epc gan fet 文章 進入epc gan fet技術(shù)社區(qū)
GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開啟智能集成時代
- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機會，電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右：納微半導(dǎo)體級的高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
- 關(guān)鍵字： GaN 集成 202201
蘋果證實：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器
- 10月19日消息，據(jù)The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?！ ∨c傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率。 此外，蘋果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準，這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準的設(shè)備充電?！ ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架?！ ∑渲?，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
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研華Arm-based邊緣智能網(wǎng)關(guān) 協(xié)助儲能企業(yè)打造穩(wěn)定高效的電池管理系統(tǒng)(BMS)方案
- 應(yīng)對全球變暖問題，研華整合軟硬件和服務(wù)，開發(fā)了可應(yīng)用于儲能系統(tǒng)的邊緣智能解決方案，攜手綠色能源產(chǎn)業(yè)鏈的各方伙伴，有效提升家庭、商業(yè)、工業(yè)區(qū)、城市使用綠色能源效益，為追求可持續(xù)發(fā)展貢獻一己之力。項目背景客戶的儲能柜部署在全球各個地區(qū)，當(dāng)設(shè)備出現(xiàn)故障時運維成本非常昂貴，客戶希望保證儲能柜的控制系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運行，并支持災(zāi)難恢復(fù)、雙機熱備和基于Azure云平臺的實時在線監(jiān)控功能。痛點需求●? ?設(shè)備部署在偏遠地區(qū)，運行和維護成本高●? ?系統(tǒng)故障后不能自動恢復(fù)●?
- 關(guān)鍵字： 研華 邊緣智能網(wǎng)關(guān) WISE-DeviceOn/Commbridge EPC-R3220 EPC-R4710
InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?！ ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器
- TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本
- 關(guān)鍵字： GAN TI 電源供應(yīng)器
集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元，年復(fù)合成長率高達78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計實驗室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯(lián)合設(shè)計實驗室，實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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砥礪前行，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點實驗室，圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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