(shè)計(jì)。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對(duì)基本切換功能的嚴(yán)格要求。 Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路
- 前言 Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號(hào)用而開(kāi)發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴(kuò)展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨(dú)特的光電元件的特點(diǎn)、構(gòu)造、布線等。 FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品
- 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)已于近日宣布開(kāi)始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。 本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲(chǔ)器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā) 隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開(kāi)發(fā)出了“可通過(guò)機(jī)械實(shí)現(xiàn)、并擁有所有觸點(diǎn)構(gòu)成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，我們?cè)诠β蔒OSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車(chē) D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營(yíng)，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來(lái)改善總諧波失真
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基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
- 采用功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開(kāi)關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生、驅(qū)動(dòng)、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 激光器 觸發(fā)系統(tǒng)
Diodes 推出小型SOT963封裝器件
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過(guò)采用更大封裝的器件。 Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號(hào)雙MOS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET BJT TVS
MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算
- 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容 - 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 功耗計(jì)算
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