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          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的40V氮化鎵功率晶體管

          •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管,應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。?EPC2049晶體管的額定電壓為40?V、最大導(dǎo)通電阻為5?m?及脈沖輸出電流為175?A?! ∨c采用塑膠封裝的MOSFET相比,采用芯片級(jí)封裝的EPC2049氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱性能好很多,這是由于使用芯片級(jí)封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境,而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)
          • 關(guān)鍵字: EPC  EPC2049  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用

          •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用。  EPC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對(duì)多種設(shè)備同時(shí)充電,可傳送高達(dá)300 W功率。可傳送這么大功率使得我們可以同時(shí)對(duì)電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
          • 關(guān)鍵字: 宜普  GaN  

          面向激光雷達(dá)應(yīng)用并采用EPC氮化鎵(eGaN)技術(shù)的150安培開發(fā)板可以驅(qū)動(dòng)5 納秒脈寬的脈沖電流

          •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大電流脈沖激光二極管的驅(qū)動(dòng)演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動(dòng)汽車應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng)需要制作三維地圖,因此,偵測(cè)四周的目標(biāo)物件的速度及準(zhǔn)確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到,與等效MOSFET相比,具備快速轉(zhuǎn)換特性的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)所提供的脈沖功率可以快十倍的速度驅(qū)動(dòng)激光二極管,從而提升激光雷達(dá)系統(tǒng)的整體性能。  EPC9126HC開發(fā)板主要驅(qū)動(dòng)激光二極管,備有
          • 關(guān)鍵字: EPC  EPC9126HC  

          集成智能——第1部分:EMI管理

          •   智能集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無刷直流(BLDC)電機(jī)可以幫助電動(dòng)汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切要素,如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)。  BLDC電機(jī)在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢(shì)包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機(jī)壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗(yàn)以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器  集成智能系列博
          • 關(guān)鍵字: BLDC  FET  

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關(guān)鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行;從輸出到輸入。幸運(yùn)的是,有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識(shí)和了解。
          • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展,并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車、無線揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動(dòng)汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動(dòng)汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動(dòng)器  

          制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

          •   接近62%的能源被白白浪費(fèi)   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì),本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

          •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng),還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場(chǎng)機(jī)遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì),隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長,RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場(chǎng)營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場(chǎng)營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
          • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

          世強(qiáng)聯(lián)手EPC,合力布局國內(nèi)GaN功率器件市場(chǎng)

          •   世強(qiáng)宣布與基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)簽約合作,作為EPC中國區(qū)代理,銷售其全線產(chǎn)品?! ?jù)悉,EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)為首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線充電,自動(dòng)駕駛、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)(LiDAR)及D類音頻放大器等,GaN器件在速度,損耗,效率等性能上比硅材料的功率器件優(yōu)越很多?! ⊥ㄟ^增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù),不僅可以提高電源效率,還可以
          • 關(guān)鍵字: 世強(qiáng)  EPC  

          2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

          •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長,是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì),全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場(chǎng)規(guī)模將從201
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

          張文賓加入宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)擔(dān)任大中華及東南亞區(qū)銷售副總裁

          •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布張文賓(Roy Chang)加人管理團(tuán)隊(duì),擔(dān)任大中華及東南亞區(qū)銷售副總裁職位,支持亞太區(qū)業(yè)務(wù)高速增長。張先生在計(jì)算機(jī)及半導(dǎo)體行業(yè)擁有超過20年的研發(fā)、技術(shù)銷售和市場(chǎng)營銷的經(jīng)驗(yàn)。他的主要職責(zé)是制定及執(zhí)行銷售策略以達(dá)到公司在大中華及東南亞區(qū)的銷售目標(biāo)。張先生的主要工作地點(diǎn)為臺(tái)灣臺(tái)北市?! 埾壬诩尤胍似展局盀門ransphorm公司的臺(tái)灣銷售副總裁。之前,他在Acer及德州儀器擔(dān)任研發(fā)、技術(shù)銷售、銷售及市場(chǎng)營銷等管理職位?! PC全球銷售及市場(chǎng)營銷高級(jí)副總裁
          • 關(guān)鍵字: EPC  宜普電源  

          EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進(jìn)行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應(yīng)用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

          •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商,基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個(gè)功率放大器,而在接收端無論是采用什么標(biāo)準(zhǔn),也可以實(shí)現(xiàn)無線充電。  我們誠摯邀請(qǐng)工程師蒞臨中國上海,出席于2017年6月28日(星期三)上午11時(shí)在上海世博展覽館B2層2號(hào)會(huì)議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(huì)(電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)研討會(huì))。屆時(shí)EPC公司的應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
          • 關(guān)鍵字: EPC  eGaN   
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