epc gan fet 文章進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區(qū)

TI推出業(yè)界首款100V高壓側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)高電壓電池

　　近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅(qū)動(dòng)能量存儲(chǔ)系統(tǒng)，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用中常用電池里的高壓側(cè)N溝道充放電FET，包括無人機(jī)、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車等等。如需了解更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。　　電感性
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基于EPC eGaN FET 的100 W并可實(shí)現(xiàn)92%效率的開發(fā)板與工作頻率為6.78 MHz的AirFuel?無線充電標(biāo)準(zhǔn)兼容

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出EPC9065開發(fā)板，可作為面向AirFuel?聯(lián)盟的Class 4及Class 5無線電源傳送應(yīng)用的放大器功率級(jí)。該板的配置采用零電壓開關(guān)(ZVS)差分模式D類放大器拓?fù)?，而且不只限?.78 MHz工作頻率(最低ISM頻帶)。　　EPC9065開發(fā)板包含所有重要元件，包括以螺栓方法安裝的兩個(gè)散熱器，可增加電流傳輸能力。該板易于與現(xiàn)有的系統(tǒng)連接，從而加速終端產(chǎn)品的上市進(jìn)程?！　≡撻_發(fā)板采用100 V的EPC2007C及
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新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢(shì)

　　第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)　　時(shí)間：2016.01.14 下午　　地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢(shì)　　演講嘉賓: 蔡振宇富士通電子元器件市場部高級(jí)經(jīng)理　　主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費(fèi)電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動(dòng)車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時(shí)間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會(huì)越來越依賴新型功
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物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商？

未來虛擬現(xiàn)實(shí)和智能汽車成為焦點(diǎn)，VR將會(huì)引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會(huì)給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對(duì)于IoT可能帶來的更多變化，半導(dǎo)體廠商該如何應(yīng)對(duì)?
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) GaN

第三代半導(dǎo)體崛起中國照明能否彎道超車？

　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)，中國也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會(huì)發(fā)展的基石，是推動(dòng)節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話語權(quán)? 　　　　第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對(duì)于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對(duì)于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
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硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

　　硅基GaN潛力大　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會(huì)，MACOM全球銷售高級(jí)副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。” 　　圖1 GaN的巨大潛力　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍(lán)海。
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實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案

　　簡介　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對(duì)于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對(duì)于硅材料所具有的優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。　　使用壽命預(yù)測指標(biāo) 　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使
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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

　　當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。　　　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元　　由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動(dòng)，n型碳化硅基
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氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場

　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。　　Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬美元的產(chǎn)值。　　目前銷售Ga
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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

　　根據(jù)Yole Development預(yù)測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想器件

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出單片半橋式增強(qiáng)型氮化鎵晶體管-- EPC2106。通過集成兩個(gè)eGaN®功率場效應(yīng)晶體管而成為一個(gè)集成電路可以去除互感及PCB板上器件之間所需的間隙空間，從而提高效率(尤其是在更高頻時(shí))及提高功率密度而同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。　　EPC2106是一種半橋元件，其額定電壓為100 V、RDS(on)的典型值為55 m?、輸出電容低于600 pF、零反向恢復(fù)(QRR)及18 A最高脈沖漏極電流。由于氮化鎵元件具備低導(dǎo)通電阻及電容，因此可實(shí)現(xiàn)高效率及大大
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量

　　目前，電動(dòng)汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測量，利用它們的差和比
關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器

GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

　　1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
關(guān)鍵字： GaN EMI

詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設(shè)計(jì)注意點(diǎn)

　　無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動(dòng)，連接每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路最常見的線程就是須要控制光的輸出。現(xiàn)今僅有很少數(shù)的應(yīng)用只需要開和關(guān)的簡單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對(duì)亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅(qū)動(dòng)電流從0到目標(biāo)電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設(shè)定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來控制大部分的開關(guān)轉(zhuǎn)換器。　　PWM調(diào)光能調(diào)配準(zhǔn)確色光
關(guān)鍵字： PWM FET