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          從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導體潛力無限
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計。　　與三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能?！　∮捎贕aN/AlGaN異質結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力?！　〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質結周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵集成方案如何提高功率密度
          
                                                            
            
                    	
          • 　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  GaN  功率變換器                          
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          不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術竟與5G 相關
          
                                                            
            
                    	
          • 　　過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍。　　當然，5G對數(shù)據傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧。　　而這里其實有一個有趣的事實：　　這項為5G手機帶來
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵產業(yè)鏈全景深度解析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 根據阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來看看。　　氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN  充電器                          
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          PI打出芯片組合拳 解決家電快充應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC?！　私猓琀iperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET，具有無損耗的電流檢測，同時集成有上
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          • 關鍵字：
                        PI  HiperLCS-2芯片組  HiperPFS-5  GaN                          
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          ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數(shù)據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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          • 關鍵字：
                        SiC  GaN  ROHM                           
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          ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產體制
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數(shù)據中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產品通過采用自有的結構，成功
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          • 關鍵字：
                        ROHM  150V  GaN  HEMT                          
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          半導體一周要聞3.7-3.11
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 1. 提前預定五年產能，全球半導體硅片進入黃金期！根據SEMI發(fā)布的數(shù)據顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
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          • 關鍵字：
                        半導體  GaN  芯片  產能                          
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          ST：發(fā)展碳化硅技術 關鍵在掌控整套產業(yè)鏈
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
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          • 關鍵字：
                        ST  GaN  SiC                          
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          安森美剝離晶圓制造廠達成最終協(xié)議改善成本結構
          
                                                            
            
                    	
          • 安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標是透過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)的財務業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產轉移到其全球制造網絡內更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結構。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane
 
El-Khoury表示：「該擬議的資產剝離表明我們正在實現(xiàn)優(yōu)化的制造網路，同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機
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          • 關鍵字：
                        安森美  晶圓制造廠  GaN                          
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          基于GaN的高功率密度快充正快速成長
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的，技術只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務器/ 通信電源、電機驅動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續(xù)引領氮化鎵開關器件的市場成長。相對于硅
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          • 關鍵字：
                        202201  GaN  英飛凌                          
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          ST已經做好部署，準備挖掘GaN的全部潛力
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術和應用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動向。
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          • 關鍵字：
                        202201  GaN                          
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